【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及分析、处理和观测具有内部存储器单元的大规模集成电路(LSI)。在存储器大规模集成电路的生产过程中，为了弄清楚引起所制造的晶片表面的缺陷，至今一直用扫描电子显微镜精密观测大规模集成电路的有缺陷部分，用聚焦离子束(FIB)切割大规模集成电路之后观测大规模集成电路的剖面，以及用诸如电子束探测微量分析(EPMA)等方法对大规模集成电路进行综合分析。为了对大规模集成电路的有缺陷部分进行观测和综合分析，必须用从晶片表面上固定的原点所算出的坐标表示要观测的部位。作为把某一部分指定为所要观测的有缺陷部分的判断标准是以宽的方式把这部分的状态划分成两类。第一类是利用光学可视检验装置检测的形状异常的部分，第二类则是利用测试仪发现电气功能有缺陷的部分。利用光学可视检验装置把某一部分定为形状异常例如是利用美国KLA有限公司的晶片可视检验装置、即型号KLA21 xx系列而进行的。有了这种型号的装置，通过将靠近晶片表面中心设置的大规模集成电路的一个角选为原点，移动晶片或装有晶片的工作台，计算从原点到形状异常部分的距离，从而确定形状异常的部分。用测试仪发现大规模集成电路中电气...
【技术保护点】
一种存储器大规模集成电路的特定存储单元的搜索方法，所述方法用于参考对应于作为在多个存储单元重复配置的阵列结构的存储器大规模集成电路上进行电气测试的结果输出的逻辑地址的物理地址的一部分进行分析、处理或观测操作，其中：参考包含所述存储单元的 阵列结构的端点、存储单元、存储单元之间部分的区域持续观测位置坐标，根据亮度或发光度的变化对存储器大规模集成电路上现有的存储单元或进行计数，所述计算值和所述物理地址所表示的值彼此一致的部分选择为所述逻辑地址的部分。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 1996-9-11 240348/961.一种存储器大规模集成电路的特定存储单元的搜索方法，所述方法用于参考对应于作为在多个存储单元重复配置的阵列结构的存储器大规模集成电路上进行电气测试的结果输出的逻辑地址的物理地址的一部分进行分析、处理或观测操作，其中参考包含所述存储单元的阵列结构的端点、存储单元、存储单元之间部分的区域持续观测位置坐标，根据亮度或发光度的变化对存储器大规模集成电路上现有的存储单元或进行计数，所述计算值和所述物理地址所表示的值彼此一致的部分选择为所述逻辑地址的部分。2.一种存储器大规模集成电路特定部分的搜索装置，所述装置用于参考对应于作为在多个存储单元重复配置的阵列结构的存储器大规模集成电路上进行电气测试的结果输出的逻辑地址的物理地址的一部分进行分析、处理或观测操作，所述装置包括用以移动所述存储器大规模集成电路的装置；用以观测所述存储器大规模集成电路的图形识别器；用以接收所述图形识别器的观测结果，计数在结果数据中所测得的亮度或发光度变化的数量的计数器；控制计算机，用以通过所述移动装置移动所述存储器大规模集成电路，使得所述图形识别器参考包括所述存储单元的阵列结构端部、存储单元和存储单元之间部分的区域持续观测坐标，用以通过选择所述计数器的计数值和所述物理地址表示的值彼此一致的部分确定所述逻辑地址的部分，3.一种存...
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