半导体结构及其形成方法技术

本发明专利技术的实施例提供了一种半导体结构，包括：基板，具有空腔；内埋件，位于空腔中，内埋件具有开孔部；突起部，延伸至开孔部。本发明专利技术的目的在于提供一种半导体结构及其形成方法，以提高半导体结构的良率。高半导体结构的良率。高半导体结构的良率。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本专利技术的实施例涉及半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]随着智能移动装置的发展与需求，其功能越来越多样，相应地，集成芯片(IC)的整合便更显重要，为了让封装件的尺寸再缩小，将主动组件、被动组件埋入基板中是一种主要的做法，埋入基板可以有效减少电传输路径，进一步将功率损耗降低，以利将各种功能的集成芯片整合成一颗小型的封装件。

技术实现思路

[0003]针对相关技术中存在的问题，本专利技术的目的在于提供一种半导体结构及其形成方法，以提高半导体结构的良率。
[0004]为实现上述目的，本专利技术的实施例提供了一种半导体结构，包括：基板，具有空腔；内埋件，位于空腔中，内埋件具有开孔部；突起部，延伸至开孔部。
[0005]在一些实施例中，突起部具有绝缘层。
[0006]在一些实施例中，突起部具有电镀形成的第一金属层，第一金属层设置在绝缘层上。
[0007]在一些实施例中，突起部具有化镀形成的第一金属层，第一金属层设置在绝缘层上。
[0008]在一些实施例中，突起部的高度小于开孔部的高度。
[0009]在一些实施例中，还包括：第一介电层，位于突起部和开孔部之间。
[0010]在一些实施例中，第一介电层中颗粒的直径小于5μm。
[0011]在一些实施例中，第一介电层还位于内埋件的顶面上以及位于内埋件和基板之间。
[0012]在一些实施例中，开孔部的直径比突起部的直径大25μm。
[0013]在一些实施例中，突起部的高度大于开孔部的高度，突起部的顶面与基板的顶面齐平。
[0014]本申请的实施例提供一种形成半导体结构的方法，包括：准备基板；对基板的第一表面开孔；填充开孔以形成突起部；移除突起部旁的第二介电层，以使突起部露出。
[0015]在一些实施例中，对基板的第一表面开孔包括：移除基板上的第二金属层和第二介电层的部分。
[0016]在一些实施例中，在形成突起部后，移除第一表面上的第二金属层。
[0017]在一些实施例中，突起部包含在开孔的孔壁上形成的第一金属层。
[0018]在一些实施例中，对孔壁进行化镀以形成第一金属层。
[0019]在一些实施例中，对孔壁进行电镀以形成第一金属层。
[0020]在一些实施例中，突起部的形成还包括在第一金属层中填充绝缘层。
[0021]在一些实施例中，还包括：在内埋件的无效区制造开孔部。
[0022]在一些实施例中，还包括：将内埋件设置在基板中，突起部延伸至开孔部。
[0023]在一些实施例中，内埋件为无源器件。
附图说明
[0024]当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本专利技术的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。
[0025]图1至图8示出了本申请的半导体结构的形成过程的截面图。
[0026]图9示出了本申请的半导体结构的俯视图。
具体实施方式
[0027]为更好的理解本申请实施例的精神，以下结合本申请的部分优选实施例对其作进一步说明。
[0028]本申请的实施例将会被详细的描示在下文中。在本申请说明书全文中，将相同或相似的组件以及具有相同或相似的功能的组件通过类似附图标记来表示。在此所描述的有关附图的实施例为说明性质的、图解性质的且用于提供对本申请的基本理解。本申请的实施例不应该被解释为对本申请的限制。
[0029]如本文中所使用，术语“大致”、“大体上”、“实质”及“约”用以描述及说明小的变化。当与事件或情形结合使用时，所述术语可指代其中事件或情形精确发生的例子以及其中事件或情形极近似地发生的例子。举例来说，当结合数值使用时，术语可指代小于或等于所述数值的
±
10％的变化范围，例如小于或等于
±
5％、小于或等于
±
4％、小于或等于
±
3％、小于或等于
±
2％、小于或等于
±
1％、小于或等于
±
0.5％、小于或等于
±
0.1％、或小于或等于
±
0.05％。举例来说，如果两个数值之间的差值小于或等于所述值的平均值的
±
10％(例如小于或等于
±
5％、小于或等于
±
4％、小于或等于
±
3％、小于或等于
±
2％、小于或等于
±
1％、小于或等于
±
0.5％、小于或等于
±
0.1％、或小于或等于
±
0.05％)，那么可认为所述两个数值“大体上”相同。
[0030]在本说明书中，除非经特别指定或限定之外，相对性的用词例如：“中央的”、“纵向的”、“侧向的”、“前方的”、“后方的”、“右方的”、“左方的”、“内部的”、“外部的”、“较低的”、“较高的”、“水平的”、“垂直的”、“高于”、“低于”、“上方的”、“下方的”、“顶部的”、“底部的”以及其衍生性的用词(例如“水平地”、“向下地”、“向上地”等等)应该解释成引用在讨论中所描述或在附图中所描示的方向。这些相对性的用词仅用于描述上的方便，且并不要求将本申请以特定的方向建构或操作。
[0031]另外，有时在本文中以范围格式呈现量、比率和其它数值。应理解，此类范围格式是用于便利及简洁起见，且应灵活地理解，不仅包含明确地指定为范围限制的数值，而且包含涵盖于所述范围内的所有个别数值或子范围，如同明确地指定每一数值及子范围一般。
[0032]再者，为便于描述，“第一”、“第二”、“第三”等等可在本文中用于区分一个图或一系列图的不同组件。“第一”、“第二”、“第三”等等不意欲描述对应组件。
[0033]下面参见附图，对本申请的半导体结构及其形成方法进行阐述。
[0034]参见图1，本申请的实施例提供一种形成半导体结构的方法，包括：准备基板10，基板10包括第二介电层12和第二金属层14，第二介电层12位于第二金属层14的中间；对基板10的第一表面11开孔。在一些实施例中，对基板10的第一表面11开孔包括：移除基板10上的第二金属层14和第二介电层12的部分。
[0035]参见图2，对开孔处进行化镀或电镀，以形成位于孔壁上的第一金属层20，在实施例中，第一金属层20和第二金属层14具有相同材料。
[0036]参见图3，进一步使用绝缘层30填充开孔以形成突起部32，突起部包括绝缘层30和在开孔的孔壁上形成的第一金属层20。
[0037]参见图4，在一些实施例中，在形成突起部32后，移除第一表面11上的第二金属层14。
[0038]参见图5，移除突起部32旁的第二介电层12，以使突起部32露出。
[0039]参见图6，在一些实施例中，还包括本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基板，具有空腔；内埋件，位于所述空腔中，所述内埋件具有开孔部；突起部，延伸至所述开孔部。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述突起部具有绝缘层和第一金属层，所述第一金属层设置在所述绝缘层上。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述突起部的高度小于所述开孔部的高度。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：第一介电层，位于所述突起部和所述开孔部之间。5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述突起部的高度大于所述开孔部的高度，所述突起部的顶面与所述基板的顶面齐平。6.一种形成半导体结构的方法，其特征在于，包括：准备基板；...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄文宏，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：