本公开提供的半导体结构及其制造方法,通过设计一校正模具辅助电子组件定位,同时为了避免电子组件在校正过程中受到损伤,分别在校正模具和电子组件上制作相应的倒角,电子组件可以沿着倒角进行移动校正,以提高定位精度。以提高定位精度。以提高定位精度。
【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制造方法
[0001]本公开涉及半导体
,具体涉及半导体结构及其制造方法。
技术介绍
[0002]目前,在内埋电子组件时大多需依靠拾取(Pick
‑
and
‑
Place)装置来控制电子组件的定位精度,若电子组件偏移,将会影响到后续线路或其他制程的良率。目前的主要技术手段为改良拾取装置的拾取精度。
技术实现思路
[0003]本公开提供了半导体结构及其制造方法。
[0004]第一方面,本公开提供了一种半导体结构,该半导体结构包括:第一电子组件,具有相对的第一表面和第二表面,第二表面具有倒角;第一线路层,设于第一表面上且电性连接第一电子组件。
[0005]在一些可选的实施方式中,倒角从第二表面延伸至第二表面与第一表面之间的侧面。
[0006]在一些可选的实施方式中,倒角的角度在30度到85度之间。
[0007]在一些可选的实施方式中,该半导体结构还包括:第二电子组件,邻近第一电子组件,第一电子组件与第二电子组件之间的水平距离大于倒角投影到水平方向上的直角边的长度。
[0008]在一些可选的实施方式中,该半导体结构还包括:模封层,包覆第一电子组件,模封层具有相对的第三表面和第四表面。
[0009]在一些可选的实施方式中,模封层暴露出第一电子组件的倒角。
[0010]在一些可选的实施方式中,模封层覆盖第一电子组件的倒角。
[0011]在一些可选的实施方式中,该半导体结构还包括:基板,电性连接第一线路层。
[0012]在一些可选的实施方式中,基板具有通孔,第一电子组件设于通孔中,模封层填充第一电子组件与通孔之间的空隙。
[0013]在一些可选的实施方式中,倒角为圆弧倒角。
[0014]在一些可选的实施方式中,该半导体结构还包括:第一阻焊层,设于第一线路层上,第一阻焊层具有多个第一开孔,从第一开孔暴露出的第一线路层构成第一导电衬垫。
[0015]在一些可选的实施方式中,该半导体结构还包括:第二线路层,设于第四表面,第二线路层与基板电性连接;第二阻焊层,设于第二线路层上,第二阻焊层具有多个第二开孔,从第二开孔暴露出的第二线路层构成第二导电衬垫。
[0016]第二方面,本公开提供了一种半导体结构的制造方法,该方法包括:提供第一载体,第一载体具有上表面;将第一电子组件设于上表面;利用校正模具对第一电子组件施力,以校正第一电子组件的水平位置。
[0017]在一些可选的实施方式中,第一电子组件与校正模具分别具有相对应的倒角。
[0018]在一些可选的实施方式中,上表面为真空吸台或胶带。
[0019]在一些可选的实施方式中,该方法还包括:提供基板;在基板设置通孔;将基板设于上表面,以使第一电子组件置于通孔中。
[0020]在一些可选的实施方式中,该方法还包括:形成包覆基板和第一电子组件以及填充通孔与第一电子组件之间空隙的模封层。
[0021]在一些可选的实施方式中,第一电子组件的倒角是通过以下步骤形成的:在第二载体上设置晶圆,晶圆具有主动面和背面;利用第一刀具对主动面半切,以断开电性连接;翻面将晶圆固定于第三载体上;利用具有刀具倒角的第二刀具对背面切削,以分离晶圆并在背面形成倒角,得到具有倒角的第一电子组件。
[0022]在一些可选的实施方式中,模封层具有相对的第三表面和第四表面。
[0023]在一些可选的实施方式中,该方法还包括:在第三表面上设置第一线路层,第一线路层分别与第一电子组件、基板电性连接;在第一线路层上设置第一防焊层;在第一防焊层上设置多个开口,从开口暴露出的第一线路层构成第一导电衬垫。
[0024]在一些可选的实施方式中,该方法还包括:在第四表面上设置第二线路层,第二线路层与基板电性连接;在第二线路层上设置第二防焊层;在第二防焊层上设置多个开口,从开口暴露出的第二线路层构成第二导电衬垫。
[0025]为了解决由于电子组件偏移而影响后续线路或其他制程的良率的技术问题,本公开提供的半导体结构及其制造方法,通过设计一校正模具辅助电子组件定位,同时为了避免电子组件在校正过程中受到损伤,分别在校正模具和电子组件上制作相应的倒角,电子组件可以沿着倒角进行移动校正,以提高定位精度。另外,本公开提供的半导体结构及其制造方法还可以对两个及两个以上的电子组件同时进行校正。
附图说明
[0026]通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述,本公开的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
[0027]图1
‑
图6是根据本公开的半导体结构的第一结构示意图至第六结构示意图;
[0028]图7A到图7O是根据本公开的半导体结构的制造过程中的结构示意图。
[0029]符号说明:
[0030]1‑
第一电子组件,11
‑
倒角,12
‑
第一表面,13
‑
第二表面,121
‑
侧面,2
‑
第二电子组件,21
‑
第二倒角,3
‑
第一线路层,31
‑
第一导电衬垫,4
‑
模封层,41
‑
模封材,42
‑
第三表面,43
‑
第四表面,5
‑
基板,51
‑
通孔,52
‑
重布线层,6
‑
第二线路层,61
‑
第二导电衬垫,7
‑
第一防焊层,8
‑
第二防焊层,9
‑
校正模具,91
‑
模具倒角,10
‑
底部填充材,141
‑
第二载体,14
‑
第三载体,15
‑
晶圆,16
‑
第一刀具,17
‑
第二刀具,171
‑
刀具倒角,18
‑
第一载体,181
‑
上表面,19
‑
冲孔模具,20
‑
第四载体,θ
‑
倒角角度。
具体实施方式
[0031]下面结合附图和实施例对说明本公开的具体实施方式,通过本说明书记载的内容本领域技术人员可以轻易了解本公开所解决的技术问题以及所产生的技术效果。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关专利技术,而非对该专利技术的限定。另外,为了
便于描述,附图中仅示出了与有关专利技术相关的部分。
[0032]需要说明的是,说明书附图中所绘示的结构、比例、大小等,仅用于配合说明书所记载的内容,以供本领域技术人员的了解与阅读,并非用以限定本公开可实施的限定条件,故不具技术上的实质意义,任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整,在不影响本公开所能产生的功效及所能达成的目本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构,包括:第一电子组件,具有相对的第一表面和第二表面,所述第二表面具有倒角;第一线路层,设于所述第一表面上且电性连接所述第一电子组件。2.根据权利要求1所述的半导体结构,其中,所述倒角从所述第二表面延伸至所述第二表面与所述第一表面之间的侧面。3.根据权利要求1所述的半导体结构,其中,所述半导体结构还包括:模封层,包覆所述第一电子组件。4.根据权利要求3所述的半导体结构,其中,所述半导体结构还包括:基板,电性连接所述第一线路层,所述基板具有通孔,所述第一电子组件设于所述通孔中,所述模封层填充所述第一电子组件与所述通孔之间的空隙。5.一种制造半导体结构的方法,包括:提供第一载体,所述第一载体具有上表面;将第一电子组件设于所述上表面;利用校正模具对所述第一电子组件施力,以校正所述第一电子组件的水平位置。6.根据权利要求5所述的方...
【专利技术属性】
技术研发人员:吕文隆,
申请(专利权)人:日月光半导体制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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