半导体封装装置及其制造方法制造方法及图纸

本公开提供了半导体封装装置及其制造方法，通过设计半导体封装装置包括：第一基板，具有第一表面、与第一表面相对的第二表面及贯穿第一基板的容纳腔体，容纳腔体位于第二表面的底面设置有第一亲水结构层，第一亲水结构层的第一端靠近容纳腔体的第一侧面；芯片，设置于容纳腔体内，芯片非主动面设置有第二亲水结构层，芯片通过第一侧面的至少部分接触第一基板，第二亲水结构层贴合第一亲水结构层，第一亲水结构层的宽度大于第二亲水结构层的宽度的一半且小于第二亲水结构层的宽度，可在制程中将第二亲水结构层以水润湿，通过第一亲水结构层与第二亲水结构层之间水的表面张力拉动芯片，以使芯片准确定位。以使芯片准确定位。以使芯片准确定位。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装装置及其制造方法


[0001]本公开涉及半导体封装
，具体涉及半导体封装装置及其制造方法。

技术介绍

[0002]随着封装技术的演进，各式各样的封装装置亦推陈出新，随着整体尺寸的越来越小，集成的功能组件也越来越多。
[0003]现行内埋芯片的制程精度通常需要依赖芯片贴片制程(Pick&Place)时贴片机的精度，若芯片发生偏移，将影响到后续线路或其他制程的良品率。
[0004]除了改良贴片机的机械性能外，如何通过其他手段对芯片进行校正对位，是目前亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0005]第一方面，本公开提供了一种半导体封装装置，包括：
[0006]第一基板，具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面及贯穿所述第一基板的容纳腔体，所述容纳腔体位于所述第二表面的底面设置有第一亲水结构层，所述第一亲水结构层的第一端靠近所述容纳腔体的第一侧面；
[0007]芯片，设置于所述容纳腔体内，所述芯片非主动面设置有第二亲水结构层，所述芯片通过所述第一侧面的至少部分接触所述第一基板，所述第二亲水结构层贴合所述第一亲水结构层，所述第一亲水结构层的宽度大于所述第二亲水结构层的宽度的一半且小于所述第二亲水结构层的宽度。
[0008]在一些可选的实施方式中，所述第一基板的厚度大于所述芯片的厚度。
[0009]在一些可选的实施方式中，所述第一亲水结构层包括金属层和设置于所述金属层上的第一亲水层，所述第一亲水层在所述金属层与所述芯片之间。
>[0010]在一些可选的实施方式中，所述第二亲水结构层包括设置于所述非主动面的隔离层和设置于所述隔离层上的第二亲水层。
[0011]在一些可选的实施方式中，所述第一基板还包括导通孔，所述第一表面通过所述导通孔电连接所述第二表面。
[0012]在一些可选的实施方式中，所述装置还包括：
[0013]第二基板，设置于所述第一表面，所述第二基板与所述第一表面及所述芯片电连接。
[0014]在一些可选的实施方式中，所述装置还包括：
[0015]粘合层，设置于所述第二基板和所述第一基板之间。
[0016]在一些可选的实施方式中，所述粘合层还设置于所述容纳腔体内，所述粘合层包覆所述芯片。
[0017]在一些可选的实施方式中，所述装置还包括：
[0018]第三基板，设置于所述第二表面，且与所述第二表面电连接。
[0019]在一些可选的实施方式中，所述第二基板和/或所述第三基板为重布线层。
[0020]在一些可选的实施方式中，所述容纳腔体具有与所述第一侧面相邻的第二侧面，所述第一亲水结构层与第一端相邻的第二端靠近所述第二侧面，所述芯片通过所述第二侧面的至少部分接触所述第一基板。
[0021]在一些可选的实施方式中，所述容纳腔体在所述第一侧面与所述第二侧面相邻处具有凸起。
[0022]在一些可选的实施方式中，所述容纳腔体在所述第一侧面和/或所述第二侧面上具有凹槽。
[0023]在一些可选的实施方式中，所述容纳腔体垂直贯穿所述第一基板。
[0024]第二方面，本公开提供了一种制造半导体封装装置的方法，包括：
[0025]提供基板，在基板上开设容纳腔体，以形成第一基板，所述第一基板具有相对的第一表面和第二表面；
[0026]提供第一载板，第一载板上设置有对应所述第一基板的线路层，所述线路层包括金属层；
[0027]将所述第一基板设置于所述第一载板上；
[0028]形成穿过所述第一表面和所述第二表面的导通孔，以使所述第一表面通过所述导通孔电连接所述第二表面；
[0029]在所述金属层上设置第一亲水层，以形成第一亲水结构层；
[0030]提供芯片，所述芯片非主动面设置有第二亲水结构层，所述第一亲水结构层的宽度大于所述第二亲水结构层的宽度的一半并小于所述第二亲水结构层的宽度；
[0031]以水润湿所述第二亲水结构层，将所述芯片非主动面朝向所述第一亲水结构层放置于所述容纳腔体，通过所述第一亲水结构层与所述第二亲水结构层之间水的表面张力拉动所述芯片，以使所述芯片通过所述第一侧面的至少部分接触所述第一基板；
[0032]加热去除水，以使所述第二亲水结构层贴合所述第一亲水结构层。
[0033]在一些可选的实施方式中，上述方法还包括：
[0034]提供第二载板，所述第二载板上设置有粘合层；
[0035]将所述粘合层设置于所述第一基板上，移除所述第二载板。
[0036]在一些可选的实施方式中，上述方法还包括：
[0037]在所述粘合层上形成第二基板，所述第二基板与所述芯片电连接。
[0038]为解决现有内埋芯片的制程中芯片偏移校正的问题，本公开提供的半导体分装装置及其制造方法，通过在贯穿第一基板相对的第一表面和第二表面之间的容纳腔体底面设置第一亲水结构层，第一亲水结构层的第一端靠近容纳腔体的第一侧面，在芯片的非主动面设置第二亲水结构层，第一亲水结构层的宽度大于第二亲水结构层的宽度的一半且小于第二亲水结构层的宽度，在贴片的制程中，用水将第二亲水结构层润湿后，将芯片通过非主动面朝向第一亲水结构层放置于容纳腔体，第一亲水结构层与第二亲水结构层之间水的表面张力能够拉动芯片，以使芯片通过容纳腔体第一侧面的至少部分解除第一基板，进而实现对芯片位置的校正。
附图说明
[0039]通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本公开的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
[0040]图1A
‑
1I是根据本公开的半导体封装装置的不同实施例的纵向截面结构示意图；
[0041]图1J是图1B中虚线部分在一些实施例中的局部水平截面结构示意图；
[0042]图1K是根据本公开的半导体封装装置100b对应的各主要结构的尺寸标记示意图；
[0043]图2A
‑
2E、2G
‑
2J是根据本公开的一个实施例在各个阶段制造的半导体封装装置的截面图；
[0044]图2F是图2E中虚线部分的局部力学分析示意图。
[0045]符号说明：11
‑
第一基板；111
‑
第一表面；112
‑
第二表面；113
‑
容纳腔体；114
‑
导通孔；12
‑
芯片；121
‑
主动面；122
‑
非主动面；13
‑
第二基板；14
‑
第三基板；15
‑
粘合层；16
‑
第一阻焊层；17
‑
第二阻焊层；21
‑
第一亲水结构层；211
‑
金属层；212,
‑
第一亲水层；22
‑
第二亲水结构层；221...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装装置，包括：第一基板，具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面及贯穿所述第一基板的容纳腔体，所述容纳腔体位于所述第二表面的底面设置有第一亲水结构层，所述第一亲水结构层的第一端靠近所述容纳腔体的第一侧面；芯片，设置于所述容纳腔体内，所述芯片非主动面设置有第二亲水结构层，所述芯片通过所述第一侧面的至少部分接触所述第一基板，所述第二亲水结构层贴合所述第一亲水结构层，所述第一亲水结构层的宽度大于所述第二亲水结构层的宽度的一半且小于所述第二亲水结构层的宽度。2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一亲水结构层包括金属层和设置于所述金属层上的第一亲水层，所述第一亲水层在所述金属层与所述芯片之间。3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第二亲水结构层包括设置于所述非主动面的隔离层和设置于所述隔离层上的第二亲水层。4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一基板还包括导通孔，所述第一表面通过所述导通孔电连接所述第二表面。5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述装置还包括：第二基板，设置于所述第一表面，所述第二基板与所述第一表面及所述芯片电连接；粘合层，设置于所述第二基板和所述第一基板之间。6.根据权利要求5所述的装置，其中，所述粘合层还设置于所述容纳腔体内，所述粘合层包覆所述芯片。7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述容纳腔体具有与所述第一侧面相邻的第二侧面...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕文隆，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：