本发明提供一种将含金突起接合到半导体芯片的含铝电极焊盘上的同时，对该接合部分进行了树脂封装的半导体装置，在含铝电极焊盘与金突起之间的接合部分上的连接可靠性高。以及树脂封装型半导体装置及他们的制造方法。

本发明提供了一种半导体器件，它包括：一个在其表面具有若干个突出电极的半导体晶片；一个在其表面具有若干焊盘电极的布线板，当布线板与半导体晶片连接时每一个焊盘电极与相应的一个突出电极啮合；和一个夹在半导体晶片与布线板之间的使其相互连接的树脂...

在同时刻蚀存储单元部分的槽中的多晶硅层和外围电路部分的多晶硅层工艺中，使用Ｃｌ↓［２］／ＨＢｒ基气体作为第一刻蚀步骤，并且该刻蚀进行到外围电路部分的多晶硅去除为止。接着，将气体转换成Ｃｌ↓［２］／ＨＢｒ／Ｏ↓［２］基气体以去除已经积聚在...

一种半导体器件包括第一和第二元件光屏蔽构件和比较器。第一和第二元件形成在相同基片上，在紫外线照射时改变电特性，和保持改变的状态。第一元件具有与第二元件相同的配置。光屏蔽构件形成在第一元件上以屏蔽紫外线。比较器比较第一和第二元件的电特性和...

处理室中有用于预定处理的活性气体，处理室的部分外壁构成从此外壁延伸到空气中的突起部件。入射侧窗安装于突起部件上，通过该窗导入激光。障板设置于突起部件内，用于在将激光导入此窗时，如果产生不规则反射光，阻止导入到室中的光的不必要部分。在窗的...

本发明提供一种形成于孔中的基层结构，所说孔的上部直径大于孔其它部分的直径。孔形成于半导体器件的绝缘层中。基层结构包括在至少孔的上部的一部分上和至少靠近孔顶部的绝缘层的一部分之上延伸的基层，其中在所说上部延伸的基层在高度方向有一有效厚度，...

在制作半导体器件过程中，在形成于硅衬底之上的氧化硅薄膜上，形成具有预定厚度并且与硅衬底电连接的非晶态硅层。通过非晶态硅层进行离子注入，由此混合氧化硅膜与非晶态硅层之间的界面。通过退火非晶态硅层并照射预定材料，在非晶态硅层表面形成成核体。...

同时形成以下各层：在半导体衬底的将要形成Ｎ沟ＭＯＳ晶体管和Ｐ沟ＭＯＳ晶体管的区域上选择地形成第一导电层，在所说半导体衬底的将要形成电容元件的区域上形成第二导电层，及在所说半导体衬底的将要形成电阻元件的区域上形成第三导电层。接着，同时形成...

通过排除由ＳＯＧ溶液引起的、因来自外部的水分浸入发生的功能故障，维持半导体集成电路的可靠性。在半导体芯片５的第一布线层上形成的下层基片布线６，在该半导体芯片５外周的划片线区８附近，按包围半导体芯片５的形式配置，在邻接的下层基片布线６之间...

一种含有至少１０％（原子）的氧的半绝缘多晶硅层（１３）可在单晶硅晶片（１２）的背表面上生长，并且可以以比通常多晶硅的厚度更小的厚度获得高吸杂效率，使得硅衬底具有较少的挠曲。

本发明提供半导体装置及其制造方法，其中在半导体衬底上形成绝缘膜，在绝缘膜上开接触孔，使接触孔与半导体衬底连接，在绝缘膜的上边形成存储电极，形成覆盖存储电极的表面的电介质膜，在被电介质膜覆盖的存储电极的上边形成平板电极。

一种芯片型半导体装置的制造方法，是在半导体晶片表面形成多个半导体元件的电极上形成了金属补片后，粘合在印刷电极图形的绝缘性基片的表面，使半导体元件的金属补片和绝缘性基片的电极图形接合。绝缘性基片和半导体晶片的尺寸、形状相同。接着，仅将半导...

一种通过使用半导体基片（１）制造半导体器件的方法，硼离子（４）被从沟槽（３）植入半导体基片，沟槽由多个侧面及在侧面间延伸的底面来限定，硼离子通过所有侧面及底面来植入。最好用隔离材料填充沟槽从而产生在Ｐ阱（７）及ｎ阱（８）上延伸的沟槽隔离。

在制作半导体器件过程中，在形成于硅衬底之上的氧化硅膜上，形成具有预定厚度且与硅衬底电连接的非晶态硅层。当非晶态硅层在第一退火温度下退火时，通过辐射预定材料，在非晶态硅层表面形成成核体。把有成核体的非晶态硅层进行退火时，退火温度比第一退火...

提供一种制造半导体器件的制造方法，所说器件包括层间绝缘膜，层间绝缘膜是形成在半导体衬底上的氧化膜或由ＢＰＳＧ构成的膜。其中，用腐蚀气体选择腐蚀形成在层间绝缘膜上的铝布线层。然后，将通过选择腐蚀所暴露的层间绝缘膜的表面进行表面改造。此后用...

一种半导体存储器包括：浮门，控制门，源极区和漏极区，第二导电类型轻掺杂区和硅化物层。浮门经由门绝缘膜形成于第一导电类型的半导体衬底上，控制门经由绝缘膜形成于浮门上。源极区和漏极区通过在半导体表面浮门的两侧扩散第二导电类型的杂质形成。轻度...

一种半导体动态随机存取存储器件包括排成两列的多个存储器单元阵列，而一列存储器单元阵列有存储器单元子阵列和围绕着存储器单元子阵列排列的读数放大器和子字线驱动器之类的周边电路；子阵列的存储器单元排列在第一图形（Ｐ）中，而邻近子阵列的周边电路...

本发明提供了一种半导体基片，它可以在制作半导体器件的整个过程中保持其吸收能力，并能够阻止先前被吸收的污染性杂质被重新释放进入半导体器件的工作区。该半导体基片包括一个硅基片、一个多晶硅层和一个高浓度硼层。硅基片具有第一主表面和与第一主表面...

在一个包括两个交叉耦合驱动ＭＯＳ晶体管和两个连接到所述驱动ＭＯＳ晶体管的转移ＭＯＳ晶体管的静态随机存储器单元中，一组驱动ＭＯＳ晶体管和转移ＭＯＳ晶体管的栅极形成在一个半导体基片上以及一组晶体管的源极／漏极杂质扩散区域（８）形成在该半导体...

一种制造半导器件的方法，包括下列步骤。先是在半导体衬底上形成第一布线层。再在半导体衬底上形成中层绝缘膜将第一布线层覆盖住。在中层绝缘膜上形成布线槽使其穿过中层绝缘膜中形成的一个接触孔，其深度达到使第一布线层外露的程度。在暴露在接触孔底部...