晶体层叠构造体、半导体装置及晶体层叠构造体的制造方法制造方法及图纸

技术编号：41125095 阅读：19 留言：0更新日期：2024-04-30 17:52

目的在于提供一种能够提高器件特性的技术。晶体层叠构造体具备具有第1主面的Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;单晶体基板。另外，晶体层叠构造体具备设置于Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;单晶体基板的第1主面上并在与Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;单晶体基板相反的一侧具有第2主面的作为外延生长层的Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;单晶体层。Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;单晶体基板的第1主面的面取向是(011)面。另外，Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;单晶体层的第2主面是(011)面。

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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及晶体层叠构造体、半导体装置及晶体层叠构造体的制造方法。

技术介绍

1、近年来，为了实现半导体元件的高耐压化，在半导体元件中使用的材料正在转变为宽带隙半导体(还称为宽能带隙半导体)。在使用了作为该宽带隙半导体的一种的氧化镓的肖特基势垒二极管中，相比于使用了硅(si)以及碳化硅(sic)等的肖特基势垒二极管，能够提高反向耐压。关于这样的使用了氧化镓的肖特基势垒二极管，提出了各种技术(例如专利文献1以及2)。

2、现有技术文献

3、专利文献1：日本特开2020-096197号公报

4、专利文献2：日本特开2016-029735号公报

技术实现思路

1、然而，在使用了氧化镓的半导体元件中，在氧化镓的外延生长层内的缺陷密度变高时，存在导致器件特性降低这样的问题。

2、因此，本公开是鉴于如上所述的问题点而完成的，目的在于提供一种能够提高器件特性的技术。

3、本公开所涉及的晶体层叠构造体具备：ga2o3单晶体基板，具有第1主面；以及作为外延生长层的ga2o3单晶体层，设置于所述ga2o3单晶体基板的所述第1主面上，在与所述ga2o3单晶体基板相反的一侧具有第2主面，所述ga2o3单晶体基板的所述第1主面以及所述ga2o3单晶体层的所述第2主面各自的面取向是(011)面。

4、根据本公开，ga2o3单晶体基板的第1主面以及ga2o3单晶体层的第2主面各自的面取向是(011)面。根据这样的结构，能够提高器件特性。>

5、本公开的目的、特征、方案以及优点通过以下的详细的说明和附图而会变得更加清楚。

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【技术保护点】

1.一种晶体层叠构造体，具备：

2.根据权利要求1所述的晶体层叠构造体，其中，

3.根据权利要求1所述的晶体层叠构造体，其中，

4.根据权利要求2所述的晶体层叠构造体，其中，

5.一种晶体层叠构造体的制造方法，具备：

6.根据权利要求5所述的晶体层叠构造体的制造方法，其中，

7.根据权利要求6所述的晶体层叠构造体的制造方法，其中，

8.根据权利要求6或者7所述的晶体层叠构造体的制造方法，其中，

9.根据权利要求5所述的晶体层叠构造体的制造方法，其中，

10.根据权利要求6至9中的任意一项所述的晶体层叠构造体的制造方法，其中，

11.根据权利要求6至10中的任意一项所述的晶体层叠构造体的制造方法，其中，

12.根据权利要求5至11中的任意一项所述的晶体层叠构造体的制造方法，其中，

13.一种半导体装置，具备：

14.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】