半导体器件的评价方法技术

提供以良好的再现性进行半导体器件扩散层区域的形状评价的技术。把铝电极５、７分别连接到Ｐ型硅衬底４和Ｎ型扩散层区域６后，使Ｐ型硅衬底４和Ｎ型扩散层区域６的剖面分别显露出来。其次，把铝电极５和白金电极１共同连接到直流电源３ａ的阴极一端，把铝电极７连接到直流电源３ａ的阳极一端。其次，把上述样品浸入酒精及氢氟酸的混合溶液２中，用直流电源３ａ施加高于临界电压的电压。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及对于在半导体衬底内形成的扩散层区域的形状进行评价的技术。因为半导体器件的一个构成要素，即扩散层，对晶体管的特性有很大影响，所以，了解其二维或三维结构是重要的。作为对扩散层区域形状进行评价的技术例子，有用Sirtl刻蚀剂对劈开的样品(河东田隆编著，《半导体评价技术》第136，137页，产业图书，1989年)进行预处理而显现的扩散层通过扫描电子显微镜(SEM)进行评价的方法。这种方法利用Sirtl刻蚀剂对硅的腐蚀速率依赖于硅中杂质浓度的性质，即杂质浓度越高越容易被腐蚀的性质。当利用该方法时，能够使杂质浓度大于1019个原子/cm3的扩散层区域显现出来。但是，在最尖端的半导体器件中，为了使电场平缓，在半导体衬底内形成低杂质浓度扩散层区域的情况正在增多，因为在上述Sirtl腐蚀溶剂的预处理中不能使这样低浓度扩散层区域显现出来，所以，存在着不能对扩散层区域的形状进行高精度评价的问题。此外，在进行Sirtl腐蚀剂的预处理的情况下，一般作为层间绝缘膜而采用的氧化硅膜大多也被腐蚀掉，因此存在着难于以良好的再现性对半导体器件的整体结构进行评价的问题。本专利技术就是为了消除上述问题而本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的评价方法，其特征在于，备有：（ａ）把具有Ｎ型第１区域和Ｐ型第２区域的半导体器件浸入氢氟酸及酒精的混合溶液中，至少使所述第１区域显露出来的工序；以及（ｂ）使所述第１区域对所述混合溶液为高电位的工序，而该混合溶液对所述第 ２区域为高电位或同电位。

【技术特征摘要】
JP 1997-1-7 000563/971.一种半导体器件的评价方法，其特征在于，备有(a)把具有N型第1区域和P型第2区域的半导体器件浸入氢氟酸及酒精的混合溶液中，至少使所述第1区域显露出来的工序；以及(b)使所述第1区域对所述混合溶液为高电位的工序，而该混合溶液对所述第2区域为高电位或同电位。2.根据权利要求1中所述的半导体器件的评价方法，其特征在于在所述工序(a)中，使所述第2区域也显露出来。3.根据权利要求1中所述的半导体器件的评价方法，其特征在于所述第1区域为半导体衬底，所述第2区域为扩散层区域；所述评价...

【专利技术属性】
技术研发人员：前田一史，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]