半导体结构及其形成方法技术

本发明专利技术的实施例提供了一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括：第一管芯，具有前侧和与前侧相对的背侧；第一重布线层，第一管芯的背侧附接到第一重布线层；第二重布线层，连接至第一管芯的前侧；第二管芯，位于第一管芯和第二重布线层之间；引脚，设置在第一管芯和第二管芯周围，引脚的一端连接到第一重布线层且引脚的另一端到第二重布线层。第一管芯的背侧与引脚的一端的表面不齐平。背侧与引脚的一端的表面不齐平。背侧与引脚的一端的表面不齐平。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，更具体地，涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]在扇出叠层封装(FOPOP，Fan
‑
OutPackage on Package)产品中，目前其中高导电柱制程的深宽比极限约为1:10(例如，70μm/700μm)，而一般FOPOP管芯的厚度约为500μm，因此高度为700μm的高导电柱可以符合当前FOPOP需求。然而目前针对效能提高，会有堆叠管芯需求(增加被动元件或是滤波器堆叠在另一管芯上)，此时堆叠管芯整体的厚度会超过700μm甚至达到1000μm以上。因此，FOPOP的高导电柱制程良率会无法满足堆叠管芯封装产品的需求。

技术实现思路

[0003]针对相关技术中的上述问题，本申请提出一种半导体结构及其形成方法。
[0004]根据本专利技术实施例的一个方面，提供了一种半导体结构，包括：第一管芯，具有前侧和与前侧相对的背侧；第一重布线层，第一管芯的背侧附接到第一重布线层；第二重布线层，连接至第一管芯的前侧；第二管芯，位于第一管芯和第二重布线层之间；以及引脚，设置在第一管芯和第二管芯周围，引脚的一端连接到第一重布线层且引脚的另一端到第二重布线层；其中，第一管芯的背侧与引脚的一端的表面不齐平。
[0005]在一些实施例中，半导体结构还包括：模制物，位于第一重布线层和第二重布线层之间且包围第一管芯和第二管芯；其中，引脚的一端的表面与模制物的表面齐平。
[0006]在一些实施例中，半导体结构还包括：管芯附接膜，位于第一重布线层和第一管芯之间，第一管芯的背侧通过管芯附接膜附接到第一重布线层。
[0007]在一些实施例中，引脚的高度大于第一管芯与第二管芯的厚度的和。
[0008]在一些实施例中，引脚的高度大于700微米。
[0009]在一些实施例中，第一管芯具有连接到第二重布线层的导电柱，其中，导电柱围绕第二管芯设置。
[0010]在一些实施例中，导电柱的连接到第二重布线层的表面与引脚的另一端的表面齐平。
[0011]根据本专利技术实施例的另一个方面，提供了一种半导体结构，包括：管芯，具有前侧和与前侧相对的背侧；重布线层，连接至管芯的前侧；导线架，跨过管芯并连接到重布线层，管芯的背侧连接到导线架。
[0012]在一些实施例中，半导体结构还包括：管芯附接膜，位于导线架和管芯之间，管芯的背侧通过管芯附接膜附接到导线架。
[0013]在一些实施例中，管芯具有导电柱，导电柱连接到重布线层。
[0014]在一些实施例中，半导体结构还包括：模制物，位于重布线层和导线架之间且包围管芯。
[0015]在一些实施例中，管芯的背侧与导线架直接接触。
[0016]在一些实施例中，导线架具有连接到重布线层的引脚，引脚邻近管芯的侧壁是倾斜的。
[0017]根据本专利技术实施例的又一个方面，提供了一种形成半导体结构的方法，包括：在导线架上提供第一管芯，其中，导线架具有凸出的引脚，第一管芯位于引脚之间；形成覆盖第一管芯和引脚的模制物；进行平坦化操作使得引脚由模制物暴露并且引脚与模制物的表面齐平。
[0018]在一些实施例中，在形成模制物之前还包括：在第一管芯上形成第二管芯。
[0019]在一些实施例中，第一管芯具有导电柱，其中，导电柱围绕第二管芯设置。
[0020]在一些实施例中，引脚的高度大于第一管芯与第二管芯的厚度的和。
[0021]在一些实施例中，引脚的高度大于700微米。
[0022]在一些实施例中，提供第一管芯包括：通过管芯附接膜将第一管芯的背侧附接到导线架。
[0023]在一些实施例中，形成半导体结构的方法还包括：执行另一平坦化操作以去除导线架的与第一管芯连接的部分，使得管芯附接膜和引脚由模制物暴露。
附图说明
[0024]当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以更好地理解本专利技术的实施例。应该强调的是，根据工业中的标准实践，对各种部件没有按比例绘制并且仅仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或缩小。
[0025]图1是根据本专利技术实施例的半导体结构的示意图。
[0026]图2A至图2E是根据本专利技术实施例的形成半导体结构的方法的各个阶段的示意图。
[0027]图3是根据本专利技术另一实施例的半导体结构的示意图。
[0028]图4A至图4E是根据本专利技术实施例的形成半导体结构的方法的各个阶段的示意图。
[0029]图5是根据本专利技术另一实施例的半导体结构的示意图。
具体实施方式
[0030]以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本专利技术。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本专利技术。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件形成为直接接触的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本专利技术可在各个实例中重复参考标号和/或字母。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。
[0031]而且，为便于描述，在此可以使用诸如“在
…
之下”、“在
…
下方”、“下部”、“在
…
之上”、“上部”等的空间相对术语，以便于描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，而在此使用的空间相对描述符可以同样地作相应的解释。
[0032]根据本专利技术的实施例提供了一种半导体结构。图1是根据本专利技术实施例的半导体结构的示意图。半导体结构100包括第一管芯110，第一管芯110具有前侧111和与前侧111相对的背侧113。第一重布线层152附接到第一管芯110的背侧113。第二重布线层154连接至第一管芯110的前侧111。第二管芯120与第一管芯110堆叠，第二管芯120位于第一管芯110和第二重布线层154之间。
[0033]半导体结构100还包括引脚132，引脚132设置在第一管芯110和第二管芯120周围。引脚132的一端131连接到第一重布线层152且引脚132的另一端133到第二重布线层154。第一管芯110的背侧113与引脚132的一端131的表面不齐平。引脚132的高度大于第一管芯110与第二管芯120的厚度的和。在一些实施例中，引脚132的高度可以大于700微米。
[0034]管芯附接膜115位于第一重布线层152和第一管芯110之间，第一管芯110的背侧113通过管芯附接膜115附接到第一重布线层152。第一管芯110具有连接到第二重布线层154的导电柱112，导电柱112围绕第二管芯120设置。导电柱1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：第一管芯，具有前侧和与所述前侧相对的背侧；第一重布线层，所述第一管芯的所述背侧附接到所述第一重布线层；第二重布线层，连接至所述第一管芯的所述前侧；第二管芯，位于所述第一管芯和所述第二重布线层之间；以及引脚，设置在所述第一管芯和所述第二管芯周围，所述引脚的一端连接到所述第一重布线层且所述引脚的另一端到所述第二重布线层；其中，所述第一管芯的所述背侧与所述引脚的所述一端的表面不齐平。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：模制物，位于所述第一重布线层和所述第二重布线层之间且包围所述第一管芯和所述第二管芯；其中，所述引脚的所述一端的表面与所述模制物的表面齐平。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：管芯附接膜，位于所述第一重布线层和所述第一管芯之间，所述第一管芯的所述背侧通过所述管芯附接膜附接到第一重布线层。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述引脚...

【专利技术属性】
技术研发人员：王令骅，沈明宗，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：