一种静态存储单元，其中包括两个与电源线Ｖ↓［ｃｃ］连接的负载电阻（Ｒ↓［１］、Ｒ↓［２］）、两个交叉耦合的驱动晶体管（Ｑ↓［ｄ１］、Ｑ↓［ｄ２］）和两个变晶体管（Ｑ↓［ｔ１］、Ｑ↓［ｔ２］），驱动晶体管（Ｑ↓［ｄ１］、Ｑ↓［ｄ２］）连接...

一种制备互补ＭＯＳ半导体器件的方法，其步骤为：在半导体衬底的主表面上形成栅绝缘膜；在所说栅绝缘膜上形成第一非晶硅膜；在所说第一非晶硅模的表面上形成约１ｎｍ厚的氧化物膜；在所说氧化物膜上形成第二非晶硅膜；退火所说第一和第二非晶硅膜，以便所...

一种为曝光提供的部分一次射束曝光掩模，它在半导体器件的有源和隔离区上形成光刻胶的重复图形，部分一次射束曝光掩模的图形边界只定位在隔离区内。这种掩模的图形可以用于形成字线。在此情况下，掩模图形的边界可以沿着与字线长度方向垂直的方向形成。另...

一种半导体器件，具有由非钨材料制成的接触销，以及溅射钨形成的互连图形，其通过接触销与硅衬底连接。钨膜在绝缘膜上，主要有（２００）和（２１１）取向，以减少钨的电阻，在接触销的顶端Ｔｉ膜和ＴｉＮ膜的暴露区域上主要具有（１１０）取向。

带电粒子束曝光方法中，用局部全场曝光的孔掩模，进行图形曝光，以便没有重叠，从而形成大量传递图形。如此做时，曝光量为能够形成图形的曝光量的１／２。然后，改变镜头位置，以便曝光位置与先前的曝光位置重叠，进行曝光形成下一传递图形。如此做时，曝...

制备半导体器件的方法，第一膜形成在第二膜上，在第一膜上形成第一光刻胶膜，使在第一光刻胶膜中有第一开口部分。此时，如果提供防反射膜，用提供在第二膜上的金属塞的反射，可以使第一开口部分制备得宽一些。通过第一开口部分暴露部分第一膜。随后，用能...

一控制栅上施加一负电压脉冲，而一源区上施加一正的恒定电压脉冲，同时漏区是浮动状态。更具体地说，施加到控制栅上的电压绝对值在从存储器擦除操作开始到其后２毫秒的期间内随时间而增加，从２毫秒开始直到存储器擦除操作结束为止保持恒定。结果，源区与...

提供制造半导体器件的方法，其特征在于，通到半导体衬底（１）的第一接触孔（８）和通到第一布线层（４）的第二接触孔（９，９Ａ）是同时在第三步骤中形成的，通到半导体衬底（１）的第三接触孔（１８）和通到第二布线层（１１）的第四接触孔（１９，１９...

本发明的目的是提供一种ＣＭＯＳ器件及其制造方法，其包含具有浅的源极和漏极区的Ｐ沟道ＦＥＴ。仅在形成Ｐ沟道ＦＥＴ的源极和漏极区的区域上生长掺杂Ｂ的选择外延层。通过形成与ｎ沟道ＦＥＴ相对应的无定形区来在形成ｎ沟道ＦＥＴ的源极和漏极区的区域上...

设符号Ａ为接触口深度，Ｂ为接触口直径，Ｃ为在隔膜和半导体衬底之间形成的底层氧化物厚度，Ｄ为进行氧化物湿法刻蚀以去掉硅上自然生长的氧化物和减少接触电阻而在接触口内部形成的隔膜檐的突出长度，确立有如下关系式，ｔａｎ↑［－１］（Ｂ／Ａ）＜ｔａ...

本发明的目的在于防止硅化钛层与Ｐ型杂质层的接触电阻增大、Ｐ型ＭＯＳ晶体管的电流驱动能力降低，在用于形成Ｐ型源、漏区域７的第１Ｐ型杂质离子注入工序和用于激活的热处理工序之后，包括，第２Ｐ型杂质的离子注入工序；用于至少使源、漏区域部位的扩散...

本发明的目的是提供一种包括高密度集成电路的半导体器件，其中具有大量尺寸小且提高了性能的绝缘栅场效应晶体管。通过使绝缘栅场效应晶体管的源接触直径大于漏接触直径，将源接触电阻设定在小于漏接触电阻的值，从而提高了晶体管的电流驱动能力，减小了驱...

一种如ＢｉＣＭＯＳ的半导体器件，它包括一个至少有一发射区的双极晶体管。在发射区上形成一发射极电极。另外，在该发射区上方形成一个布线图形。以这样的结构形成多个接触头使发射极电极与布线图形电连接。在此情况下，接触头被部分地埋入发射极电极内以...

为了将带有ＳＯＩ结构的半导体集成电路在运行时在电源线和地线上所发生的电位波动减至最低限度，并提高散热效率和运行可靠性，采用了一种不增加面积的简单结构。它有形成在用以隔离晶体管的一层埋入的绝缘层下面的ｎ型半导体导电区和Ｐ型半导体导电区。由...

一种利用离子注入装置注入离子的方法，其中该离子注入装置包括一个带狭缝的圆盘，一个离子源，一个通过二维移动该圆盘进行离子束扫描的扫描机构，其包括电机、步进电机等。先在沿该狭缝纵向和多个位置上测量离子束中离子数目，并提供表示该狭缝位置及离子...

在一种包括第一和第二驱动ＭＯＳ晶体管，第一和第二传送ＭＯＳ晶体管及第一和第二负载元件的静态存储器单元中，第一驱动ＭＯＳ晶体管的漏和第一传送ＭＯＳ晶体管的源由一个半导体衬底中的第一杂质区形成，第二驱动ＭＯＳ晶体管的漏和第二传送ＭＯＳ晶体管...

本发明装置包括：根据离子注入剖面数据制成Ｄｕａｌ Ｐｅａｒｓｏｎ数据表的Ｄｕａｌ Ｐｅａｒｓｏｎ数据抽出部；从Ｄｕａｌ Ｐｅａｒｓｏｎ数据表取得用于剂量系数的内插和外插参数的内插用Ｄｕａｌ Ｐｅａｒｓｏｎ数据取得部；剂量系数内插...

一种制造半导体器件的方法，包括：在晶体管元件上形成氮化膜、ＢＰＳＧ膜和含硼或磷的ＳＯＧ氧化硅膜；在加压蒸汽氛中热处理所得晶片；并在惰性气体气氛中热处理该晶片。第一热处理引起ＳＯＧ膜的水解作用，形成凝胶态ＳＯＧ膜，而第二热处理通过去掉ＳＯ...

这里公开的是一种至少部分地提供了一个具有相反于对立传导类型半导体衬底１的某传导类型层７和９的元件的半导体装置。在某传导类型层被形成的同时，某传导类型层７和９被形成在信号输入／输出垫片１４被形成的区域中。另外，在形成于半导体衬底１的表面上...

一种固态图像传感元件具有一个埋置在透明夹层绝缘层（３８）中的小透镜，透明夹层绝缘层在一个半导体衬底（３６）中形成的一个光电二极管（３１）之上，小透镜占据比光电二极管占据的区域宽的一个区域，以便在不损失生产成本的情况下使固态图像传感元件灵敏。