在利用ＳＯＩ.ＣＭＯＳ技术的半导体器件中，基本元件按行以ＰＭＯＳ，ＰＭＯＳ，ＮＭＯＳ和ＮＭＯＳ或ＮＭＯＳ，ＮＭＯＳ，ＰＭＯＳ和ＰＭＯＳ的顺序设置，以直接靠近的方式形成其上ＰＭＯＳ和ＮＭＯＳ靠近的扩散层部分。此外，以相邻元件保持共用的方式...

一种灯退火装置是监视退火时的晶片１６的实际温度、由该信号控制加热晶片用的灯加热器１４的电力。监视晶片实际温度用的接触式温度传感器的热电偶１７在处理室（燃烧室）中被埋入保持晶片的基座１２或台座内，且通过在晶片面内的多个位置设置这些热电偶，...

本发明提供的一种半导体器件具有一个基于叠层电容器阵列而形成的底部台阶区域，具有形成于叠层电容器之上的连线层。布置在底部台阶区域的最远端的一个连线层的形成方式是，绕过台阶区域拐弯，其它连线层也被布置在底部台阶区域中。

一种制作半导体器件的方法，能在不损坏电容器的金属氧化物电介质的情况下可靠地连接ＭＯＳ晶体管。在半导体基片上形成具有源／漏区和栅极的晶体管，在基片上形成一个电容器，该电容器具有电容器上置、下置电极和置于电容器上置与下置电极间的金属氧化物电...

在一种半导体器件的制作方法中，首先形成双极晶体管的掩埋集电区，然后为了形成具有低施主浓度的区域（１０），将硼离子注入到至少接枝基区的下半部分中，从而减小双极晶体管集电区和基区之间的电容，以便达到电路快速运行的目的。

根据本发明所述的半导体存储器件含有一个写入电路和一个与该写入电路耦合连接的位线。写入电路的输出通过一个传输门送往对应的位线。在数据写入期间，当写入“０”时，位线上将接有一个写入电压，当写入“１”时，位线上将接有零伏电压。位线因此将不会在...

为了防止形成在接触孔或通孔中以及掩埋接触孔或通孔的绝缘膜上的厚金属氮化物膜的破裂或剥落，提供容易去除绝缘膜上的不需要金属膜、而同时留下形成在接触孔中的金属硅化物膜的方法。该方法包括以下步骤：用ＣＶＤ在形成于绝缘膜中的孔中及绝缘膜上淀积钛...

一种半导体器件，其半导体衬底（２）上形成有至少一个电极（３，３ａ）和一个焊接到电极（３，３ａ）上的内引线（６），所述半导体器件的特征在于，内引线（６）是在多个焊接点（５）焊接到电极（３，３ａ）上的。电极（３）呈矩形，矩形较长的一边垂直于...

本发明提供了制造半导体器件的方法，其中离子以不超过１×１０↑［１５］厘米↑［－２］的剂量注入到氮化硅膜中，离子的注入范围为氮化硅膜的厚度的百分之二十到六十。如果需要高生产率而又不想要硅基片有缺陷时，这种方法能使氮化物膜的应力降低。

半导体集成电路芯片被划分为多个区域，每个组合有性能变化补偿电路，性能变化补偿电路向并在该区域的以ＭＯＳＦＥＴ提供电源补偿阈值电压的变化。

在隔离膜中形成一接触孔和一开口（辅助标记）。然后用减压的ＣＶＤ工艺生长一层第一多晶硅膜。用常压ＣＶＤ工艺生长约１３００ｎｍ的氧化硅膜以形成筒形层叠的核心，将核心氧化硅膜和第一多晶硅膜制图。接着用化学机械磨光工艺，将整个晶片表面磨到约９０...

提供一种半导体器件，含有衬底、第一布线层、第一氧化膜、介质膜、第一氮层、第二布线层、通孔、和第二氮层。第一布线层形成在衬底上，第一氧化膜形成在第一布线层上。介质膜具有低介电常数，并设置在第一和第二布线层之间。第一氮层含有氮，并形成在第一...

一种固体图象传感器，它含有光电二极管；接收和转移出自光电二极管的电荷的垂直ＣＣＤ寄存器；含有垂直ＣＣＤ寄存器和光电二极管的单位象素；以二维形式设置单位象素的图象区域；接收和转移垂直ＣＣＤ寄存器的电荷的水平ＣＣＤ寄存器；探测水平ＣＣＤ寄存...

在根据本发明的半导体器体中，通过不同方法在半导体器件的基片上形成两种或多种隔离氧化膜４和１１，从而对应于在同一半导体基片１上形成的器件类型１８、１９和２０。另外，根据本发明的制造半导体器件方法包含：第一隔离氧化膜形成过程；及第二隔离氧化...

按高阻薄膜与由低阻多晶硅膜形成的结区相接触的方法，用ＳＩＰＯＳ膜构成的高阻膜制备作为ＳＲＡＭ负载电阻的高阻元件。该结构确保可以减小半导体器件的高阻元件的结电阻。

本发明的目的是提供一种半导体器件的制造方法，能够不增加光刻胶工序而形成用于元件分离的沟道。该方法还能在不降低元件制造的稳定性而在元件尺寸较小的情况下稳定地进行。在形成用于接近阱而形成的元件分离的沟道时，通过在阱形成中所用的光刻胶掩模以及...

一种可消除半导体器件热应力或半导体封装中扭曲以提高可靠性的半导体器件。为实现此目标，半导体器件采用将绝缘柔性膜和半导体芯片粘结在一起的结构。绝缘柔性膜的正面有多个电极焊盘，在其背面有多个电极与这些电极焊盘导通。半导体芯片由树脂密封在绝缘...

提供在孔内埋入Ａｌ系合金的高温溅射结束后，能够立即在无破坏下检测埋入不良的半导体器件的制造方法。在晶片上设有元件形成区和检查图形形成区，在半导体基片１和绝缘膜２上形成布线层３，在布线层３和半导体基片１上形成层间绝缘膜４，在元件形成区的层...

一种具有多层互连结构的半导体器件，其包括由具有前锥形状的主布线金属组成的布线图形，和在主布线金属的侧表面上所形成的高熔点金属的辅布线金属。布线图形整体具有的宽度基本上等于主布线金属底端的宽度。在淀积硅氧化膜以后，可在硅氧化膜上形成通孔。...

提供一种带沟槽隔离结构的半导体器件，包括半导体衬底，形成在衬底的表面区内并由第一和第二隔离介质填充的隔离沟槽，形成在衬底的表面区上覆盖隔离沟槽的层间介质层，以及形成在层间介质层上与隔离沟槽重叠的导电层。层间介质层具有位于隔离沟槽附近的接...