半导体装置封装及其制造方法制造方法及图纸

一种半导体装置封装包含第一电子装置和第二电子装置。所述第一电子装置包含第一再分布层，所述第一再分布层包含电路层。所述第二电子装置安置在所述第一电子装置的所述第一再分布层上。所述第二电子装置包含囊封物和经图案化导电层。所述囊封物具有面向所述第一电子装置的所述第一再分布层的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述经图案化导电层安置在所述囊封物的所述第二表面处，并且经配置以电耦合到所述第一电子装置的所述第一再分布层的所述电路层。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置封装及其制造方法
本专利技术涉及半导体装置封装及其制造方法，并且涉及包含两个或大于两个堆叠模制结构的半导体装置封装及其制造方法。
技术介绍
堆叠半导体装置封装可包含两个或大于两个堆叠电子装置。电子装置形成于衬底(例如，晶片)上。可以在制造期间模制电子装置中的每一个，并且因此可在电子装置中的至少一个上执行至少两个模制操作(moldingoperations)。在两个或大于两个模制操作期间衬底和一或多个上覆层可能遭受由于模制材料的热膨胀系数(coefficientofthermalexpansion,CTE)不匹配造成的弯曲，其可能在高温时发生。弯曲可以引起电子装置之间的不佳对准(pooralignment)。因此，弯曲可以是堆叠半导体装置封装的问题。
技术实现思路
在一些实施例中，一种半导体装置封装包含第一电子装置和第二电子装置。第一电子装置包含第一再分布层(redistributionlayer,RDL)，所述第一再分布层包含电路层。第二电子装置安置在第一电子装置的第一RDL上。第二电子装置包含囊封物和经图案化导电层。囊封物具有面向第一电子装置的第一RDL的第一表面和与第一表面相对的第二表面。经图案化导电层安置在囊封物的第二表面处，并且经配置以电耦合到第一电子装置的第一RDL的电路层。在一些实施例中，半导体装置封装包含第一电子装置、第二电子装置和中间层。第一电子装置包含RDL，所述RDL包含电路层和覆盖电路层的上部介电层。第二电子装置安置在第一电子装置上。第二电子装置包含囊封物和经图案化导电层。囊封物具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。经图案化导电层安置在囊封物的第一表面处。中间层安置在第一电子装置的RDL的上部介电层与囊封物的第二表面之间，并且经配置以接合第一电子装置和第二电子装置。在一些实施例中，用于制造半导体装置封装的方法包含以下操作。形成第一模制结构。第一模制结构包含第一载体、安置在第一载体上的经图案化导电层，以及安置在第一载体上并且囊封经图案化导电层的第一囊封物。形成第二模制结构。第二模制结构包含第二载体、半导体芯片、第二囊封物和RDL。安置半导体芯片在第二载体上。安置第二囊封物在第二载体上并且囊封半导体芯片。安置RDL在第二囊封物上。第一模制结构通过粘合剂层接合到第二模制结构，其中第一囊封物面向RDL。附图说明当结合附图阅读时，从以下详细描述容易理解本专利技术的一些实施例的方面。各种结构可能未按比例绘制，且各种结构的尺寸可出于论述的清楚起见任意增大或减小。图1是根据本专利技术的一些实施例的半导体装置封装的截面图。图1A是根据本专利技术的一些实施例的图1的第一RDL的上部介电层的俯视图。图1B是根据本专利技术的一些实施例的图1的上部介电层和中间层的截面图。图2A、图2B、图2C、图2D、图2E、图2F、图2G、图2H、图2I、图2J和图2K说明根据本专利技术的一些实施例的制造半导体装置封装的操作。图3是根据本专利技术的一些实施例的半导体装置封装的截面图。图4A、图4B、图4C、图4D、图4E、图4F、图4G、图4H和图4I说明根据本专利技术的一些实施例的制造半导体装置封装的操作。具体实施方式以下公开内容提供用于实施所提供的标的物的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述组件和布置的具体实例来阐释本专利技术的某些方面。当然，这些只是实例且并不意图为限制性的。举例来说，在以下描述中，第一特征形成于第二特征上方或上可包含其中第一特征和第二特征形成或安置成直接接触的实施例，且也可包含其中额外特征形成或安置在第一特征与第二特征之间使得第一特征和第二特征并不直接接触的实施例。另外，本专利技术可能在各种实例中重复参考数字和/或字母。此重复是出于简化和清楚的目的，且本身并不规定所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。如本文中所使用，在本文中可使用例如“下方”、“低于”、“下部”、“上方”、“上部”、“下部”、“左侧”、“右侧”及类似者的空间相对术语以用于描述如图中所说明的一个元件或特征与另一元件或特征的关系的描述的简易性。除了图中所描绘的定向之外，空间相对术语意图涵盖在使用或操作中的装置的不同定向。装置可以其它方式定向(旋转90度或处于其它定向)，且本文中所使用的空间相对描述词同样地可相应地进行解释。应理解，当一元件被称为“连接到”或“耦合到”另一元件时，其可直接连接或耦合到所述另一元件，或可存在中间元件。本专利技术提供半导体装置封装及其制造方法。半导体装置封装包含两个或大于两个堆叠电子装置。电子装置可以是模制结构，所述模制结构在它们接合之前单独地模制，并且因此模制结构中的每一个可以经受一个模制操作。因此，可以避免使电子装置经受两个或大于两个高温模制操作。因此，可以缓解或避免弯曲问题，并且电子装置可以相应地很好地彼此对齐。图1是根据本专利技术的一些实施例的半导体装置封装1的截面图。如图1中所示，半导体装置封装1包含第一电子装置10和堆叠在第一电子装置10上的第二电子装置30。第一电子装置10包含RDL12(也被称作第一RDL)。第一RDL12包含电路层12C和介电层，所述介电层例如安置在电路层12C上的上部介电层12D和安置在电路层12C之下的底部介电层12B。电路层12C可以是单层或多层的，并且电路层12C的材料可包含例如铜的金属、合金或其它合适的导电材料。上部介电层12D和底部介电层12B可各自包含无机介电层或有机介电层。在一些实施例中，上部介电层12D可(但是不必然)基本上完全覆盖电路层12C。在一些实施例中，第一电子装置10可进一步包含另一RDL14(也被称作第二RDL)、半导体芯片16和囊封物18(encapsulant)(也被称作第二囊封物)。第二RDL14安置在第一RDL12之下并且电连接到第一RDL12。在一些实施例中，第二RDL14的表面粗糙度小于第一RDL12的表面粗糙度(例如，以约0.9或小于0.9的因数、以约0.8或小于0.8的因数，或以约0.7或小于0.7的因数)。第二RDL14包含例如介电层14D和电路层14C，所述电路层14C安置在介电层14D上、邻近于介电层14D或嵌入在介电层14D中且通过介电层14D暴露。第二RDL14可包含多个堆叠电路层14C和介电层14D。电路层14C的材料可包含例如铜的金属、合金，或其它合适的导电材料。介电层14D可包含无机介电层或有机介电层。半导体芯片16安置在第一RDL12与第二RDL14之间。半导体芯片16包含例如有源芯片、无源芯片或其组合。第二囊封物18安置在第一RDL12与第二RDL14之间，并且第二囊封物18囊封半导体芯片16。在一些实施例中，半导体芯片16可以附接到第一RDL12，或者可以接触第一RDL12，并且半导体芯片16包含面向且电连接到第二RDL14的连接元件16C，例如，导电柱(conductivepillars)、导电突部(conductivestuds)或导电凸块(conductivebumps)。第二囊封物18包含例如模制材料(本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置封装，其包括：/n第一电子装置，其包括第一再分布层，所述第一再分布层包含电路层；以及/n第二电子装置，其安置在所述第一电子装置的所述第一再分布层上，所述第二电子装置包括：/n囊封物，其具有面向所述第一电子装置的所述第一再分布层的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；以及/n经图案化导电层，其安置在所述囊封物的所述第二表面处，并且经配置以电耦合到所述第一电子装置的所述第一再分布层的所述电路层。/n

【技术特征摘要】
20190319 US 16/358,6161.一种半导体装置封装，其包括：
第一电子装置，其包括第一再分布层，所述第一再分布层包含电路层；以及
第二电子装置，其安置在所述第一电子装置的所述第一再分布层上，所述第二电子装置包括：
囊封物，其具有面向所述第一电子装置的所述第一再分布层的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；以及
经图案化导电层，其安置在所述囊封物的所述第二表面处，并且经配置以电耦合到所述第一电子装置的所述第一再分布层的所述电路层。


2.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第一再分布层的所述电路层通过所述囊封物与所述经图案化导电层物理地隔离。


3.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第一再分布层的所述电路层包含第一电极，并且所述经图案化导电层包含与所述第一电极对齐的第二电极。


4.根据权利要求3所述的半导体装置封装，其中所述第一电极的边缘从所述第二电极的对应的边缘的偏移小于25微米。


5.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第一再分布层进一步包括覆盖所述电路层的上部介电层。


6.根据权利要求5所述的半导体装置封装，其进一步包括中间层，其安置在所述第一电子装置的所述第一再分布层的所述上部介电层与所述囊封物的所述第一表面之间，并且经配置以接合所述第一电子装置和所述第二电子装置。


7.根据权利要求6所述的半导体装置封装，其中所述第一再分布层的所述上部介电层包含多个第一突出部，并且所述中间层包含多个第二突出部，其与所述第一再分布层的所述上部介电层的所述第一突出部啮合。


8.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第一电子装置进一步包括：
第二再分布层，其安置在所述第一再分布层之下并且电连接到所述第一再分布层；
半导体芯片，其安置在所述第一再分布层与所述第二再分布层之间；以及
第二囊封物，其安置在所述第一再分布层与所述第二再分布层之间，并且囊封所述半导体芯片。


9.根据权利要求8所述的半导体装置封装，其中所述第二再分布层的表面粗糙度小于所述第一再分布层的表面粗糙度。


10.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其进一步包括钝化层，其安置在所述经图案化导电层上。


11.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述囊封物包括不透明的囊封物。


12.一种半导体装置封装，其包括：
第一电子装置，其包括再分布层，所述再分布层包含电路层和覆盖所述电路层的上部介电层；
第二电子装置，其安置在所述第一电子装置上，所述第二电子装置包括：
囊封物，其具有第一表面和与所述第一表...

【专利技术属性】
技术研发人员：竺明宪，王启宇，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71