通过溅射法将Ｔｉ膜形成在其上形成有元件的半导体衬底上。使用在１ｍＴｏｒｒ的Ａｒ气体压力和４．４ＫＷ的ＤＣ功率的条件下通过使用常规的ＤＣ磁控管溅射单元形成所述Ｔｉ膜。在这些条件下，在开始之后１秒钟开始放电的膜形成初始阶段中，Ｔｉ膜保持连续...

一种半导体存储装置设置块选择线Ｂ↓［１］～Ｂ↓［ｉ］使与普通存储单元阵列１ａ相对应的块选择线和与冗余存储单元阵列１ｂ相对应的块选择线实现公用。在测试模式以及在正常模式中当普通存储单元阵列１ａ内的正常存储单元被选择时，块选择线选择电路依照...

一种电子束直接绘图方法，它包括以下步骤：将用于在芯片上采用电子束直接绘制半导体器件图形的绘图数据转换成一种可识别的格式；将已转换的绘图数据划分成多个域，也就是电子束偏转区域；在芯片上采用单步和重复方法对应于每一个划分的域按绘图数据来绘制...

一种球栅阵列型半导体器件，包括：引线框架，具有岛和带焊球安装部分的内引线，内引线的内周边面向岛的外周边；安装在岛上并具有焊盘的半导体芯片；连接内引线和电极焊盘的焊线；密封至少半导体芯片和焊线的树脂；安装在焊球安装部分上的导电球；以及支撑...

能消除在布线板与安装在布线板上的半导体芯片之间注入的底层树脂的硬化压力的装配半导体器件的方法。底层树脂与密封元件粘合树脂同时被硬化。或者，由密封元件密封的密封空间被底层树脂充满。

在具有大量半球形的粒的存储电极形成工艺中，在大量半球形晶粒在存储电极表面形成之后，在２０ｋｅＶ－５０ｋｅＶ的离子注入能量下将磷或砷离子注入到半球形晶粒中。

一种半导体存储器包括多个存储体，一个时序控制电路，以及锁存电路。该时序控制电路是安排给存储体公用的，并且它以预定的时序以预定顺序为激活每个存储体输出一个信号以及为预充电每个存储体输出一个信号。每个锁存电路安排给每个存储体并且锁存来自时序...

本发明涉及一种半导体器件，该器件包括：具有第一导电类型的半导体基片；一个栅极；在基片上形成的分别位于栅极相应两侧的具有第二导电类型的源和漏扩散层；一个具有第二导电类型的低浓度扩散层，在本发明所涉及的半导体器件中，一个具有第二导电类型的中...

在半导体基片的相同位置处进行脉冲ＣＶ特性的测量和ＳＩＭＳ测量。对ＳＩＭＳ分布图用最小二乘方法进行校正，使得从ＳＩＭＳ分布图得到的一剂量与载流子浓度分布中得到的一剂量相一致；在引入多种杂质的情况下，进行脉冲ＣＶ测量和ＳＩＭＳ测量，根据每次...

一种半导体器件，包括：第一半导体本体；在第一半导体本体中的扩散层；和在第一半导体本体上与扩散层相邻的绝缘层和在绝缘层上的导电层的叠层结构。在叠层结构的侧壁上形成其宽度为Ｗ的绝缘间隔层。设置第二半导体本体，其具有用于在扩散层与导电层之间建...

一个位于半导体芯片上的标识晶体管电路，包括一个Ｐ－型ＭＯＳ晶体管和一个Ｎ－型ＭＯＳ晶体管，相互串联在电源接点和地接点之间；一个第一反相器与测试信号端相连并输出给Ｎ－型ＭＯＳ晶体管的漏极；一个第二反相器与第一反相器的输出相连并输出给Ｐ－型...

在具有片上引线结构的半导体器件中，一薄板（９）被安置在半导体元件（１Ｂ）的外围区域，其厚度大体上与半导体元件的厚度相同。

在相对于氧化硅膜、多晶硅膜和硅膜有选择地各向异性地干腐蚀氮化硅膜的方法中，衬底温度被设置在１０℃或更低，并且包含氟、碳和氢的复合气体与一氧化碳（ＣＯ）相混合的气体被用做反应气体。借助于这种方法，有可能相对于氧化硅膜、多晶硅膜和硅膜的任意...

在硅衬底上形成栅氧化膜和多晶硅层，并在多晶硅层上形成光刻胶图形。用光刻胶作掩模，利用如ＣＦ↓［４］、ＣＨＦ↓［３］、ＣＨ↓［２］Ｆ↓［２］、和Ｃ↓［４］Ｆ↓［８］等ＣＦ型气体或包括ＣＦ类气体的混合气体腐蚀硅层的一半。在腐蚀孔的侧壁上留下...

在一种工件传送方法中，在分别为相应于处理条件的多个处理单元组设置的多个储存架中临时存放被传送工件。当储存架中存放的工件数量超出储存架的容量时，在另一个可用的储存架中存放从相应储存架中溢出的工件。把存放在储存架中的工件传送到相应于处理条件...

一种快速存储器，具有浮动栅极、控制栅极和擦除栅极，栅极相互绝缘，从浮动栅极的拐角边缘提取电子，经过绝缘膜，进入相对的擦除栅极，由此完成擦除数据过程，其中浮动栅极和擦除栅极之间的绝缘膜其厚度在浮动栅极的拐角部分是均匀的。

一种半导体元件及制造方法是在半导体芯片３的电极片５上接合内引线２Ａ的情况下，使用具有宽度比和内引线２Ａ直通的方向的电极片开口部宽度大且长度比并行方向的电极片开口部的长度短的前端部的焊头１。利用上述方法特别是在ＴＡＢ方式的内引线接合中，在...

提供一种Ｓｉ氧化的模拟方法，能减少模拟时间。在ＳｉＯ↓［２］区内各节点运行氧化剂的扩散方程计算在Ｓｉ／ＳｉＯ↓［２］界面氧化剂的表面浓度，从而得到此时刻在每一节点氧化剂表面浓度的第一值。调节ＳｉＯ↓［２］区中的该第一值以产生第二值。对于...

配有ＴＡＢ（载带自动键合）带的半导体器件。在ＴＡＢ带的一个表面上形成布线的预定图形，具有在公共布线层中的两个或更多个芯片电极的半导体芯片设置于ＴＡＢ带的另一个表面上。布线和芯片电极通过凸点电连接，该凸点以与芯片电极相面对的关系设置于通孔...

塑封半导体器件，不用悬式键合技术便可用总线条加固电源线／地线，包括（ａ）有第一和第二多个键合焊盘的表面的ＩＣ芯片，第一和第二焊盘分别设于表面中心和外围区；（ｂ）内端固定在表面上的引线条，其至少一根为芯片电源线／地线的一部分；（ｃ）与该根...