为了在由设计规则中限定的最小长度隔开的位线（２３）之间的层间绝缘结构（２２／２４）内形成节点接触孔（２７），首先初始节点接触孔（２５）以长度大于最小长度的方式在位线之间的层间绝缘结构内形成，绝缘侧壁间隔层（２６）形成在限定初始节点接触孔...

制备具有吸气能力的晶片（１０），例如其后表面上具有淀积的多晶硅的ＰＢＳ晶片、其中含有氧沉淀物的ＩＧ晶片等等。在晶片（１０）上形成元件分离硅氧化膜（２），和第一硅氧化膜。然后晶片（１０）逐渐冷却到低温，或者冷却到低温然后在固定时间内保持在...

一种带有防止静电放电保护电路的半导体集成电路，其中一个箝位件与ＭＩＳ晶体管相连，以在带电器件模型下防止击穿，一寄生双极晶体管、ＭＯＳ晶体管或其栅极由比转换门的绝缘膜厚的绝缘膜构成的ＭＩＳ晶体管可用作箝位件。

一种用于设定掩膜可编程半导体器件的多个单元晶体管沟道区的多个不同的阈值电压电平的方法，它包含如下步骤：进行第一编码选择离子植入，将第二种杂质掺入所述多个掺有第一杂质以具有第一阈值电压电平的单元区的至少第一个所选出的区域中，从而使所述从单...

一种半导体集成电路器件，包括：含多个晶体管的多级放大器。该多级放大器具有包括多个双极晶体管的第一级，每个双极晶体管具有单发射极结构。该双极晶体管相互并联连接。该半导体集成电路器件容易设计，属于自对准结构，具有单一的晶体管尺寸。该半导体集...

本发明涉及一种ＣＳＰ型半导体器件及其生产方法。通过线接合，把半导体芯片上的每个焊头连接到引线的端头部分，然后把该引线弯折成弯折部分。每个端头部分向着半导体芯片移动。然后，用模制树脂把上述结构密封起来。这样，可以放宽由线接合过程使用的毛细...

在制造半导体器件过程中，形成有第一相结构的难熔金属硅化物层。在这情况下，在半导体衬底被加热的状态下，在进行难熔金属淀积操作期间，可形成有第一相结构难熔金属硅化物层。另一种办法是，首先在真空状态下淀积难熔金属膜，然后，在真空状态下加热半导...

在位于槽隔离部分附近的部分硅衬底中注入用于提高氧化速率的离子，例如氩。或者，在除槽隔离部分附近的部分以外的硅衬底部分中注入用于降低氧化速率的氮离子。然后，进行热氧化，从而形成厚度等于或大于其中部的厚度的栅绝缘膜。因此，防止了由于在栅极端...

一种半导体装置的制造方法，其特征在于，它包括如下步骤：在一半导体衬底上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成导电膜；处理导电膜以形成一电极布线层，该布线层端部位于半导体衬底外周部位上的第一绝缘层的一端部的里侧；在包含第一内层绝缘膜和电极布线...

一种基片清洗方法和装置。包括：提供含有微细氩气颗粒或二氧化碳气体颗粒的清洗流体给真空容器中的喷嘴单元，该喷嘴单元中设置喷孔以把清洗流体吹向一组空间，在该组空间内从其前侧到后侧同时安置有一组清洗目标基片；把清洗流体排出到真空容器外部，保持...

一种光掩模具有一个用一条遮光带（１１ａ／１１ｂ）实现的主图形（１１）以及一个用半透明带（１２ａ－１２ｆ）实现的副图形（１２），遮光带与半透明带的宽度相等，以致能使遮光带接近分辨率而不损坏副图形的效应。

一种具有高熔点金属硅化物的半导体装置制造方法，包括下述步骤：在半导体衬底上形成掺有杂质的硅膜；在所述硅膜上形成高熔点金属膜以及通过热处理使所述硅膜与所述金属膜反应形成高熔点的金属硅化物膜。

本发明提供了一种半导体器件制造方法，在一个硅区上形成一第一难熔金属薄膜。在其上形成第二难熔金属薄膜。第二难熔金属薄膜含有与第一难熔金属薄膜相同的难熔金属以及氮元素。第一和第二难熔金属薄膜在不含氮的保护气中被热处理，从而在硅区与第一难熔金...

一种半导体器件及其制造方法，其中用于在制造区域内形成布线图形的第一光刻胶图形和用于形成诸如对准标记的附属图形的第二光刻胶图形之间的高度差或台阶大大减小了。第二光刻胶图形形成在突起部分上。该突起部分是由故意留下的，由对应于第一和第二层间绝...

一个半导体集成电路器件在半导体芯片和球栅阵列之间有一个保护结构，并且该保护结构具有一个粘合在半导体芯片表面的薄的聚酰亚胺膜以及一个覆盖在连接表面焊盘与球栅阵列之间的导电带上的厚的应力缓冲层；当热应力施加在球栅阵列上时，厚的应力缓冲层可使...

一种制造半导体器件的方法，包括的步骤有：在具有ＳＯＩ结构的一基片上形成一器件分离区以截断第一和第二器件形成区；在第一和第二器件形成区上形成栅氧化膜；将第一和第二导电型杂质引入第一和第二器件形成区，至少在第一器件区上用第一导电型杂质形成一...

在半导体装置中，汇流条（４ａ）上设有凸起（９ａ）。鉴于树脂充填时产生横向偏移，利用该凸起和金属线（１３ａ）之间的位置关系来控制金属线的横向偏移量。可将该凸起设置在悬吊杆或引线框的另一部分上。可设置缺口来代替凸起。

本发明的目的是提供用作半导体器件中的键合线的涂层细金属线及使用这种涂层细金属线的半导体器件。根据借助于放射处理去掉涂层细金属线的绝缘层的常规方法，在不损伤细金属线和保证高稳定性的情况下很难去掉绝缘层。根据本发明的涂层细金属线的绝缘层含有...

一种半导体器件的制造方法包括：在半导体基片上依次形成铝膜、阻挡金属膜和中间绝缘层；在中间绝缘层的整个表面上形成ＰＶＤ－Ａｌ膜，并在其上腐蚀开出通路孔使阻挡金属膜的部分上表面暴露；以ＰＶＤ－Ａｌ膜表面上自然形成的氧化物膜作为掩膜，用选择Ｃ...

本发明公开了一种模压ＢＧＡ型半导体器件，其具有：半导体芯片，在除焊盘以外的半导体芯片表面的至少一部分上形成绝缘树脂膜；在绝缘树脂膜上的一定区域上形成导电层，该区域包括至少部分对应于安装有焊球的位置；第一金属细线，其是焊盘与导电层之间的键...