【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及，尤其涉及一种检查在夹层绝缘膜内所形成的窗孔中的金属膜的形成状态的方法。最近，随着半导体器件的高集成化，接触孔、通孔和转接孔的孔径都已变小了。窗孔通常形成在夹层绝缘膜内。在此情况下，孔深与直径的尺寸比由于孔深几乎保持不变而增大。因此，通过通常的溅射法所形成的储如铝膜等金属膜不能充分盖住窗孔。其结果是连接电阻变大，而且还会经常产生断开。为了解决这些问题，已建议通过化学气相沉积法(CVD)来向窗孔填入钨。然而，按照此方法，生产周期变得很长而且还使生产成本加大，这是因为该方法具有多个生产步骤。因此，正如在未审查的日本专利公开号平4-65831及平1-76336中所揭示的，它建议了这样一种方法，即通过加热过程软熔铝从而在窗孔内埋入铝膜。然而，按照此方法，在未充分填充铝的窗孔处会经常导致产生空洞。在这种情况下，空洞就意味着是在软熔后留在铝膜内的空隙。空洞会增大接触电阻并经常导致断开。因此，存留并埋在窗孔内的铝膜中的空洞，由于它是存留在铝膜内部，从而无法通过光学显微镜从基片的外部直接检测出来。由此就必需劈开或切开基片用扫描电镜(SEM)来检测铝膜内的空洞。...
【技术保护点】
一种测试有一基片的半导体器件的方法，其特征在于，它包含如下步骤：将所述基片分产品区和测试图形区；在所述基片上形成绝缘膜；在所述绝缘膜内及所述产品区和所述测试图形区上形成窗孔；在所述窗孔内和所述绝缘膜上形成金属膜；对所述金 属膜进行图形加工形成布线图形；以及对所述测试图形区上的所述窗孔内的所述金属膜的形成状态进行真实的测试以便估价在所述产品区内所述窗孔中的所述金属膜的形成状态；在所述金属膜形成之后和对所述金属膜进行图形加工前而不损坏所述基片立即进行测试 。
【技术特征摘要】
JP 1996-11-21 310355/19961.一种测试有一基片的半导体器件的方法，其特征在于，它包含如下步骤将所述基片分产品区和测试图形区；在所述基片上形成绝缘膜；在所述绝缘膜内及所述产品区和所述测试图形区上形成窗孔；在所述窗孔内和所述绝缘膜上形成金属膜；对所述金属膜进行图形加工形成布线图形；以及对所述测试图形区上的所述窗孔内的所述金属膜的形成状态进行真实的测试以便估价在所述产品区内所述窗孔中的所述金属膜的形成状态；在所述金属膜形成之后和对所述金属膜进行图形加工前而不损坏所述基片立即进行测试。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于在所述测试图形区上的窗孔宽度比在所述产品区上的窗孔宽度窄，以及在所述测试图形区上的窗孔密度比所述产品图形上的窗孔密度大。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中的测试是通过测量所述金属膜的薄层电阻进行的。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于其中的薄层电阻是用四探针法测量的。5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于其中的薄层电阻是在对所述金属膜施加磁场时，通过测量涡流电流测得的。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中的测试是当向所述金属膜辐射X-射线时通过测量所述金属膜的X-射线强度进行的。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中的测试是通过经用卢瑟福背散射能谱测定法测得所述金属膜的深度分布进行的。8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的金属膜是通过加热过程软熔金属形成在窗孔内的。9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述的金属膜包含从铝及铜当中选出的一种。10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述的窗孔包含从接触孔和通孔当中选出的一种。11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述金属膜的形成状态是通过检查窗孔中是否存在空洞进行测试的。12.一种测试有一基片的半导体器件的方法，其特征在于它包含如下步骤将所述基片分为产品区及测试图形区；在所述基片上形成第一金属膜；在所述第一金属膜上形成绝缘膜；在所述绝缘膜内及在所述产品区和在所述测试图形区上形成窗孔，窗孔定位在所述第一金属膜上；在所述窗孔内及在所述第一金属膜上形成第二金属膜，所述第二金属膜有一薄层电阻；对所述第二金属膜进行图形加工以形成布线图形；以及通过测量薄层电阻对所述测试图形区上所述窗孔中的所述第二金属膜的形成状态进行真实的测试以便估价在所述产品区上所述窗孔中的所述第二金属膜的形成状态；测试是在所述第二金属膜形成之后及在对所述第二金属膜进行图形加工之前立即进行而检测而不...
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