模块化功率放大器设备和架构制造技术

本发明专利技术公开了一种经封装的半导体芯片，该经封装的半导体芯片包括功率放大器管芯，该经封装的半导体芯片包括：半导体衬底、输入接触焊盘、输出接触焊盘、第一直流(DC)接触焊盘和第二直流接焊盘、具有耦合到输入接触焊盘的输入端的一个或多个晶体管，以及将第一DC接触焊盘电耦合到在半导体衬底上实现的第二DC接触焊盘和输入接触焊盘的输入偏置耦合路径。芯片还包括引线框架，该引线框架具有：电耦合到输入接触焊盘的一个或多个射频输入引脚、电耦合到输出接触焊盘的一个或多个射频输出引脚，以及分别电耦合到第一DC接触焊盘和第二DC接触焊盘的第一输入偏置引脚和第二输入偏置引脚。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】模块化功率放大器设备和架构
技术介绍
本公开涉及射频功率放大器设备和架构，并且更具体地涉及高功率放大器。某些功率放大器(包括高功率放大器)，可至少部分地使用固态(例如，半导体)衬底来实现。不同的半导体基底提供不同的性能特性。
技术实现思路
本文描述了用于实现模块化功率放大器架构(包括高功率放大器架构)的系统、设备和方法。在一些具体实施中，本公开涉及经封装的半导体芯片，该经封装的半导体芯片包括：半导体衬底；在半导体衬底上实现的射频输入接触焊盘；在半导体衬底上实现的射频输出接触焊盘；在半导体衬底上实现的第一直流(DC)接触焊盘和第二直流接触焊盘；输入偏置耦合路径，该输入偏置耦合路径实现在半导体衬底上并且将第一DC接触焊盘电耦合到第二DC接触焊盘和输入接触焊盘；以及一个或多个晶体管，该一个或多个晶体管实现在半导体衬底上并且具有耦合到输入接触焊盘的输入端。半导体衬底、输入接触焊盘、输出接触焊盘、第一DC接触焊盘和第二DC接触焊盘、输入偏置耦合路径以及一个或多个晶体管可以是经封装的半导体芯片的内部放大器/半导体管芯的一部分。经封装的半导体芯片还包括引线框架，该引线本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种经封装的半导体芯片(800)，包括：/n半导体衬底(810)；/n射频输入接触焊盘(812)，所述射频输入接触焊盘实现在所述半导体衬底上；/n射频输出接触焊盘(813)，所述射频输出接触焊盘实现在所述半导体衬底上；/n第一直流(DC)接触焊盘(819)和第二直流接触焊盘(816)，所述第一直流接触焊盘和所述第二直流接触焊盘实现在所述半导体衬底上；和/n输入偏置耦合路径(873)，所述输入偏置耦合路径实现在所述半导体衬底上并且将所述第一DC接触焊盘电耦合到所述第二DC接触焊盘和所述输入接触焊盘；/n一个或多个晶体管(815)，所述一个或多个晶体管实现在所述半导体衬底上并且具有耦合到所述输...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180118 US 62/618,9561.一种经封装的半导体芯片(800)，包括：
半导体衬底(810)；
射频输入接触焊盘(812)，所述射频输入接触焊盘实现在所述半导体衬底上；
射频输出接触焊盘(813)，所述射频输出接触焊盘实现在所述半导体衬底上；
第一直流(DC)接触焊盘(819)和第二直流接触焊盘(816)，所述第一直流接触焊盘和所述第二直流接触焊盘实现在所述半导体衬底上；和
输入偏置耦合路径(873)，所述输入偏置耦合路径实现在所述半导体衬底上并且将所述第一DC接触焊盘电耦合到所述第二DC接触焊盘和所述输入接触焊盘；
一个或多个晶体管(815)，所述一个或多个晶体管实现在所述半导体衬底上并且具有耦合到所述输入接触焊盘的输入端；和
引线框架，所述引线框架包括：
一个或多个射频输入引脚(831)，所述一个或多个射频输入引脚电耦合到所述输入接触焊盘；
一个或多个射频输出引脚(832)，所述一个或多个射频输出引脚电耦合到所述输出接触焊盘；和
第一输入偏置引脚(833)和第二输入偏置引脚(837)，所述第一输入偏置引脚和所述第二输入偏置引脚分别电耦合到所述第一DC接触焊盘和所述第二DC接触焊盘。


2.根据权利要求1所述的经封装的半导体芯片(800)，其中所述一个或多个晶体管(815)被配置为从所述引线框架的所述一个或多个射频输出引脚(832)中的至少一个射频输出引脚接收输出偏置信号。


3.根据权利要求1所述的经封装的半导体芯片(800)，其中所述第一DC接触焊盘(819)和所述第二DC接触焊盘(816)设置在所述输入接触焊盘(812)的相对侧上。


4.根据权利要求1所述的经封装的半导体芯片(800)，其中：
所述一个或多个晶体管包括多个场效应晶体管；并且
所述输入接触焊盘电耦合到所述多个场效应晶体管的栅极。


5.根据权利要求1所述的经封装的半导体芯片(800)，其中所述输入偏置耦合路径(873)允许所述经封装的半导体芯片(800)与另一个经封装的半导体芯片并联菊花链式连接。


6.根据权利要求1所述的经封装的半导体芯片(800)，还包括DC阻断电路(871)，所述DC阻断电路实现在所述半导体衬底(810)上并且被配置为阻断所述输入接触焊盘(812)与所述一个或多个晶体管(815)的所述输入端之间的DC电流。


7.根据权利要求1所述的经封装的半导体芯片(800)，还包括：
第一放大器级，所述第一放大器级包括所述一个或多个晶体管(815)；和
第二放大器级(825)，所述第二放大器级具有耦合到所述第一放大器级的输出端的输入端。


8.根据权利要求7所述的经封装的半导体芯片(800)，其中所述第二放大器级与所述第一放大器级被DC阻断。


9.根据权利要求7所述的经封装的半导体芯片(800)，还包括输出偏置耦合路径，所述输出偏置耦合路径将所述第二放大器级的输出端与所述第一放大器级的所述输出端电耦合。


10.根据权利要求7所述的经封装的半导体芯片(800)，其中：
所述第二放大器级(825)包括并联连接的多个晶体管；并且
所述多个晶体管的输入端是电耦合的。


11.根据权利要求1所述的经封装的半导体芯片(800)，其中所述引线框架是扁平无引线封装件(830)的部件。


12.根据权利要求1所述的经封装的半导体芯片(800)，还包括设置在所述封装件(830,1330)内的输出匹配电路(1360)。


13.根据权利要求12所述的经封装的半导体芯片(800)，其中所述输出匹配电路(1360)实现在所述半导体衬底(810,1310)上。


14.一种功率放大器(300,700)，包括：
印刷电路板(340,740)；
多个经封装的半导体芯片(351-364,730,731)，所述多个经封装的半导体芯片按功率放大器构型安装在所述印刷电路板上，所述多个经封装的半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙世鹏，肯尼士·V·布尔，迈克尔·R·莱昂斯，加里·P·英格利什，强·R·陈，拉马纳默西·V·达拉普，道格拉斯·J·马修斯，马克·S·伯克海默，布兰登·C·德雷克，杰伊·C·比昂，
申请(专利权)人：维尔塞特公司，
类型：发明
国别省市：美国;US