复合式绝缘体上硅薄膜基片及其制作方法技术

本发明专利技术揭示了一种复合式ＳＯＩ基片，其容许通过使用传统可见光校准器，对埋于ＳＯＩ基片内的绝缘体膜图型及在ＳＯＩ基片层上形成的图型进行高精度校准。复合式ＳＯＩ基片是通过在第一硅基片１０的主表面边缘上形成校准氧化物薄膜图型１ａ；制备在其边缘有最好是Ｖ形槽部分９的第二硅基片以使第一硅基片上的校准图型显露出来；将第二硅基片与所述第一硅基片１０的主表面相联接同时将校准，氧化物薄膜图型１ａ显露出来；然后将第二硅基片变薄形成为一个ＳＯＩ层２０ａ。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种联接复合式绝缘体上硅薄膜基片(此后称SOI)的结构，及该基片的制作方法。相关技术的描述如下用连接基片技术制成的SOI基片为代表的多层结构的基片随着其联接性能的改进，最近发现有广泛的用途。特别是，那些具有诸如隐埋的氧化硅层的绝缘层的SOI基片，已被实际应用作为需要高耐压的电源集成电路等领域的介电分离基片。在电源装置领域中，通过在基片表面上定位提供SOI结构，由此在单芯片上形成一个高耐压、竖立的电源金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)装置区，及一低耐压、控制电流装置区来满意对高密度和高耐压的要求，这在诸如日本特许出願公开平4-29353号中已有描述。制作这种类型的SOI基片的方法将参考附图8进行阐述。首先，通过RIE(活性离子蚀刻)或其它蚀刻方法在N+型(100)硅基片21的表面一定部分形成一个大约1μm高的表面台阶。这在图8(a)中有显示。通过热氧化或其它方法在硅基片21的整个表面上形成一个氧化硅薄膜22。氧化硅薄膜22的高出部分通过机械研磨被除去，而提供一个包含单晶硅21和氧化硅薄膜22的平滑的表面。如此形成的硅基片此后将被称为“第二”基片。然后，如图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种复合式的ＳＯＩ基片，其特征在于，它包括：具有一个主表面的第一硅基片，所述主表面有隐埋于所述主表面的绝缘体膜形成的多个图型，所述的多个图型包括在所述的第一硅基片的边缘部分之上的校准图型；及一个与所述的第一硅基片相联接的一个第二硅基 片，所述的第二硅基片与所述的第一硅基片的所述主表面相联接，其中在所述的第一硅基片的所述边缘部分之上的所述校准图型是显露的。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 1995-9-28 251556/951.一种复合式的SOI基片，其特征在于，它包括具有一个主表面的第一硅基片，所述主表面有隐埋于所述主表面的绝缘体膜形成的多个图型，所述的多个图型包括在所述的第一硅基片的边缘部分之上的校准图型；及一个与所述的第一硅基片相联接的一个第二硅基片，所述的第二硅基片与所述的第一硅基片的所述主表面相联接，其中在所述的第一硅基片的所述边缘部分之上的所述校准图型是显露的。2.根据权利要求1所述的复合式SOI基片，其特征在于所述第二硅基片的宽度比所述第一硅基片的宽度窄。3.根据权利要求1所述的复合式SOI基片，其特征在于所述的第一硅基片和所述的第二硅基片基本上是圆形的，其中所述第二硅基片的半径比所述第一硅基片的半径要小。4.根据权利要求1所述的复合式SOI基片，其特征在于所述的第二硅基片有至少两个位于边缘部分的槽部分以使所述的校准图型显露出来。5.根据权利要求1所述的复合式SOI基片，其特征在于所述的第一硅基片的至少部分边缘部分形成与隐埋在所述主表面内的所述绝缘体膜的厚度一致从而将所述的校准图型显露出来。6.一种制造复合式SOI基片的方法，其特征在于它包括形成在隐埋第一硅基片的主表面内的绝缘体膜的多个图型的制作步骤，所述的多个图型包括形成于所述的第一硅基片的边缘部分的校准图型；在一个第二硅基片的边缘部分之上形成至少两个槽部分的步骤；及将所述的第二硅基片与所述的第一硅基片所述主表面相联接的步骤，同时将所述的槽部分调节在所述校准图型之上以使所述校准图型显露出来。7.根据权利要求6所述的制造复合式SOI基片的方法，其特征在于所述的联接步骤包括在氧化气氛中于1100℃到1200℃下处理所述第一和第二硅基片。8.一种制造复合式SOI基片的方法，其特征在于包括形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：滨嶋智宏，新井谦一，
申请(专利权)人：日本电气株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]