本发明提供一种半导体器件，制造该半导体器件的方法，和所使用的一种引线架。在该半导体器件中扁平内引线这样连接到半导体晶片上，以致内引线的侧面连接到半导体晶片上。

提供了一种半导体器件的制造方法，它能在一层夹层介质层的窗孔内形成一个导体塞而又不致出现任何空隙，在第一夹层介质层上形成第一布线层之后，在第一夹层介质层上形成第二夹层介质层盖住第一布线层。在第二夹层介质层中形成第一窗孔。在第二夹层介质层上...

一种静电式夹盘，其能应用于如外延装置或刻蚀装置，用于静电式夹持半导体衬底或晶片。夹盘包括用于静电式在其上保持晶片的一平台。多升降针杆能够提升以上推晶片。安置在平台上的多释放针杆用于上推晶片的周缘部分。多驱动机构分别在晶片允许的弹性变形范...

这里公开了用超高真空ＣＶＤ在硅衬底上外延生长硅或硅－锗合金膜的方法。该方法防止在用氢氟酸水溶液进行预处理以去除衬底表面上的氧化膜的情况下，在外延膜与硅衬底界面上存在高浓度碳。外延膜生长的温度规定在６５０℃至８００℃。该温度条件下，使外延...

一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤；制备树脂制成的有机层（１０１），树脂选自由聚酰亚胺树脂和氟树脂组成的材料群，其相对介电常数在１．８至３．５的范围，有机层上有一沟槽；将第一金属（１０５）埋设在沟槽中；在有机层上形成含氟氧化硅层（１...

本发明揭示了一种复合式ＳＯＩ基片，其容许通过使用传统可见光校准器，对埋于ＳＯＩ基片内的绝缘体膜图型及在ＳＯＩ基片层上形成的图型进行高精度校准。复合式ＳＯＩ基片是通过在第一硅基片１０的主表面边缘上形成校准氧化物薄膜图型１ａ；制备在其边缘有...

本发明公开用于ＤＲＡＭ存贮器中的含电容器的半导体器件及其制作方法，该电容器包括其间插入电容器介质薄膜的第一和第二电容器电极，其第一电容器电极包括导体电极（５３）和盘形导体层（５７），导体层（５７）被导体电极托架并包括垂直于电极轴延伸的、...

一磁致电阻元件通常包括：依次相连的一抗铁磁性层、一第一铁磁性层、一非磁性层和一第二铁磁性层。代替非磁性层，磁致电阻元件可以包括一钴层、一非磁性层和一钴层的组合层。抗铁磁性层是由镍氧化物、镍氧化物和钴氧化物的混合物、或镍氧化物和钴氧化物的...

在半导体衬底上形成电容器的方法，包括：相继形成覆盖该衬底的第１绝缘膜、第１导电膜、电介质膜、第２导电膜、第２绝缘膜、第１光刻胶材料。经曝光和显影确定第１光刻胶图形。用此图形作掩模，各向异性腐蚀电介质膜、第２导电膜和第２绝缘膜以确定顶电极...

半导体设备的制造方法，包括以下步骤：半导体衬底１上形成的金属布线２上形成层绝缘膜５的步骤：所述层绝缘膜５上形成的抗反射涂层１０上形成光致抗蚀剂层１１的步骤，和用曝光的抗蚀剂膜１１作掩膜，腐蚀抗反射涂层１０和层绝缘膜５的步骤。

一种半导体器件的制造方法，其中的半导体衬底上具有主表面和目的氧化膜。将该衬底在氧化气氛中热处理一预定时间以在主表面上形成临时氧化膜。接着将其放在还原气氛中以除去临时氧化膜而露出作为半导体衬底的露出表面。之后，在该露出表面上形成目的氧化物...

提供了一种平整半导体集成电路中夹层介质的方法，它能以高生产率去除剩余介质层而不去除介质层表面本身。在半导体底层表面形成一层绝缘层之后，在绝缘层上形成一层互连层，再在其上形成覆盖介质层。与互连层位置对应处有介质层突起，接着在介质层上形成一...

一种电子束曝光掩模，此掩模包括一基片，该基片具有一第一区域和第二区域，在第一区域内形成第一组多个单元孔径，在第二区域内形成第二组多个单元孔径。被辐射到第一区域的带电束的偏转角小于基准角。被辐射到第二区域的带电束的偏转角大于或等于基准角。...

本发明的目的是要提供一种对外来过电压具有高的保护性能的半导体装置。该装置在其模拟开关３０中具有一个其漏极端子连接于一个Ｐ型传输门４的外侧中的Ｐ型扩散层，并且其栅极和源极端子连接于电源电位的Ｐ型虚拟晶体管１１，和一个其漏极端子连接于一个Ｎ...

一种湿法处理装置包括使用第一种化学试剂进行第一种工艺的第一操作室（１）和使用第二种化学试剂进行第二种工艺的第二操作室（２），位于第一和第二操作室之间用于接收纯水的分离池（３’）。以及，可移动隔板（４’）设置在第一和第二操作室之间，将第一...

搜索存储器大规模集成电路的特定存储单元的方法，用于参考对应于对多个重复配置的存储单元的阵列结构的集成电路上进行电气测试的结果输出的逻辑地址的物理地址部分操作为存储器大规模集成电路进行分析、处理或观测。此外，参考包含存储单元的阵列结构的端...

公开了一种在晶片工艺环境中输送多片晶片的晶片容器，它包括在其对边相互平行设置的一对端板。晶片容器还包括供支撑多片晶片的支架。晶片支架有相互平行的两个相对侧壁并沿垂直于成对端板的方向伸展。每一侧壁有两个端部分别固接到两个端板上以构成晶片容...

本发明公开了一种引线在芯片上的结构的半导体器件，它有一块在其上设有多个焊接点的半导体芯片和在半导体芯片上配置的多条引线，每条引线包含外引线与内引线，并有形成在内引线尖端用焊线与一个焊接点相连的压合部位；其中有至少一条内引线和至少一条内引...

一种在金属膜形成后及在金属膜加工图形前立即测试半导体器件而不损坏基片的方法。它先将基片分为产品区及测试图形区。再在基片上形成绝缘膜。再后，在绝缘膜内及在产品区和测试图形区上形成窗孔。接着，在窗孔内及在绝缘膜上形成金属膜。最后对金属膜进行...

在第１层间绝缘膜上形成布线层。在布线层上形成氧化膜。对氧化膜刻图形成相当于布线之间间隔的间隔。之后，用留在布线层上的氧化膜作掩模，腐蚀布线层和第１层间绝缘膜的表面层。此时，用布线层形成用间隔使其相互隔开的两条布线。之后，用偏压ＥＣＲ膜淀...