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一种存储器单元结构在半导体衬底上包括多个存储器单元，各存储器单元至少具有一个选择晶体管，该晶体管连接在位导体及存储元件之间。这些存储器单元各可通过第一字导体及第二字导体控制，其中第一字导体与第二字导体相垂直，该存储器单元结构尤其是一个ＤＲＡ...
该专利属于西门子公司所有，仅供学习研究参考，未经过西门子公司授权不得商用。

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