【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件的互连，特别涉及在不同杂质注入区上同时形成的接触的半导体器件，其中掺杂多晶硅层同时形成在接触孔内，以便通过欧姆接触层电连接到具有不同导电类型的杂质区上，本专利技术还涉及形成用于互连的接触的方法，其中掺杂多晶硅层淀积在对应于具有彼此不同的导电类型的杂质区的接触孔中。在半导体工业中，其连续的发展趋势是制造提高复杂性的集成电路。通过集成电路制造技术的改进可以使极度复杂化、高密度的集成电路的制造成为可能。为保持小晶片(die)尺寸，高密度集成电路现在共同形成有多级金属互连。一般地，金属互连层被层间绝缘层分隔开并通过留在选择金属互连层中的金属-填充通路电连接。附图说明图1a-1c是表示在半导体器件中形成接触的现有技术方法的流程图。参见图1a，在半导体衬底10中形成n+型杂质区12和p+型杂质区13。在半导体衬底10上形成层间绝缘层14。在层间绝缘层14中开接触孔16a和16b，由此暴露部分杂质区12和13。参见图1b，在接触孔16a和16b的底部上形成欧姆接触层18a和18b，例如硅化钛层。在形成欧姆接触层18a和18b之后，在接触孔16a和1...
【技术保护点】
在半导体器件中形成接触的方法，包括以下步骤： 在具有第一和第二杂质区的半导体衬底上形成层间绝缘层，所述第一和第二杂质区具有彼此不同的导电类型； 选择腐蚀所述层间绝缘层，从而在对应所述第一和第二杂质区的部分上形成至少两个接触孔； 在所述接触孔的底部上形成欧姆接触层； 用掺杂多晶硅层同时填满所述接触孔。
【技术特征摘要】
KR 1997-12-4 65841/971．在半导体器件中形成接触的方法，包括以下步骤在具有第一和第二杂质区的半导体衬底上形成层间绝缘层，所述第一和第二杂质区具有彼此不同的导电类型；选择腐蚀所述层间绝缘层，从而在对应所述第一和第二杂质区的部分上形成至少两个接触孔；在所述接触孔的底部上形成欧姆接触层；用掺杂多晶硅层同时填满所述接触孔。2．如权利要求1的方法，其中所述第一和第二杂质区分别地为n+型和p+型，或相反。3．如权利要求1的方法，其中所述欧姆接触层包括硅化物层。4．如权利要求3的方法，其中所述硅化物层...
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