【技术实现步骤摘要】
存储器单元结构，尤其是DRAM装置、ROM装置、EPROM装置及EEPROM装置，具有多个存储器单元，它们通常构成矩阵状结构。各个存储器单元可通过一个位导体及一个字导体控制。存储器单元各具有一个存储元件，在其中存储信息。信息的存储例如是通过在存储器电容中存储电荷，通过在浮动的栅极上存储电荷、或通过晶体管特性如使用电压、或通过存在及不存在对位导体的导电连接来实现的。为了读出信息，各个存储器单元顺序地通过所属字导体及位导体控制，及通过电压或电流求值读出信息(例如见Y.NaKagome等人的文章，IEEE固态电路杂志，第26卷第4期，1991年，第465至470页)。电流求值在读出速度上优于电压求值，但是它需要增加电路成本。为了使读过程加速，使多个、例如256个存储器单元组合成一个单元块。然后使各个单元块并行地被读出。但是，单个单元块中的读出过程始终是顺序地进行的。在可电写入的存储器单元结构，例如DRAM装置或EEPROM装置中，为了写入信息，相应的存储器单元同样通过所属位导体及字导体控制。同时使位导体用一个电压电位供电，该电位相应于被写入的信息。在所有的存储器单元中信息...
【技术保护点】
存储器单元结构－其中一个半导体衬底设有多个存储器单元，－其中每个存储单元至少具有相对半导体衬底主平面垂直的选择晶体管，它与一个存储元件（１２１、１２２、１２３）相连接，－其中每个存储器单元可通过第一字导体（１１２′）及第二字导体 （１１５）控制，其中第一字导体（１１２′）与第二字导体（１１５）相垂直。
【技术特征摘要】
DE 1997-12-17 19756183.71．存储器单元结构-其中一个半导体衬底设有多个存储器单元，-其中每个存储单元至少具有相对半导体衬底主平面垂直的选择晶体管，它与一个存储元件(121、122、123)相连接，-其中每个存储器单元可通过第一字导体(112＇)及第二字导体(115)控制，其中第一字导体(112＇)与第二字导体(115)相垂直。2．根据权利要求1的存储器单元结构，-其中每多个存储器单元被组合成一个单元块，-其中每个单元块的存储器单元与一个共同的位导体(22)相连接。3．根据权利要求1或2的存储器单元结构，其中存储器单元各具有一个第一选择晶体管及一个第二选择晶体管，它们相串联，及其中第一选择晶体管被第一字导体控制，和第二选择晶体管被第二字导体控制。4．根据权利要求3的存储器单元结构，-其中第一选择晶体管被构成相对半导体衬底主平面(11)垂直的晶体管，及-其中第一选择晶体管及第二选择晶体管相互叠置。5．根据权利要求4的存储器单元结构，其中第二选择晶体管被构成相对半导体衬底主平面(27)垂直的晶体管。6．根据权利要求4或5的存储器单元结构，-其中半导体衬底具有半导体柱，该半导体柱与主平面(11)相邻接及它的侧面垂直主平面(11)，-存储器单元的每一个选择晶体管被构成为MOS晶体管并且至少设在每个半导体柱的一个侧面上。7．根据权利要求5的存储单元结构，-其中半导体衬底具有半导体柱，该半导体柱与主平面垂直及布置成格状，-其中存储器单元的第一选择晶体管和第二选择晶体管分别沿着一个半导体柱的至少一个边缘设置，-其中第一字导体(214)具有环形元件，后者包括相邻的半导体柱及彼此相连接，-其中垂直于第一字导体(214)延伸的第二字导体(218)具有环形元件，后者包围着相邻的半导体柱及彼此相连接。8．根据权利要求1或2的存储器单元结构，其中存储器单元仅各具有一个选择晶体管，它通过第一字导体及第二字导体控制。9．根据权利要求8的存储器单元结构，-其中半导体衬底具有半导体柱，后者具有与主平面(27)垂直的侧面及布置成格状，-其中一个存储单元的选择晶体管沿至少一个半导体柱的一个侧面设置，该选择晶体管具有一个源极区、一个漏极区、第一栅极电极及第二栅极电极，第一及第二栅极电极在源极区和漏极区之间彼此叠置，-其中第一字导体(214)具有环形元件，后者包围相邻的半导体柱及彼此相连接，-其中与第一字导体(214)垂直延伸的第二字导体(218)具有环形元件，后者包围相邻的半导体柱及彼此相连接，-其中第一字导体(214)与第一栅极电极相连接，及第二字导体(218)与第二栅极电极相连接。10．根据权利要求1至9中一项的存储器单元结构，其中设有一个存储电容作为存储元件。11．根据权利要求10的存储器单元结构，-其中位导体作为在半导体衬底中开沟的位导体来实现，-其中存储电容设在半导体衬底主平面上和/或高于该主平面。12．制造一种存储器单元结构的方法，其中构成存储器单元，这些存储器单元至少各具有一个纵向的选择晶体管，后者与存储器元件相连接，及各存储器单元可通过第一字导体及第二字导体控制，其中第一字导体与第二字导体相垂直。13．根据权利要求12的方法，-其中在半导体衬底的主平面中蚀刻出第一沟及第二沟，其中第一沟与第二沟相垂直，以致形成半导体柱，这些半导体柱用相邻的第一沟及相邻的第二沟作边界并具有垂直主平面延伸的侧面，-其中各存储器单元的选择晶体管沿一个半导体柱的至少一个侧面这样地构成，即源...
【专利技术属性】
技术研发人员：F霍夫曼，L里施，W克劳特施奈德，T施勒舍尔，W勒斯纳，PW冯巴斯，
申请(专利权)人：西门子公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]
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