封装结构及其形成方法技术

本发明专利技术的实施例提供了一种封装结构，包括：线路层，具有相对设置的第一面和第二面，以及位于第一面和第二面之间并与第一面和第二面邻接的第三面；第一天线基板，设置在第一面上；第二天线基板，设置在第三面上；第一屏蔽层，设置在第二天线基板上并且邻近第三面；模制化合物，包覆线路层、第一天线基板和第二天线基板；重分布层，设置在第二面上，重分布层电连接至线路层和屏蔽层。本发明专利技术的目的在于提供一种封装结构及其形成方法，以实现天线封装结构的多向辐射。构的多向辐射。构的多向辐射。

【技术实现步骤摘要】
封装结构及其形成方法


[0001]本专利技术的实施例涉及封装结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]随着人们对移动网络的依赖与无线通信技术的演进，可利用的频带越来越有限，于是在第五代移动通讯中(5th generation mobile networks，简称5G)，业界已纷纷注意到毫米波(Millimeter Wave，简称mmWave)这一重要的关键因子，相较于现行常用的2.4GHz与5GHz等有限频带，毫米波所定义出的30～300GHz频带则是相对充裕且干净的，其天线设计亦可更加微小化，以提升携带型产品的便利性。
[0003]现行AoP(Antenna on Package，封装上天线)主要分为天线基板与线路基板，借由FOSUB(Fan out substrate)的方式将两块基板结合。即便改用低介电常数(low dk)、低介电损耗(low df)的材料以及耦合(Coupling)设计，封装件(PKG)仍较厚。如果要实现多向辐射的封装件，厚度更会大幅增加。

技术实现思路

[0004]针对相关技术中存在的问题，本专利技术的目的在于提供一种封装结构及其形成方法，以实现天线封装结构的多向辐射。
[0005]为实现上述目的，本专利技术的实施例提供了一种封装结构，包括：线路层，具有相对设置的第一面和第二面，以及位于第一面和第二面之间并与第一面和第二面邻接的第三面；第一天线基板，设置在第一面上；第二天线基板，设置在第三面上；第一屏蔽层，设置在第二天线基板上并且邻近第三面；模制化合物，包覆线路层、第一天线基板和第二天线基板；重分布层，设置在第二面上，重分布层电连接至线路层和屏蔽层。
[0006]在一些实施例中，还包括：第三天线基板，位于线路层的第三面相对的第四面上。
[0007]在一些实施例中，第三天线基板通过粘合层设置在第四面上。
[0008]在一些实施例中，还包括：第二屏蔽层，设置在第三天线基板上并且邻近第四面。
[0009]在一些实施例中，第一屏蔽层和第二屏蔽层具有开孔，开孔对应于馈入端口。
[0010]在一些实施例中，第一屏蔽层和第二屏蔽层均接地。
[0011]在一些实施例中，还包括：芯片，设置在第二面上。
[0012]在一些实施例中，芯片通过焊球与线路层电连接。
[0013]在一些实施例中，模制化合物设置在第一天线基板和第一面之间以及第二天线基板和第三面之间。
[0014]在一些实施例中，还包括：第一连接件，设置在第二面上，第一屏蔽层通过第一连接件电连接至线路层。
[0015]本申请的实施例提供一种形成封装结构的方法，包括：将第一天线基板设置在线路层上；将第二天线基板设置在线路层的一侧，第二天线基板的第一屏蔽层朝向线路层的第一侧面；形成封装线路层、第一天线基板和第二天线基板的模制化合物；形成电连线路层
与第二天线基板的第一连接件；将芯片倒装接合至线路层。
[0016]在一些实施例中，还包括：将第三天线基板设置在线路层的另一层，第三天线基板的第二屏蔽层朝向线路层的第二侧面。
[0017]在一些实施例中，还包括：形成电连线路层与第三天线基板的第二连接件。
[0018]在一些实施例中，模制化合物还封装第三天线基板。
[0019]在一些实施例中，第一天线基板通过粘合层附接至线路层。
[0020]在一些实施例中，芯片通过焊球电连接至线路层。
[0021]在一些实施例中，第二天线的天线信号垂直于第一天线的天线信号。
[0022]在一些实施例中，第二天线的天线信号朝向线路层的侧向。
[0023]在一些实施例中，第一连接件从模制化合物暴露。
[0024]在一些实施例中，模制化合物的底面与线路层的底面共面。
附图说明
[0025]当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本专利技术的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。
[0026]图1至图8示出了本申请的封装结构的形成过程的截面图。
具体实施方式
[0027]为更好的理解本申请实施例的精神，以下结合本申请的部分优选实施例对其作进一步说明。
[0028]本申请的实施例将会被详细的描示在下文中。在本申请说明书全文中，将相同或相似的组件以及具有相同或相似的功能的组件通过类似附图标记来表示。在此所描述的有关附图的实施例为说明性质的、图解性质的且用于提供对本申请的基本理解。本申请的实施例不应该被解释为对本申请的限制。
[0029]如本文中所使用，术语“大致”、“大体上”、“实质”及“约”用以描述及说明小的变化。当与事件或情形结合使用时，所述术语可指代其中事件或情形精确发生的例子以及其中事件或情形极近似地发生的例子。举例来说，当结合数值使用时，术语可指代小于或等于所述数值的
±
10％的变化范围，例如小于或等于
±
5％、小于或等于
±
4％、小于或等于
±
3％、小于或等于
±
2％、小于或等于
±
1％、小于或等于
±
0.5％、小于或等于
±
0.1％、或小于或等于
±
0.05％。举例来说，如果两个数值之间的差值小于或等于所述值的平均值的
±
10％(例如小于或等于
±
5％、小于或等于
±
4％、小于或等于
±
3％、小于或等于
±
2％、小于或等于
±
1％、小于或等于
±
0.5％、小于或等于
±
0.1％、或小于或等于
±
0.05％)，那么可认为所述两个数值“大体上”相同。
[0030]在本说明书中，除非经特别指定或限定之外，相对性的用词例如：“中央的”、“纵向的”、“侧向的”、“前方的”、“后方的”、“右方的”、“左方的”、“内部的”、“外部的”、“较低的”、“较高的”、“水平的”、“垂直的”、“高于”、“低于”、“上方的”、“下方的”、“顶部的”、“底部的”以及其衍生性的用词(例如“水平地”、“向下地”、“向上地”等等)应该解释成引用在讨论中所描述或在附图中所描示的方向。这些相对性的用词仅用于描述上的方便，且并不要求将
本申请以特定的方向建构或操作。
[0031]另外，有时在本文中以范围格式呈现量、比率和其它数值。应理解，此类范围格式是用于便利及简洁起见，且应灵活地理解，不仅包含明确地指定为范围限制的数值，而且包含涵盖于所述范围内的所有个别数值或子范围，如同明确地指定每一数值及子范围一般。
[0032]再者，为便于描述，“第一”、“第二”、“第三”等等可在本文中用于区分一个图或一系列图的不同组件。“第一”、“第二”、“第三”等等不意欲描述对应组件。
[0033]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：线路层，具有相对设置的第一面和第二面，以及位于所述第一面和所述第二面之间并与所述第一面和所述第二面邻接的第三面；第一天线基板，设置在所述第一面上；第二天线基板，设置在所述第三面上；第一屏蔽层，设置在所述第二天线基板上并且邻近所述第三面；模制化合物，包覆所述线路层、所述第一天线基板和所述第二天线基板；重分布层，设置在所述第二面上，所述重分布层电连接至所述线路层和所述屏蔽层。2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：第三天线基板，位于所述线路层的所述第三面相对的第四面上；第二屏蔽层，设置在所述第三天线基板上并且邻近所述第四面。3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层具有开孔，所述开孔对应于馈入端口，所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层均接地。4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：芯片，设置在所述第二面上，所述芯片通过焊球与所述线路层电连接。5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述模制化合物设置在所述第一天线基板和所述第一面之间以及所述第二天线基...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄文宏，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：