用于半导体器件的电容器及其制造方法技术

一种用于半导体器件的电容器及其制造方法，它能有效地增大其电容量、简化制造工艺。该电容器包括与任一杂质扩散区接触的栓塞层上的存储节点电极的第一圆柱形层，该第一圆柱形层包括同心于栓塞层上并与之接触的底层和有外表面和内表面与底层垂直并与之接触的壁层；和第二圆柱形层，每层包括有内外表面的与从底层以两个纵轴方向伸出的底层垂直并接触的壁层。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于半导体器件的电容器，特别涉及用于半导体器件的能有效地增大其电容量并简化制造工艺的电容器及其制造方法。通常有两类电容器，一种是叠置型的，另一种是沟道型的。叠置型电容器可分成翅片形结构，圆柱形结构和盒形结构等。圆柱形结构的叠置型电容器是形成有圆柱形结构的储存节点电极。为获得足够大的单元电容量，圆柱形结构最适用于容量为64Mb或更大的存储器单元电路。根据构成存储节点电极的圆柱体数量及其类型，圆柱形结构的电容器可分成1.0圆柱型电容器，1.5圆柱型电容器和2.0圆柱电容器等。这些圆柱型电容器有以下特征由于1.0圆柱型电容器只有一个圆柱体，其表面面积增大有限，因此，其缺点是，电容器的总电容量不足。2.0圆柱型电容器需要两个圆柱体，因此必然会用更多的工艺步骤，结果，其缺点是生产合格率低，总工艺性差。1.5圆柱型电容器在腐蚀工艺中很难控制腐蚀形状。以下将参见附图说明用于半导体器件的电容器的常规制造方法。参见图1a至1d，说明用于半导体器件的电容器的常规制造方法的工艺步骤首先，在已形成杂质扩散区和单元晶体管的硅衬底10(未画出)上淀积绝缘材料，如氧化物层。由此形成第一绝缘层1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于ＤＲＡＭ的半导体器件的电容器，ＤＲＡＭ包括多个晶体管和在每个晶体管两侧上的杂质扩散区，该电容器包含：一个存储节点电极，它包括 与两侧边杂质扩散区中任一个接触的栓塞层， 第一圆柱形层，它有同心于栓塞层并与之接触的底层和与底层垂直并与之接触的有外表面和内表面的壁层，和 第二圆柱形层，每层包括壁层，该壁层有外表面和内表面，并垂直于从第一圆柱形层按两个纵轴方向伸出的底层并与之接触。

【技术特征摘要】
KR 1996-11-27 58097/961.一种用于DRAM的半导体器件的电容器，DRAM包括多个晶体管和在每个晶体管两侧上的杂质扩散区，该电容器包含一个存储节点电极，它包括与两侧边杂质扩散区中任一个接触的栓塞层，第一圆柱形层，它有同心于栓塞层并与之接触的底层和与底层垂直并与之接触的有外表面和内表面的壁层，和第二圆柱形层，每层包括壁层，该壁层有外表面和内表面，并垂直于从第一圆柱形层按两个纵轴方向伸出的底层并与之接触。2.按权利要求1的电容器，其中，所述存储节点电极的底层与其下形成的绝缘层隔开预定距离。3.按权利要求1的电容器，其中，所述第一圆柱形层的纵轴方向的底层两端部分上形成的所述第二圆柱的宽度小于所述第一圆柱的宽度。4.按权利要求3的电容器，其中，第二圆柱形层的纵轴方向与第一圆柱形层的纵轴方向垂直。5.按权利要求1的电容器，其中，每个圆柱的内表面与底层垂直、外表面类似于椭圆形侧壁。6.一种用于半导体器件的电容器的制造方法，包括以下工艺步骤在半导体衬底上顺序形成层间介质层，氮化层，和第一绝缘层，半导体衬底包括多个单元晶体管和毗邻每个晶体管两边形成的杂质扩散区；选择除去所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹元喆，
申请(专利权)人：LG半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]