一种用灯管装置加热和退火放入腔室内的产品晶片的灯管退火炉。这种退火炉包括装载产品晶片的第一腔室，仅仅装载样本晶片与第一腔室邻近的第二腔室，测量第一腔室和第二腔室内的温度的高温计，和加热第一腔室和第二腔室内的晶片的灯管。样本晶片被周期性地...

一种半导体存储器件包括多个存储单元、行子译码器、行主译码器和减压装置。存储单元排列成矩阵形式。行子译码器选择存储单元的每行。行主译码器译码行地址信号并把控制信号输送给行子译码器。行主译码器是由至少一个具有ＰＮ结击穿电压的晶体管构成。减压...

提供一种在一次ＰＲ中完成为形成三沟道的埋入扩散层离子注入和为在一个芯片内形成两种不同膜厚的门极氧化膜的氧化膜蚀刻的制造方法，可以降低成本，并使电路高速化。在形成门极的区域在硅氧化膜上在给定宽度内形成抗蚀剂掩膜，隔着上述抗蚀剂掩膜以给定的...

一种半导体集成电路器件，该器件包括半导体衬底（１）；形成于半导体衬底（１）上的多个扩散层（５）；形成于半导体衬底（１）上的多个栅极（９），且栅极（９）与扩散层（５）相交，以限定由栅极（９）和扩散层（５）包围的区域（８ａ）；覆盖半导体衬底...

大气压条件下的化学汽相淀积系统，包括平行延伸用于以间隔传送半导体晶片（１５ａ／１５ｂ）的多个网状传送带（１２ａ－１２ｇ），位于所述多个网状传送带（１２ａ－１２ｇ）上用于加热传送带上的反应区的反应气体注入器（１３ｂ），和用于移动多个传送带...

通过在由两个位线形成的平行线上设置由两个字线形成的垂直线形成＃形状，作为形成在半导体衬底上用于自动重叠测量的外方框标记。由此，通过使用一个方框标记可同时测量字线方向上的不对准值和位线方向上的不对准值。当在由字线和位线形成的＃形结构的布线...

本发明提供一种高电阻负荷静态型ＲＡＭ及其制造方法，能够把驱动晶体管的栅电极和传输晶体管的扩散层与高电阻负荷连接而不会与半导体衬底短路。在连接形成在半导体衬底１的驱动晶体管的栅电极４、作为传输晶体管的源极.漏极的扩散层５和作为高电阻负荷的...

在一种利用折叠位线系统的半导体存储器件中，多条位线被放置于水平方向上，而多条字线放置于垂直方向。多个器件区域图案被设置为与位线和字线相交。相邻器件区域图案之间间隔距离等于第一间隔，而相邻器件区域图案的最接近部分之间的间隔距离等于第二间隔...

一种半导体装置的制造方法是用夹具环遮蔽硅圆片的外周缘部由溅射法形成ＴｉＮ势垒膜，然后用内径尺寸大的夹具环由溅射法形成Ｃｕ片膜。让Ｃｕ片膜覆盖ＴｉＮ势垒膜在广面积上形成。即使在ＴｉＮ势垒膜和Ｃｕ片膜覆成膜时发生位置错位，也可以防止ＴｉＮ势...

本发明提出一种用于生产半导体器件的工艺过程，其构成为：一个在半导体晶片上生成金属布线图的工序，一个安置许多带有布线图的半导体晶片并用清洗液对其进行清洗的工序（清洗工序），一个使清洗后的半导体晶片高速旋转以甩出粘附在半导体晶片上的清洗液的...

提供一种半导体器件的制造方法，所述半导体器件包括带有由外延生长或离子注入形成的基区的双极晶体管。双极晶体管有外延硅集电极层、直接在发射极下且被限定为本征基区的基区、和被限定为外基区的周边区域。所述方法包括下列步骤：借助用于形成小孔的光刻...

本发明提供一种半导体贮存夹具、操作方法以及生产系统，由于具有能够同时进行开闭动作和转移动作的结构，所以能不延长ＬＴ，能够抑制费用的增加并且能够抑制由人产生尘埃造成的影响。具有从上方对台面４上的托架２罩住的结构６，且在两侧设置蒙罩住内部托...

一种铁电存储器件包括通过绝缘薄膜（９）在半导体衬底（１）上形成的铁电电容元件。该铁电电容元件包括下电极（３）、在下电极上形成的铁电薄膜（４），以及在铁电薄膜上形成的上电极（５）。上电极具有叠层结构，后者含有与所述铁电薄膜连接的第一金属的...

一种非易失存储器，包括：第一导电型的半导体区域（１）；以及第二导电型的杂质扩散层（５），所述杂质扩散层是通过在所述半导体区域的预定区域中掺入与所述第一导电型不同的所述第二导电型的杂质而形成的，所述杂质扩散层（５）被用作为一位线。所述杂质...

本发明提供一个包含具有优异特性的、在同一衬底上的一个全耗尽型ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ和一个部分耗尽型ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的半导体器件。在图２Ｅ中，通过用元件隔离膜４隔离，半导体器件１０被提供了在同一ＳＯＩ衬底上的全耗尽型ＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴ１...

这里提供的一种地址解码电路包括（ａ）第一地址解码器（ｂ）第二地址解码器以及（ｃ）一个逻辑电路。在一种检测模式根据该选择信号，地址解码电路选择一个用于检测的地址的解码结果，这是外围宏程序库持有的。因此，当外围宏程序库安装在不同的芯片上时，...

在一种半导体器件制造方法中，在半导体基片上的金属布线层上形成钝化膜。在钝化膜的预定区域形成第一开口以达到金属布线层的表面。通过使用惰性气体在等离子体处理装置的处理室中溅蚀由硅氧化物制成的伪基片。在已进行溅蚀的等离子体处理装置的处理室中，...

偏置控制器（１１），在激励方式中，将从模拟电路（１２）流出的偏置电路（Ｉｌｏｃａｌ－Ｉｏｃａｌｎ）调整到适当值，而在等待方式中将电流减小到零，其中偏置控制器（１１）有恢复加速器（１５），检测正比于偏置电流的偏置电压（Ｖｂｉａｓ），用以终...

提供一种包括自对准型多发射极双极晶体管的半导体器件，其中每个集电极－基极隔离长度可以被减小成与集电极－基极击穿电压相连所允许的最小值，在这种双极晶体管中，一个以上发射极／基极形成区和至少一个集电极引线区排列在单独的阵列中，而非本征基区通...

提供不需要假晶片并且能够降低制造成本和提高生产率的离子注入装置。该离子注入装置带有与晶片盘上的各晶片夹持器连接的夹持臂，夹持臂可使晶片夹持器沿晶片盘径向移动。离子注入装置还带有控制单元，它控制扫描位置，以便用离子束照射晶片。