半导体封装装置及其制造方法制造方法及图纸

本公开涉及半导体封装装置及其制造方法。该半导体封装装置包括：基材，基材上设置有沟槽，沟槽内由外层向中心依次设置有第一磁性材和第一金属材；第二磁性材，位于沟槽的开口的上方；第一磁性材、第一金属材和第二磁性材共同形成电感结构。该半导体封装装置可形成沟槽式的电感结构，能够有效减小电感结构的厚度并使基材表面平坦，进而减小电子设备的整体尺寸。此外，该半导体封装装置无需借助剥离制程形成，能够避免剥离制程产生的气体污染或者金属残留等问题，有利于提高产品良率。有利于提高产品良率。有利于提高产品良率。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装装置及其制造方法


[0001]本公开涉及半导体封装
，具体涉及半导体封装装置及其制造方法。

技术介绍

[0002]由于单芯片电感器(on
‑
chip inductor)的结构特殊，为避免使用蚀刻制程对此结构造成不必要的损伤而影响整体的良率，需要借助剥离(Lift
‑
off)制程形成需求的结构。
[0003]剥离(Lift
‑
off)制程即是在光刻制程后将金属蒸镀上去，再将牺牲层溶解以剥离其他区域的金属附着，从而形成需求的金属图案。剥离制程能够有效应用在无法采用蚀刻制程的场景中。然而在剥离制程中，牺牲层(例如光阻)进入真空设备后容易在形成金属层时产生气体污染(outgasing)，从而影响金属与基材的接合效果。此外，如果牺牲层的的开口角度不足，其将无法被有效去除，进而导致其表面的金属层残留，造成产品损失(产品损失率例如大于20％)。
[0004]因此，有必要提出一种新的技术方案以解决上述至少一个技术问题。

技术实现思路

[0005]本公开提供了半导体封装装置及其制造方法。
[0006]第一方面，本公开提供了一种半导体封装装置，包括：
[0007]基材，所述基材上设置有沟槽，所述沟槽内由外层向中心依次设置有第一磁性材和第一金属材；
[0008]第二磁性材，位于所述沟槽的开口的上方；
[0009]所述第一磁性材、所述第一金属材和所述第二磁性材共同形成电感结构。
[0010]在一些可选的实施方式中，所述半导体封装装置还包括：第一绝缘材，位于所述第一磁性材和所述第一金属材之间。
[0011]在一些可选的实施方式中，所述半导体封装装置还包括：第二绝缘材，覆盖所述沟槽的开口并至少部分包覆所述第二磁性材。
[0012]在一些可选的实施方式中，所述半导体封装装置还包括：第三绝缘材，位于所述第一磁性材的外表面与所述凹槽的内表面之间。
[0013]在一些可选的实施方式中，所述第一磁性材、所述第一金属材和所述第一绝缘材的上表面共面。
[0014]在一些可选的实施方式中，所述第二磁性材的上表面和所述第二绝缘材的上表面共面，所述第二磁性材的上表面暴露在外。
[0015]在一些可选的实施方式中，所述第二磁性材和所述第一金属材之间存在间隔，所述间隔被所述第二绝缘材填充。
[0016]在一些可选的实施方式中，所述半导体封装装置还包括：
[0017]第二金属材，位于所述第三绝缘材的外表面；
[0018]所述第一金属材、所述第一绝缘材、所述第一磁性材、所述第三绝缘材和所述第二
金属材共同形成电容结构。
[0019]在一些可选的实施方式中，所述半导体封装装置还包括：
[0020]第四绝缘材，位于所述第二金属材的外表面和所述凹槽的内表面之间。
[0021]在一些可选的实施方式中，所述基材的材料为聚酰亚胺或者二氧化硅。
[0022]在一些可选的实施方式中，所述第一金属材的纵向截面的形状为方形、圆形或者三角形。
[0023]第二方面，本公开提供了一种半导体封装装置的制造方法，包括：
[0024]在基材上形成沟槽；
[0025]在所述沟槽内由外层向中心依次形成第三绝缘材、第一磁性材、第一绝缘材和第一金属材；
[0026]在所述沟槽上方形成第二绝缘材；
[0027]在所述第二绝缘材内形成第二磁性材，其中，所述第一磁性材、所述第一金属材和所述第二磁性材共同形成电感结构。
[0028]在一些可选的实施方式中，所述在所述沟槽内由外层向中心依次形成第三绝缘材、第一磁性材、第一绝缘材和第一金属材，包括：
[0029]在所述沟槽内形成所述第三绝缘材；
[0030]在所述第三绝缘材的表面形成所述第一磁性材；
[0031]在所述第一磁性材的表面形成所述第一绝缘材；
[0032]在所述第一绝缘材的表面形成所述第一金属材。
[0033]在一些可选的实施方式中，所述在所述沟槽上方形成第二绝缘材，包括：
[0034]通过抛光使所述基材、所述第三绝缘材、所述第一磁性材、所述第一绝缘材和所述第一金属材的上表面平齐；
[0035]在抛光后的所述上表面形成所述第二绝缘材。
[0036]在一些可选的实施方式中，所述在所述第二绝缘材内形成第二磁性材，包括：
[0037]在所述第二绝缘材的表面形成开孔；
[0038]在所述开孔内形成所述第一磁性材；
[0039]通过抛光减小所述第二绝缘材的厚度，只保留位于所述开孔底部的所述第一磁性材。
[0040]在本公开提供的半导体封装装置及其制造方法中，通过在基材上设置沟槽，并且在沟槽内设置第一磁性材和第一金属材，在沟槽开口的上方设置第二磁性材，可形成沟槽式的电感结构，能够有效减小电感结构的厚度并使基材表面平坦，进而减小电子设备的整体尺寸。此外，本公开提供的半导体封装装置无需借助剥离制程形成，能够避免剥离制程产生的气体污染或者金属残留等问题，有利于提高产品良率。
附图说明
[0041]通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本公开的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
[0042]图1A和图1B是现有技术中半导体封装装置的示意图；
[0043]图2
‑
图4是根据本专利技术实施例的半导体封装装置的第一示意图至第三示意图；
[0044]图5
‑
图13是根据本专利技术实施例的半导体封装装置的制造方法的示意图。
[0045]符号说明：
[0046]11、基板；12、磁膜；13、光阻；100、基材；210、第一磁性材；220、第二磁性材；310、第一金属材；320、第二金属材；410、第一绝缘材；420、第二绝缘材；430、第三绝缘材；440、第四绝缘材；800、开孔；900、沟槽。
具体实施方式
[0047]下面结合附图和实施例对说明本专利技术的具体实施方式，通过本说明书记载的内容本领域技术人员可以轻易了解本专利技术所解决的技术问题以及所产生的技术效果。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关专利技术，而非对该专利技术的限定。另外，为了便于描述，附图中仅示出了与有关专利技术相关的部分。
[0048]需要说明的是，说明书附图中所绘示的结构、比例、大小等，仅用于配合说明书所记载的内容，以供本领域技术人员的了解与阅读，并非用以限定本专利技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本专利技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本专利技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“第一”、“第二”及“一”等用语，也仅为便于叙述的明了，而非用以限定本专利技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当也视为本专利技术可实施的范畴。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装装置，包括：基材，所述基材上设置有沟槽，所述沟槽内由外层向中心依次设置有第一磁性材和第一金属材；第二磁性材，位于所述沟槽的开口的上方；所述第一磁性材、所述第一金属材和所述第二磁性材共同形成电感结构。2.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述半导体封装装置还包括：第一绝缘材，位于所述第一磁性材和所述第一金属材之间。3.根据权利要求2所述的半导体封装装置，其中，所述半导体封装装置还包括：第二绝缘材，覆盖所述沟槽的开口并至少部分包覆所述第二磁性材。4.根据权利要求3所述的半导体封装装置，其中，所述半导体封装装置还包括：第三绝缘材，位于所述第一磁性材的外表面与所述凹槽的内表面之间。5.根据权利要求3所述的半导体封装装置，其中，所述第二磁性材的上表面和所述第二绝缘材的上表面共面，所述第二磁性材的上表面暴露在外。6.根据权利要求3所述的半导体封装装置，其中，所述第二磁性材和所述第一金属材之间存在间隔，所述间隔被所述第二绝缘材填充。7.一种半导体封装装置的制造方法，包括：在基材上形成沟槽；在所述沟槽内由...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈佾捷，张育勋，张皇贤，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：