为了有效地防止系统的静电感应和静电放电（ＥＳＤ），并且使该系统没有缺陷，在第一导意类型半导体基片上形成的系统包括一个接收信号的焊点，一个连接到该焊点的保护元件和一个连接到保护元件的放电线。该保护元件由一个单独双极性晶体管区和至少一个处于...

一种用于半导体集成电路的设置及布线方法，其包括一目标描述步骤，用于准备一个目标描述，还包括晶体管目标处理步骤，用于按目标描述生成每个晶体管并针对相邻信息定位所生成的晶体管，布线目标处理步骤，用于在平面方向及在竖直方向确定每个布系奈恢茫...

一种半导体器件包括晶体管和保护电阻元件。晶体管有形成在半导体基片表面上分别为源极和漏极的第一导电型第一和第二杂质区，通过栅绝缘膜形成在第一和第二杂质区所夹沟道区上的栅极。保护电阻元件有在基片表面上形成与第二杂质区以预定距离隔开的第三杂质...

一种生产半导体集成电路的方法，在半导体基片上形成带侧壁绝缘膜的栅结构和场氧化膜。然后，为带侧壁绝缘膜的栅结色形成扩散层。随后，从每一侧壁绝缘膜和场氧化膜上去除表面层。接着，按照与带侧壁绝缘膜的栅结构以及场氧化膜自对准的方式在每一扩散层的...

按照本发明对由设置在一块半导体基片上的一层多晶硅膜和在所述多晶硅膜上设置的一层金属硅化物膜两层薄膜组成的复合膜进行干刻蚀的方法所包括的步骤有：用一种不含氟基气体的第一刻蚀气体并用光刻胶膜作为掩膜刻蚀硅化物膜的第一刻蚀步骤，以及用一种不含...

本发明涉及双极晶体管的制造方法，它允许在多晶硅发射极制造中不用光刻工艺。并能在形成金属电极之前测晶体管特性。本发明公开了批量制造结构和电特性均相同的晶体管用的晶片中的扩散检验晶体管。扩散检验晶体管有其尺寸允许与绝缘区内的集电极接触而进行...

本发明的一种半导体器件包括：一块第一导电类型的半导体基片，在半导体基片上的一个元件隔离区，一层第二导电类型的杂质扩散层，该杂质扩散层形成所述半导体基片上并与元件隔离区相耦合，在元件隔离区和杂质扩散层之上的一层化学气相淀积硅绝缘膜，一层热...

在一半导体器件中包括一大直径接触孔和一小直径接触孔，它是穿透形成在半导体基片上的绝缘膜形成的，小直径接触孔全被难熔导电材料填满，而大直径接触孔有一在其侧表面上形成的难熔导电材料的侧壁。侧壁盖住侧表面上低于大直径接触孔上端一段预定距离的位...

一种半导体器件，具有Ｐ型半导体衬底１、在半导体衬底１上形成的纵向型双极晶体管和横向型和横向型双极晶体管都具有Ｎ型基区４，Ｎ型集电极区７ａ、Ｎ型发射极区８以及Ｐ型绝缘扩散区７ｂ用来隔离纵向型和横向型双极晶体管，横向型双极晶体管的集电区和发...

在同一半导体基片上形成ｎ沟道和ｐ沟道ＭＯＳＦＥＴ半导体器件的工艺。在形成ｎ沟道ＭＯＳＦＥＴ的基片区域形成接触孔使它的埋置层暴露，并在形成Ｐ沟道ＭＯＳＦＥＴ的不同区形成接触孔使它的源极和漏极的扩散层暴露。Ｐ型杂质垂直注入基片主表面形成在埋...

一种金属氧化物半导体大规模集成电路（ＭＯＳＬＳＩ），其中扩散层的表面由硅构成。ＭＯＳＬＳＩ包括由ＭＯＳ晶体管形成的输入及输出保护元件。每个ＭＯＳ晶体管包括一个形成在漏极扩散层与栅电极之间的物氧化物膜，这样栅电极部分延伸到场氧化膜上部位置...

在一内部电路的输出端和输入端形成使半导体基片上的内部电路免受高电压毁坏的保护电路。输入端的保护电路有由带状导电膜组成的栅电极。此栅电极接地并有交替出现波峰和波谷的波状平面形状。与内电路输出端相连的漏扩散层形成在由栅电极确定的半导体基片表...

用于半定制集成电路的母片包括按行和列设置的标准单元（３１１－３４４），这些标准单元分别与附加信号驱动器（４１１－４４４）关联；当由于信号线的传输期间的延时造成了后注释结果和ＬＳＩ测试结果间发生逻辑不相容时，附加信号驱动器选择性地与标准单...

使场氧化膜１０２的上表面制成平面的以消除通常所形成的膨胀。更具体地说，用挖槽的硅局部氧化方法形成场氧化膜１０２，使得沿着朝向基片１０１内侧的方向形成凸面，同时具有基本上是平面的上表面。

在一种利用电子束辐射装置绘制图形的方法中，将一个目标图形（２１）划分成多个子图形（２１Ａ至２１Ｈ）并顺序地选择其中之一。把所选子图形的尺寸与根据设计尺寸确定的一基准电子束的尺寸比较。当该所选子图形的至少某一尺寸不大于所述基准电子束的一相...

通过仅在发射极电极上原封不动地保持绝缘膜，同时对绝缘电极和栅电极构图，可以在形成ＰＭＯＳ的源－漏和非本征基极的过程中，防止在发射极电极中注入高浓度Ｐ型杂质，从而防止了发射极电阻的增加和分散。

本发明提供一种绝缘体上硅薄膜衬底，其包括第一硅衬底，与第一硅衬底键合的第二硅衬底，在第一和第二硅衬底之间接触面的多个第一类型区上形成的多个绝缘膜图形，以便在该多个第一类型区上的第一和第二硅衬底通过所述多个绝缘膜图形间接地键合，而在多个第...

一种电子元件包括基片部分、边沿部分、多个引线部件、固定孔、和至少一对凹口。芯片安装在基片部分上。在基片部分的外围形成边沿部分以包围芯片。多个引线部件由导电条构成，每个引线部件有电连接到芯片的内引线和延伸到外面的外引线。基片部分和边沿部分...

一种布局的半导体存储器件，其具有在第一导电型的半导体基片中形成的在第二导电型深阱，在所说的深阱中形成的一第一导电型的单元阵列阱，以及在所说的单元阵列阱周围形成并到达所说的深阱，以致于结合所说的单元阵列阱一第二导电型的隔离阱，因此，所说的...

一种半导体器件的制造方法，包含如下步骤：在基片上形成具有中间绝缘膜的栅电极；然后在基片及栅电极整个表面上沉积绝缘膜；然后以一定角度将氮离子植入绝缘膜；通过蚀刻绝缘膜在栅电极的侧面上形成含氮的绝缘膜侧壁；将杂质引入栅电极和基片以形成源极和...