【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及半导体装置以及电力转换装置。
技术介绍
1、随着半导体装置在电力控制技术中的应用，正在推进更小型且高效的半导体装置的开发。在半导体装置的制造工序中，通常，在一个半导体晶片上形成多个半导体装置之后，从该晶片切出各个半导体装置(例如，参照专利文献1和专利文献2)。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：国际公开第2020/255944号
5、专利文献2：日本特开2020-36048号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的课题
2、在从半导体晶片切出半导体装置时，例如，由于通过解理施加于半导体晶片的外力而在半导体装置的外周部产生裂纹、崩边等。在半导体装置的温度因开关动作等而变动的情况下，会以该外周部的裂纹或崩边为起点产生物理性的破坏、或者半导体装置的特性劣化。进而，半导体装置的可靠性降低。
3、本公开为了解决上述课题，提供一种外周部的可靠性提高的半导体装置。
4、用于解决课题的手段
5、本公开的半导体装置具备半导体基板、沟槽栅、第1非晶质层以及第2非晶质层。半导体基板包含晶体管和二极管中的至少一方的半导体元件。沟槽栅包含控制半导体元件的状态的电极。沟槽栅设置于半导体基板的上表面。第1非晶质层形成于半导体基板的第1侧面。第2非晶质层形成于半导体基板的第2侧面。在俯视观察时，第1侧面与沟槽栅的延伸方向所成的第1角度比第2侧面与沟槽栅的延伸方向所成的第2角度小，或者，第1侧面与
6、专利技术效果
7、根据本公开，半导体装置的外周部的可靠性提高。
8、通过以下的详细说明和附图，本公开的目的、特征、方面以及优点将会变得更加清楚。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体装置，其中，所述半导体装置具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的半导体装置，其中，
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的半导体装置，其中，
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的半导体装置，其中，
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
8.根据权利要求1或7所述的半导体装置，其中，
9.一种电力转换装置，其中，所述电力转换装置具备：
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体装置，其中，所述半导体装置具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的半导体装置，其中，
5.根据权利要求1至4中的任一...
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