本公开涉及一种巨量转移方法、一种巨量转移装置和一种缓冲载体。所述巨量转移方法包括：(a)提供设置在源载体上的多个电子组件；(b)提供包括多个调整空腔的缓冲载体；以及(c)将所述电子组件从所述源载体转移到所述缓冲载体，其中所述电子组件被放...

提供一种衬底、半导体封装装置和制造半导体封装装置的方法。所述衬底包含低密度布线结构、第一中等密度布线结构和高密度布线结构。所述第一中等密度布线结构电连接到所述低密度布线结构。所述高密度布线结构电连接到所述低密度布线结构。所述高密度布线结...

本公开提供了一种半导体设备封装。所述半导体设备封装包含：衬底，所述衬底具有中心区域和围绕所述中心区域的外围；以及电子组件，所述电子组件安置在所述衬底上。所述衬底包含安置在所述外围内并且彼此间隔开的多个测试触点。所述电子组件包含虚设焊盘。...

本公开提供的半导体结构及其制造方法，通过介电材料热胀冷缩的变异量，进而阻挡定位并校正电子组件的位移。具体地，在黏晶(Die Bond)之前，先利用加热扩大介电材料所形成的通孔的孔径，再利用冷却缩小该通孔的孔径，进而阻挡定位并校正电子组件...

本公开提供的半导体结构及其制造方法，通过引线键合实现电子组件和基板之间的电性连接，并利用引线键合(wire bond)实时确定键合起点和键合终点的特性，以最大容许范围来补偿黏晶(Die bond)精度所造成的偏差，并且后续制作重布线层(...

本公开涉及半导体封装装置及其制造方法。该半导体封装装置包括：引线框架，具有相对的第一表面和第二表面；第一芯片，设置于第一表面且主动面朝向第一表面；保护层，包覆第一表面和至少部分第一芯片，第一芯片的非主动面至少部分在保护露出。该半导体封装...

本公开涉及半导体封装装置及其制造方法。该半导体封装装置包括：基板和重布线层，基板和重布线层通过导通线路电连接；电容器，电连接至导通线路。在本公开提供的半导体封装装置及其制造方法中，通过在基板和重布线层之间的线路中设置电容器，利用该电容器...

本公开提供的半导体结构及其制造方法，通过设计一校正模具辅助电子组件定位，同时为了避免电子组件在校正过程中受到损伤，分别在校正模具和电子组件上制作相应的倒角，电子组件可以沿着倒角进行移动校正，以提高定位精度。以提高定位精度。以提高定位精度。

本公开提供了半导体封装装置及其制造方法，通过设计半导体封装装置包括：第一基板，具有第一表面、与第一表面相对的第二表面及贯穿第一基板的容纳腔体，容纳腔体位于第二表面的底面设置有第一亲水结构层，第一亲水结构层的第一端靠近容纳腔体的第一侧面；...

本公开涉及半导体封装装置及其制造方法。该半导体封装装置包括：基材，基材上设置有沟槽，沟槽内由外层向中心依次设置有第一磁性材和第一金属材；第二磁性材，位于沟槽的开口的上方；第一磁性材、第一金属材和第二磁性材共同形成电感结构。该半导体封装装...

本公开提供了半导体封装装置及其制造方法，通过设计半导体封装装置包括：重布线层；隔离层，设置于重布线层上，隔离层的吸水性小于重布线层；填充层，设置于隔离层上；两个功能芯片，设置于填充层上，经过填充层和隔离层，与重布线层电连接，两个功能芯片...

本公开提供的半导体结构及其制造方法，在通过粘合层(Adhesionfilm)结合重布线层(Fan

提供一种封装衬底和制造封装衬底和半导体装置封装的方法。所述封装衬底包含电路层、光学固化介电层、多个阻挡层和牺牲层。所述电路层包含多个导电衬垫。所述光学固化介电层具有上表面和与所述上表面相对的下表面。所述光学固化介电层覆盖所述电路层，且所...

提供了一种半导体装置封装。所述半导体装置封装包含提供第一衬底、计算单元和电力模块。所述第一衬底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述计算单元邻近于所述第一表面。所述计算单元包含半导体芯片。所述电力模块邻近于所述第二表面。所述电...

本公开提供了一种耳塞套。所述耳塞套包含主体、第一导电元件、第二导电元件，所述第一导电元件至少部分地嵌入在所述主体中，所述第二导电元件至少部分地嵌入在所述主体中并与所述第一导电元件间隔开。所述主体包含中央部分和尾部，所述中央部分具有顶部，...

提供了一种半导体装置和其制造方法。所述方法包含提供第一衬底。所述方法还包含在所述第一衬底上形成第一金属层。所述第一金属层包含第一金属材料。所述方法进一步包含用包含第二金属材料的离子的溶液处理所述第一金属层的第一表面。另外，所述方法包含在...

本发明的实施例提供了一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括：第一管芯，具有前侧和与前侧相对的背侧；第一重布线层，第一管芯的背侧附接到第一重布线层；第二重布线层，连接至第一管芯的前侧；第二管芯，位于第一管芯和第二重布线层之间；引脚，设...

本发明的实施例提供了一种封装结构，包括：线路层，具有相对设置的第一面和第二面，以及位于第一面和第二面之间并与第一面和第二面邻接的第三面；第一天线基板，设置在第一面上；第二天线基板，设置在第三面上；第一屏蔽层，设置在第二天线基板上并且邻近...

本发明的实施例提供了一种半导体结构，包括：基板，具有空腔；内埋件，位于空腔中，内埋件具有开孔部；突起部，延伸至开孔部。本发明的目的在于提供一种半导体结构及其形成方法，以提高半导体结构的良率。高半导体结构的良率。高半导体结构的良率。

本公开提供了一种半导体设备封装。所述半导体设备封装包含天线层、第一电路层和第二电路层。所述天线层具有第一热膨胀系数CTE。所述第一电路层安置在所述天线层之上。所述第一电路层具有第二CTE。所述第二电路层安置在所述天线层之上。所述第二电路...