提供一种有高介电常数的电介质和厚的下电极的电容器，使漏导电流减小。厚的下电极形成在层间绝缘层上。通常，层间绝缘层形成在半导体衬底上。下电极有顶面、底面和侧面，顶面与层间绝缘层相对。下电极顶面上形成与其接触的绝缘帽或覆盖层。绝缘帽或覆盖层...

在一个测试设备中，一个主计算机（１０９）把测试结果数据写入一个数据库（１０９ｂ）以响应于一个数据请求输出测试结果数据。多个测试仪（１０１）中的每个进行基于一个测试程序的一个电特性测试从而为每个半导体器件生成一个测试结果信号，以便传输给主...

在本发明的一种半导体存储器中，一组用于将半导体存储器与外部连接并且被分配给多个相同功能管脚的电极焊盘同时分布在一个存储器片表面的第一象限和第二象限内，该象限由所述存储器片的中心线划分。对于一个单独的存储器片，可以在一个封装中同时实现面朝...

＊＊＊ （２） 一种负型光致抗蚀剂组合物，由以下成分组成：含有由化学通式（１）所示重复单元的聚合物，由含有化学通式（２）所示官能团的化合物组成的交联剂，和响应光而产酸的光－酸发生剂。化学通式（１）和（２）如下，式中的Ｒ↓［１］，...

一种半导体装置的制造方法是在硅衬底上形成的半导体元件的规定区域内形成高熔点金属的硅化物层的半导体装置的制造方法中，防止硅化反应的阻碍，合适地形成膜厚较薄阻抗较低的硅化物层。该方法在钛膜１０７上形成膜应力在１×１０↑［１０］ｄｙｎｅ／ｃｍ...

在用于包括导电光屏蔽层（３２）的光掩模（３）的抗静电方法中，至少两个导电针插入光掩模，从而导电针与导电光屏蔽层接触。然后，光掩模被置于电子束曝光装置的暗盒（７１）中。再通过导电板（７２）使导电针与暗盒电连接。这样，在导电光屏蔽层被电子束...

本发明涉及器件模拟方法，它适当地表达垂直电场与流过ＭＯＳ器件栅极界面的载流子之间的关系；求出第一载流子密度与第二载流子密度的比值，如该比值大于预定的数值；则从该第二网点开始向着衬底的纵深方向上查找第三网点，使得在该网点上的载流子密度与第...

所提供的半导体器件包括一半导体基片，一电容器件，一形成在半导体基片与电容器件之间使它们相互电隔离的夹层绝缘膜，在电容器件下面穿透夹层绝缘层形成有一接触孔，而在接触孔中则形成由一种导电材料组成的一接触孔塞，其特征是，由不容许氢通过的材料组...

一种制作半导体器件的方法通过形成于在第一薄膜（１０）开口的内侧的第二薄膜的开口部分向基片（１）中掺杂以形成沟道区（３），通过深刻蚀方法，去除第二薄膜（１１），形成一个槽，在基片（１）上形成低浓度杂质扩散层（１２）和导电类型与其相反的杂质...

一种半导体存储器至少包括两个存储体和一个存储各存储体识别码的ＩＤ寄存器。这种半导体存储器还包括一个识别码判认电路，用于对半导体存储器外部输入的请求识别码和ＩＤ寄存电路中的识别码进行比较。当从半导体存储器外部输入的识别码与存储在ＩＤ寄存器...

为了减少因制造条件变动而引起的掩模ＲＯＭ等半导体器件差误程序的几率，本发明的方法包括的步骤有：在半导体基片上形成存储单元晶体管、在这些晶体管上形成金属布线、形成绝缘膜埋住金属布线、平整绝缘膜以及利用加工的薄膜图形和金属布线作掩膜注入离子...

本发明的目的是提供一种对准方法，能够保持高的生产率并且实现高精度的芯片内对准。为了实现上述目的，根据本发明，提供一种对准方法，当通过投影曝光装置把掩模上的图形转印到半导体基片上时，把掩模上的图形与半导体基片上的图形进行对准，其特征在于，...

本发明提供一种热处理装置，该装置能在基质上形成有均匀厚度的薄膜，该装置包括一炉芯管；一支承大量基质的置于炉芯管内的基质支承船；具有很多吹气孔，以将工业废气吹向基质的工业废气喷射管，支承船有一旋转机构，能绕作为一旋转轴的通过基质的主表面中...

一种半导体装置及其制造方法，该装置包括至少一种含Ｓｉ－Ｈ键的夹层绝缘膜，夹层绝缘膜中的通路插头及Ｓｉ－Ｈ键部分；其制造方法主要包括有在绝缘膜上形成含Ｓｉ－ＯＨ键的夹层绝缘膜，在夹层绝缘膜上开通孔，清除表面上的Ｓｉ－ＯＨ部分，再在通孔中形...

一种半导体器件，包括：表面上形成有槽的半导体区，形成在槽内壁上的第一绝缘膜，形成在槽中并且厚度小于槽深度的栅极和形成在栅极上的第二绝缘膜，其特征在于，半导体区包括：具有第一导电性的漏区，具有第二导电性的基区和具有第一导电性的源区，并且漏...

本发明提供了半导体存储设备的一种输出电路，它能防止两个晶体管位于ＯＮ－ＯＮ状态，包括：第一与第二传输门，第一与第二锁存器，预充电信号发生器，第一与第二晶体管驱动器，第一与第二互补的输出晶体管。在互补的第一与第二读总线数据信号分别被第一与...

在制造半导体器件的方法中，在预定条件下，在气体气氛中，在晶片的非晶硅表面上形成晶核。在预定时间内对晶片退火，以便生长晶核和形成半球形颗粒（ＨＳ－Ｇｓ）。在完成退火时，供应用于防止硅原子表面迁移的气体，由此停止ＨＳＧ生长。

在一种具有安装半导体芯片的载带的半导体器件中，半导体器件是用树脂密封的，且在载带的周边部分形成树脂热喷部分。从而转移载带，以在转移过程保持载带形状不变。

本发明制造半导体器件的方法基本包括以下步骤：（ａ）在半导体衬底上第一区中形成有固定栅极间距的大量第一晶体管，并在半导体衬底上第二区中形成有宽于第一晶体管的栅极间距的栅极间距大量第二晶体管；（ｂ）用固定厚度的绝缘膜覆盖第一区和第二区的整个...

本发明提供一种半导体器件，其中包括形成于硅衬底１１的正面上的栅绝缘膜１３、２１；由多晶硅构成的栅极１４、２２；和一个高密度掺杂层１７，其中栅极２２的部分侧面与该高密度掺杂层之间通过一个金属硅化物层２３电连接。