【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种具有多级互连结构的。多级互连技术被用于较高密度地集成半导体集成电路。在此多级互连技术中，布线层必须在一平面绝缘层上形成。作为获得这样一平面绝缘层的方案，化学和机械抛光是可行的。例如，当要形成一两级互连结构时，在第一电极布线层形成后要形成级间绝缘膜，而第二电极布线层则形成于级间绝缘膜之上。因为第一电极布线层的形成而使得级间绝缘膜表面上出现一个台阶，所以级间绝缘膜的表面是不平整的。相应地，级间绝缘膜可以通过上述CMP方法平整化，第二电极布线层则形成于平整化后的级间绝缘膜上。电极布线层可利用光刻、蚀刻或类似工艺形成。在光刻工艺中，在晶片周边部位上的可剥离保护膜所引入的外界物质会降低半导体装置的产量并相应产生一个问题。下面简要介绍可剥离保护层。制造半导体集成电路中，在涂敷于晶片上的光刻胶上利用光刻技术形成图案，用形成的图案作为掩膜蚀刻金属材料，由此形成电极布线层。在此蚀刻过程中，用夹子夹住晶片的周边部位而在蚀刻装备中固定晶片。更具体地说，在处理一包覆有保护层的晶片时，夹子和晶片的外周部位的保护层膜相互在晶片周边接触。当夹子以这种方式与保护层膜接触时...
【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，它包括如下步骤：在一半导体衬底（１０１）上形成第一绝缘层（１０２ａ）；在所述第一绝缘层上形成导电膜（１０４）；处理导电膜以形成一电极布线层（１０４ａ），该布线层端部位于半导体衬底外周部位上的 第一绝缘层的一端部的里侧；在包含所述第一绝缘层和所述电极布线层的半导体衬底上形成绝缘膜（１０６）；处理所述绝缘膜形成第二绝缘膜层（１０６ａ），该第二绝缘膜层的端部位于半导体衬底外周部位上的电极布线层的端部外侧。
【技术特征摘要】
JP 1997-10-8 275768/19971.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，它包括如下步骤在一半导体衬底(101)上形成第一绝缘层(102a)；在所述第一绝缘层上形成导电膜(104)；处理导电膜以形成一电极布线层(104a)，该布线层端部位于半导体衬底外周部位上的第一绝缘层的一端部的里侧；在包含所述第一绝缘层和所述电极布线层的半导体衬底上形成绝缘膜(106)；处理所述绝缘膜形成第二绝缘膜层(106a)，该第二绝缘膜层的端部位于半导体衬底外周部位上的电极布线层的端部外侧。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括利用化学和机械抛光平整所述绝缘膜的表面，且形成所述第二绝缘层的步骤中包括通过处理所述平整化后的绝缘膜而形成所述第二绝缘层。3.如权利要求1所述的方法...
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