本发明涉及具有在半导体衬底上形成多个布线的半导体器件。设置用于覆盖全部所述布线表面的第１绝缘膜，在相邻所述布线之间形成的包含空气隙的第２绝缘膜彼此相邻。本发明的制造半导体器件的方法包括下列步骤，形成第１绝缘膜用于覆盖在半导体衬底上形成的...

本发明提供一种具有二氧化硅主成分的绝缘体及其形成方法，其中绝缘体包含分布于其中的至少一种有机聚合物，例如苯核，以便降低其介电常数。

本发明的带电粒子束曝光的局部集团掩膜能够易于再成型，以便消除揿钮接头（ｓｎａｐｐｉｎｇ），不合格接触拉丝和其它的严重错误。掩模不仅形成有由主图形或器件图形构成的开口，还有由辅助图形构成的开口。当任何一个主图形具有不足设计尺寸的尺寸且易于...

一种高速读出放大器，其保证高的集成度并可抑制能耗的上升及即使在高集成度情况下速度的降低。与一静态型ＲＡＭ的存储单元的数据相连接的成对位线通过ＭＯＳ晶体管与一对共用数据线相连，一对双级晶体管的发射极端与数据线相连而作为读出放大器的信号输出...

首先，在清除样片表面的钝化膜之后，用一台检测器将样片表面的定时故障电平数字化。然后，在样片表面的上半圆区滴入聚酰亚胺溶液。接着，再用检测器将形成了聚酰亚胺膜后的样片的定时故障电平数字化。之后，对形成了聚酰亚胺膜之后的定时故障值和形成聚酰...

一种芯片封装装置，防止在封装时，结合剂熔化导致在结合剂表面形成氧化膜。工作台６处于惰性气体的气氛中，由两段构成的开口部１２ｂ开启后可以使最大半导体封装件３３进入，或者开口部１２ａ只开启一定程度可以使焊封头７进入，其中开口部１２ａ的内壁上...

半导体器件的制造方法包括在稀氢氟酸处理装置（１２）中除去半导体衬底（１５）上的氧化硅膜的第一处理步骤，在ＨＳＧ－Ｓｉ形成装置（１３）中在半导体衬底（１５）上形成半球形颗粒硅的第二处理步骤，和用半导体衬底输送装置（１４）把在第一处理步骤中...

一种在半导体晶片上获得光刻胶图形的显影工艺，包括在晶片上搅涂显影剂并以处于搅涂条件的预定倾角倾斜固定住晶片以及多次重复进行交替的停转和慢转。这样只通过调节设备就能使中央图形宽度选择性地变窄，晶片中央部位以外的图形宽度变宽，由此提高晶片图...

公开的是一种动态半导体存储器，它有一电路块，在此被称为ＰＤＬ，对一位线进行预充电和平衡，其中ＰＤＬ所形成的布线图形具有与存储器单元晶体管相同的图形。

首先把原料气体输送进入配置在用于化学汽相淀积的装置中的反应部分中。然后，在原料气体流进反应部分的方向上游边温度高于其下游边的温度的条件下，在晶片上淀积硅膜。

一种按本发明的半导体器件，包括在半导体基片上形成层间绝缘层的绝缘支。层间绝缘层具有支条之间形成的空腔，从而使半导体器件中叠层之间的静电电容得以降低。

本发明提供一种含氟绝缘膜的生成方法，包括的步骤有使用减压等离子体体分解不含氢分子和原子的反应气体，和形成绝缘膜的同时改变压力，以便控制绝缘薄膜中的含氟量。含氟绝缘膜可以是含氟非晶氟化碳薄膜或二氧化硅薄膜。根据上述方法，使用不含氢化物的材...

本发明涉及一种半导体器件的制造方法，用于防止树脂与半导体芯片的分离。该制造方法包括：切割具有形成在晶片表面的有源电路的一块晶片并形成半导体芯片；在所述半导体芯片上安装一组引线端；以及清洗有源电路反面的所述半导体芯片的表面。然后用密封材料...

提供使用熔丝的半导体集成电路，其中减少了流过熔丝元件或临近电路区的电流。熔丝元件可以插在包括两个ＭＯＳＦＥＴ的反相器内，以减少直接流过熔丝元件的电流。触发器电路提供在后级用于判断熔丝是否熔断。触发器电路根据内部延时电路产生的时钟数据操作...

本发明提供一种双极ＣＭＯＳ半导体器件的制造方法，不增加掩模数量，能够提高双极晶体管的性能，并确保稳定的特性和高的成品率。使栅极构造为三层构造，在ＭＯＳ晶体管的制造过程中插入双极性晶体管，由此，在栅极氧化后，仅通过该栅极氧化膜（薄的氧化膜...

在垂直传送寄存器与水平传送寄存器６的连接部分，使时钟ΦＶ１、ΦＶ２Ａ、ΦＶ３Ａ、ΦＶ２Ｂ、ΦＶ３Ｂ和ΦＶ１Ａ所加传送电极按所引次序排列。在寄存器６中，借助３相时钟ΦＨ１Ａ、ΦＨ１Ｂ和ΦＨ２传送。Ａ－Ａ′通道和相当各通道的信号电荷通过启动...

半导体存储器，包括多个存储单元阵列，每个存储单元阵列含有一个备份存储单元。每个存储单元阵列和数据输入－输出端的连接可以简单地由外部输入信号根据多种输入－输出的数据宽度进行导通。每个备份存储单元将外部输入的外部地址的每一位与已储存在存储单...

一种半导体器件的生产方法，其中，去除基极区上的部分氧化膜以形成开口，并通过干蚀直接在其上沉积多晶硅膜，多晶硅膜被分割为包含与基极具有相同导电型杂质的区域及包含与基极具有相反导电型杂质的区域。通过热处理，杂质从多晶硅膜扩散进基极区，形成外...

本发明提供了一种具有一个半导体芯片和一个能被安装到多层安装衬底上的安装表面，该安装表面至少有一个高度变换区域，在高度上向半导体封装的一个互连导出边下降，安装衬底的至少一部分互连通过半导体封装的互连导出边从多层安装衬底的一个安装区域向一个...

一种制造包括金属－绝缘体－金属（ＭＩＭ）电容器的半导体器件的方法，包括以下步骤：在衬底上形成第一介质膜；在第一介质膜上形成ＭＩＭ电容器；形成覆盖ＭＩＭ电容器的第二介质膜；选择性除去第一和第二介质膜，暴露衬底表面；利用盐酸进行表面处理；在...