静电式夹盘制造技术

一种静电式夹盘，其能应用于如外延装置或刻蚀装置，用于静电式夹持半导体衬底或晶片。夹盘包括用于静电式在其上保持晶片的一平台。多升降针杆能够提升以上推晶片。安置在平台上的多释放针杆用于上推晶片的周缘部分。多驱动机构分别在晶片允许的弹性变形范围内逐级地上推释放针杆。控制装置通过相联的驱动机构选择驱动释放针杆。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种静电式夹盘，其可应用于外延装置或刻蚀装置中夹持半导体衬底。例如，在等离子体刻蚀装置中，在等离子体刻蚀时，半导体衬底或下面称为晶片，它的外围部分被一个钳位器机械地夹住或者是它的背面被静电吸持在一个平台上。近些年来，静电吸持方案因其保证了晶片和平台之间的紧密接触从而加强了晶片冷却效果，因而正在取代机械钳位方案。另外，因为静电吸持方案不必钳住晶片，所以允许刻蚀整个晶片，从而增加了芯片组件密度。用于前面所述用途的常规静电式夹盘包括一个由绝缘材料构成的平台，其中埋有一个电极。当来自直流电源的直流电压施加到这个电极时，该平台静电式地吸住其上面的晶片。多个升降针杆由提升机构选择地升起或降下。当升起时，升降针杆上推，晶片从平台的静电保持状态中释放出来。为从夹盘中释放出晶片，电源停止向电极供应直流电压。然后，为了放掉充电晶片背面的电荷执行一放电指令。其后，为了从平台上推起晶片，升降针杆在同时升起。接下来，一个为传送机的特殊形式的叉子叉入晶片和平台之间，然后升降针杆下降。所以晶片被放在叉子上，并且被叉子传送到反应室的外面。然而，常规的夹盘有一个问题，即根据晶片背面的条件、残留电荷本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种静电式夹盘，其特征在于包括：一个静电式保持在其上半导体衬底的平台；多个能够提升以上推半导体衬底的升降针杆；多个排放在所述平台上用以上推半导体衬底周缘部分的释放针杆；多个在半导体衬底弹性变形允许的范围内逐级分别上推所述多个 释放针杆的驱动机构；一个选择地驱动所述多个驱动机构的控制装置。

【技术特征摘要】
JP 1995-11-24 305354/951.一种静电式夹盘，其特征在于包括一个静电式保持在其上半导体衬底的平台；多个能够提升以上推半导体衬底的升降针杆；多个排放在所述平台上用以上推半导体衬底周缘部分的释放针杆；多个在半导体衬底弹性变形允许的范围内逐级分别...

【专利技术属性】
技术研发人员：原岛啓一，秋元健司，
申请(专利权)人：日本电气株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]