半导体设备封装和其制造方法技术

本公开提供了一种半导体设备封装。所述半导体设备封装包含天线层、第一电路层和第二电路层。所述天线层具有第一热膨胀系数CTE。所述第一电路层安置在所述天线层之上。所述第一电路层具有第二CTE。所述第二电路层安置在所述天线层之上。所述第二电路层具有第三CTE。所述第一CTE与所述第二CTE之间的差值小于所述第一CTE与所述第三CTE之间的差值。一CTE与所述第三CTE之间的差值。一CTE与所述第三CTE之间的差值。

【技术实现步骤摘要】
半导体设备封装和其制造方法


[0001]本公开总体上涉及一种半导体设备封装和其制造方法，并且涉及一种包含天线的半导体设备封装。

技术介绍

[0002]具有用于信号(例如，射频(RF)信号)发射的天线的一或多个半导体设备封装可以包含天线层和电连接到所述天线层的RF路由层。为了提高天线层的辐射效率，天线层通常具有介电常数(Dk)和损耗角正切或耗散因子(Df)相对较低的衬底，所述衬底与RF路由层的衬底不同。这种不平衡的结构将在制造工艺期间引起翘曲问题，所述翘曲问题可能导致半导体设备封装的故障。

技术实现思路

[0003]在一或多个实施例中，一种半导体设备封装包含天线层、第一电路层和第二电路层。所述天线层具有第一热膨胀系数(CTE)。所述第一电路层安置在所述天线层之上。所述第一电路层具有第二CTE。所述第二电路层安置在所述天线层之上。所述第二电路层具有第三CTE。所述第一CTE与所述第二CTE之间的差值小于所述第一CTE与所述第三CTE之间的差值。
[0004]在一或多个实施例中，一种半导体设备封装包含衬底、第一电路层和第二电路层。所述衬底具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面。所述第一电路层安置在所述衬底的所述第一表面上。所述第一电路层具有第一导电层和至少部分地覆盖所述第一导电层的第一介电层。所述第二电路层安置在所述衬底的所述第一表面上。所述第二电路层具有第二导电层和至少部分地覆盖所述第二导电层的第二介电层。所述第一介电层的介电常数(Dk)小于所述第二介电层的Dk。
[0005]在一或多个实施例中，一种制造半导体设备封装的方法包含：(a)提供天线衬底，所述天线衬底具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面；(b)在所述衬底的所述第一表面上连接第一电路层；(c)在所述衬底的所述第一表面上连接第二电路层；以及(d)形成封装体，以覆盖所述第一电路层和所述第二电路层，其中所述封装体进一步在所述第一电路层与所述第二层之间延伸。
附图说明
[0006]当与附图一起阅读以下详细描述时，可以根据以下详细描述容易地理解本公开的各方面。应当注意的是，各种特征可能不一定按比例绘制。为了讨论的清楚起见，可以任意增大或减小各种特征的尺寸。
[0007]图1A展示了根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的横截面视图。
[0008]图1B展示了根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的俯视图。
[0009]图1C展示了根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的俯视图。
[0010]图1D展示了根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的俯视图。
[0011]图2A展示了根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的横截面视图。
[0012]图2B展示了根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的俯视图。
[0013]图2C展示了根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的俯视图。
[0014]图2D展示了根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的俯视图。
[0015]图2E展示了根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的横截面视图。
[0016]图3展示了根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的横截面视图。
[0017]图4A展示了根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的横截面视图。
[0018]图4B展示了根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的横截面视图。
[0019]图5A、图5B、图5C和图5D展示了根据本公开的一些实施例的制造半导体设备封装的方法的一或多个阶段。
[0020]图6A、图6B和图6C展示了根据本公开的一些实施例的制造半导体设备封装的方法的一或多个阶段。
[0021]贯穿附图和详细描述，使用了共同的附图标记来指示相同或类似的元件。根据以下结合附图进行的详细描述，本公开将更加明显。
具体实施方式
[0022]以下公开提供了用于实施所提供主题的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述了组件和布置的具体实例。当然，这些仅仅是实例并且不旨在是限制性的。在本公开中，对在第二特征之上或上形成第一特征的引用可以包含将第一特征和第二特征被形成为直接接触的实施例，并且还可以包含可以在第一特征与第二特征之间形成另外的特征使得第一特征和第二特征可以不直接接触的实施例。此外，本公开可以在各个实例中重复附图标记和/或字母。这种重复是为了简单和清晰起见并且本身并不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。
[0023]下文详细讨论了本公开的实施例。然而，应当理解的是，本公开提供了许多可以在各种各样的特定上下文中具体化的适用概念。所讨论的具体实施例仅是说明性的，而不限制本公开的范围。
[0024]图1A展示了根据本公开的一些实施例的半导体设备封装1的横截面视图。半导体设备封装1包含衬底10、天线层11、电路层12、13、电子组件14和封装体15。
[0025]衬底10具有表面101和与表面101相反的表面102。衬底10可以为例如印刷电路板，如纸基铜箔层压板、复合铜箔层压板或聚合物浸渍的玻璃纤维基铜箔层压板。在一些实施例中，衬底10可以是包含芯层和导电材料和/或结构的多层衬底。例如，衬底10包含芯部分，并且可以属于晶圆类型、面板类型或条带类型。衬底10可以包含一或多个导电层10p1、10p2，所述导电层靠近衬底10的两个表面(例如，表面101和102)、邻近所述表面或嵌入在所述表面中并且暴露在所述表面处。在一些实施例中，衬底10包含穿透衬底10的通孔10v，以将导电层10p1与导电层10p2电连接。在一些实施例中，保护层10d(例如，调平层)可以安置在衬底10的表面101上以覆盖导电层10p1。例如，导电层10p1的侧面和上表面可以被保护层10d覆盖并且与所述保护层接触。
[0026]在一些实施例中，衬底10或衬底10的一部分和天线层11可以充当天线区域。在一
些实施例中，衬底10的通孔10v可以充当天线区域的馈电通孔(或馈电端口)。衬底10的厚度可以充当用于由天线区域发射或从天线区域接收的RF信号的谐振器(或谐振腔)的高度。
[0027]天线层11安置在衬底10的表面102上。在一些实施例中，天线层11与衬底10接触。例如，天线层11与衬底10的表面102接触。天线层11包含一或多个导电层11c1、11c2和一或多个介电层11d。导电层11c的一部分由介电层11d覆盖或包封，而导电层11c的另一部分从介电层11d暴露。在一些实施例中，介电层11d可以覆盖衬底10的导电层10p2。例如，导电层10p2与介电层11d接触。在一些实施例中，导电层11c1、11c2限定或包含天线方向图。导电层11c1、11c2可以电磁耦合到衬底10(例如，耦合到导电层10p2)以进行信号传输。在一些实施例中，保护层11s(例如，阻焊剂)以背对衬底10的方式安置在介电层11d的表面上，以覆盖导电层11c2的一部分。
[0028]在一些实施例中，介电层11d可以包含预浸渍复合纤维(例如，预浸料)、硼磷本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体设备封装，其包括：天线层，所述天线层具有第一热膨胀系数CTE；第一电路层，所述第一电路层安置在所述天线层之上，所述第一电路层具有第二CTE；以及第二电路层，所述第二电路层安置在所述天线层之上，所述第二电路层具有第三CTE，其中所述第一CTE与所述第二CTE之间的差值小于所述第一CTE与所述第三CTE之间的差值。2.根据权利要求1所述的半导体设备封装，其中所述第一电路层安置成邻近所述第二电路层，并且所述第一电路层和所述第二电路层相对于所述天线层安置在同一高度处。3.根据权利要求2所述的半导体设备封装，其中所述第一电路层围绕所述第二电路层。4.根据权利要求1所述的半导体设备封装，其中所述第一电路层与所述第二电路层接触。5.根据权利要求1所述的半导体设备封装，其进一步包括：封装体，所述封装体覆盖所述第一电路层和所述第二电路层。6.根据权利要求5所述的半导体设备封装，其中所述封装体进一步在所述第一电路层与所述第二层之间延伸。7.根据权利要求1所述的半导体设备封装，其进一步包括：衬底，所述衬底具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面，其中所述第一电路层和所述第二电路层安置在所述衬底的所述第一表面上，所述天线层安置在所述衬底的所述第二表面上，并且所述天线层和所述衬底的至少一部分限定天线区域。8.根据权利要求7所述的半导体设备封装，其中所述衬底包括：第一导电层，所述第一导电层安置在所述衬底的所述第一表面上；第二导电层，所述第二导电层安置在所述衬底的所述第二表面上；以及馈电通孔，所述馈电通孔穿透所述衬底并且将所述第一导电层与所述第二导电层电连接。9.根据权利要求8所述的半导体设备封装，其中所述第一电路层包括：第三导电层；第一介电层，所述第一介电层至少部分地覆盖所述第三导电层；以及第一通孔，所述第一通孔穿透所述第一介电层和第一调平层，以电连接到所述第一导电层。10.根据权利要求9所述的半导体设备封装，其进一步包括：第一调平层，所述第一调平层安置在所述衬底的所述第一表面上并且覆盖所述第一导电层。11.根据权利要求10所述的半导体设备封装，其进一步包括：第一粘性层，所述第一粘性层将所述第一电路层连接到所述第一调平层，其中所述第一通孔进一步穿透...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄文宏，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：