在这种半导体过程器件仿真方法中，一个系数矩阵是由排列在对应于每个网格点的任何一条主对角线上的一个主对角线子矩阵构成，该主对角线子矩阵具有对应于网格点数量的行数与列数，以及一个非对角线矩阵排列在通过对应于该网格点的主对角线位置并且表示对应...

在半导体衬底上将要形成栅极的区域、将要形成源和漏扩散区的区域中形成导电层。然后，利用设置于靶和导电层间的接地电荷俘获部件溅射用于溅射的靶，从而在导电层上形成金属膜。

在一种半导体器件生产方法中，在非晶硅膜上生长半球形晶粒，用过氧化氢氨水溶液在一室温度下清洗硅晶片，或用过氧化氢盐酸水溶液，然后，浸入稀氢氟酸中，此后，用清水对其清洗，然后，用异丙基乙醇干燥晶片的非晶硅表面。

一种叠层型动态随即存取存储器器件，在内层绝缘层内形成有节点接孔，存储器电极通过节点接孔与存取晶体管的源极区保持接触，用光刻技术及蚀刻制作节点接孔及存储器电极，其中用于节点接孔（ｄ０／ｄ１）光刻胶掩膜的厚度与存储器电极的不同，其差值等于周...

提供具有即便是把添加了氟的硅氧化膜等的吸湿性高的膜作为层间绝缘膜来使用，也不会发生可靠性的问题的熔断丝构造的半导体装置及其制造方法。在形成于半导体衬底上层间绝缘膜１上，依次形成下层金属布线２，层间绝缘膜３，上层金属布线４，使得和下层金属...

为了减少硅衬底与在ＣＶＤ（化学汽相淀积）装置中外延生长的Ｓｉ或Ｓｉ↓［１－ｘ］Ｇｅ↓［ｘ］层之间的硼浓度，在装入ＣＶＤ设备之前，预处理衬底，以防止衬底受净化间内的硼的沾污。而且，根据一个实施例，在衬底装入生长室之前，用Ｆ↓［２］气体在预...

一种具有至少一个水平ＣＣＤ寄存器的固态成像装置，其中的水平ＣＣＤ寄存器被由一种树脂材料制成的遮光膜覆盖。

一种半导体器件，可以减少外围电路中ＭＯＳＦＥＴ源／漏区的薄层电阻，而不会降低非易失性半导体存储单元的数据写速度。该器件包括在同一衬底上形成的非易失性存储单元和外围电路。非易失性存储单元由具有第一导电类型的第一组ＭＯＳＦＥＴ形成，外围电路...

一种半导体器件制造设备，包括至少一个反应室和一个设于反应室的衬底支架，在反应室中氮化硅膜淀积在衬底支架上，半导体衬底置于反应室中衬底支架的氮化硅膜上。以钛的卤化物为原料气体通过化学汽相淀积工艺在反应室中在半导体衬底上淀积钛膜或氮化钛膜。

一种半导体器件，具有利用各向异性硅选择性生长技术生长的接触焊盘，包括与扩散层交叉的第一字线，扩散层形成在衬底上并且被元件隔离区以直角包围，第二字线平行于形成在扩散层圆角部上的第一字线，扩散层的区域被第一和第二字线矩形分隔。从而实现从扩散...

提供一种半导体器件的制造方法，使形成带双漏结构的ＭＯＳＦＥＴ的源／漏区的浅外延成为可能。在步骤（ａ）中形成栅极；在步骤（ｂ）中，将第二导电型的掺杂物离子注入衬底中，形成第一和第二掺杂区。在步骤（ｃ）中，形成一对侧壁间隔层；在步骤（ｄ）中...

聚对亚苯基二甲基的聚合物由于其小的介电常数而希望用于层间绝缘层；但是，聚对亚苯基二甲基的二聚物／单聚物在淀积过程中引入到聚合物层（２３）中，在聚合物层上淀积硅氧化物过程中，残余二聚物／单聚物释放出气体（ＰＡ３），从而硅氧化物层容易从聚合...

一种蚀刻方法，其可在蚀刻作为下层的ＴｉＮ膜时防止侧蚀（侵蚀）作为上层的ＡｌＣｕ膜的方法，在用氧化膜作为掩膜蚀刻ＡｌＣｕ膜／ＴｉＮ膜的叠层膜时，不用氯气，而用包含氯原子的混合气体及用蚀刻气体和附加气体的混合气体对下层上的ＴｉＮ膜进行蚀刻，...

一种ＭＯＳ（金属氧化物半导体）器件，包括硅基片，形成在基片上的绝缘膜及形成在绝缘膜上的薄硅膜。ＭＯＳ器件具有第一导电型的沟道区，扩散到绝缘膜的第二导电型的源／漏区，及具有高熔点的金属硅化物。通过多晶硅层形成金属硅化物与绝缘膜之间的薄硅膜...

在半导体器件制造方法中，ＨＢｒ的气体（腐蚀气体）被制成等离子体，同时其气压保持在等于或小于２ｍＴｏｒｒ，等离子体的离子元素在等于或大于１５０Ｗ的偏置功率下被加速，以腐蚀硅化钛膜１１。然后，ＨＢｒ气体进一步制成等离子体，同时其气压保持在５...

一个垫块由一个衬垫，一个输出缓冲器电路和一个内部电路提供。内部电路和输出缓冲器电路之间的区域用作一个元件配置禁止区。在此区域中，内部电路和输出缓冲器电路彼此相连。内部电路利用穿过元件配置禁止区的至少两个布线层连到一个形成于芯片的一个内部...

在半导体晶片上，在芯片区域以外的区域中，例如晶片的周边部分中，形成多个对准标记，并与芯片尺寸和芯片区域的排列无关。然后对这种预先制造的晶片根据电路设计数据进行电子束曝光。电子束曝光一般是通过使用对准标记的球形对准进行的。

一种输出缓冲电路，其包括上拉部分，用以连接电源线Ｖｃｃ和阻抗控制端；比较器，用以将阻抗控制端的电位与Ｖｃｃ／２电位进行比较；ＵＰ／ＤＯＷＮ计数器，用以根据比较结果对时钟信号的时钟脉冲进行上行计数和下行计数；Ｄ／Ａ转换器，用以对ＵＰ／ＤＯ...

一种半导体器件，其至少具有一个存储单元阵列区，在这个存储单元阵列区中以阵列的形式设置多个存储单元，至少在存储单元阵列区的最外面的边沿部分设置的一边沿部分。在边沿部分设置一个栅极，相邻于该栅极有一电容接触部分。栅极按一预定的距离偏向存储单...

半导体器件的生产方法包含如下步骤：在半导体基片上形成绝缘膜，在绝缘膜上形成由导电材料构成的导电薄膜，在导电薄膜上形成由有机材料构成的防反射敷层，在防反射敷层上形成光敏光刻胶膜，通过曝光在光刻胶膜上显影预定的光图像，以形成光刻胶图形，用包...