一种半导体器件包括：第一半导体层（１），第一阱（３－１），第二半导体层（４），第二阱（３－２），绝缘层（５，６），熔丝层（８），和绝缘层（１２）。第一阱（３－１）形成在第一半导体层（１）的表面中。第二半导体层（４）形成在第一半导体层（１...

首先，在一个有一个对准标记的半导体基片上形成一个导电层。然后，将光刻胶有选择性地形成在导电层的一个将要形成布线层的区域上和对准标记上。其后，用光刻胶作为一个掩膜，将导电层蚀刻。

一种ＳＲＡＭ，包括各具有点对称结构的多个高阻存储单元。该存储单元具有各用接触栓做成的一对负载电阻。每个接触栓将第一驱动晶体管的漏极和第二驱动晶体管的栅极与电源线相连。每个转换晶体管的源／漏区经过接触栓连接到用第四层铝做成的位线上，该接触...

半导体集成电路器件包含基本的包含存储单元和外围电路的电路构件的半导体子结构（ＳＢ），及非基本的半导体子结构（ＩＳＢ），其包括形成在内层绝缘层（２８）上的诸如对准标记的附加图形，对准标记具有通过内层绝缘层与硅基片的正面相固定的芯柱部分（３...

本发明涉及制造半导体器件的方法，在这种半导体器件中，圆柱形构件的内壁表面和外壁表面的半球状颗粒尺寸是一样的，以促进表面面积的增加，并防止在相临圆柱形构件之间的短路。通过（ｉ）去除非晶态硅初始生长层或（ｉｉ）抑制初始生长层的作用来实现上述...

用于抛光衬底的装置，包括（ａ）形成有多个通孔的抛光垫片（４），抛光材料（６）通过这些通孔输送到所述抛光垫片（４）表面上；（ｂ）其上安装抛光垫片（４）的水平台（３）；和（ｃ）用于支撑衬底（１）的可旋转载体（２），载体（２）面对所述水平台（...

在有功能单元的半导体集成电路器件中，其中设置了构成电流型逻辑（ＣＭＬ）类型的器件，输入和输出信号为互补信号，功能单元排列成十字型，以将器件排列成相对于中心点每旋转９０°呈对称。

在通过在衬底上叠加而由多晶硅或金属硅化物制成的至少两层互连形成的半导体器件中，用于绝缘第一和第二互连的第一层间绝缘膜是通过在一对未掺杂的、上和下氧化硅膜之间夹有用硼或磷掺杂的低熔点玻璃形成。而另一层间绝缘膜是未掺杂的氧化硅膜。还公开了制...

一个如ＣＣＤ芯片的半导体元件包含在一个由塑料制成的不透明封装的凹进内，并且其上表面是用一个塑料制成透明的罩覆盖。该罩与封装具有不同的热膨胀系数并且以０．５ｍｍ的厚度形成，其厚度比已有技术的厚度薄。该半导体器件用一些引线端子连接而这些引线...

本发明提供一种利用经济上有利且简便的方法通过化学机械研磨使金属膜的研磨面平整，即达到研磨速度在平面均匀性的半导体装置的制造方法。该法包括使用了含氧化铝拉子与作为氧化剂的Ｈ↓［２］Ｏ↓［２］的浆液对铜表面进行化学机械研磨的工艺，其特征是研...

在有层间绝缘膜的半导体衬底上形成金属布线的工序中，可可靠地去除因进行化学机械抛光而残留于半导体衬底上的金属离子。对半导体衬底１进行化学机械抛光，然后，用对因化学机械抛光而残留于半导体衬底１上的铁离子有清除效果的清洗液，清洗抛光过的半导体...

公开了一种具有较小行－行距离的彩色线性图像传感器，其包括相邻于光接收部分的信号电荷存储部分。信号电荷读出部分将信号电荷从信号电荷存储部分读出到信号电荷转移部分，并且由此而避免了产生剩余图像。安排在各颜色的光接收部分之间的布线（脉冲线）数...

一种聚焦离子束设备具有离子源１和离子束透镜Ｍ，透镜使源于离子源１的离子束１６聚焦和偏转，为便于加工试样７，经聚焦和偏转的离子束１６照射到位于试样台８的待测试样７上，此时使试样台８倾斜以便在规定角度加工试样７的横截面。此设备还包括相应于试...

本发明公开了具有含有杂质扩散层的硅衬底的半导体器件的制造方法，其包括以下步骤：在等于或低于３ｋｅＶ的加速电压下，通过厚度等于或小于２．５ｎｍ的氧化硅膜向硅衬底中掺杂杂质，氧化硅膜形成在硅衬底上，并对留有氧化膜的硅衬底退火。

在ＭＯＳＦＥＴ半导体器件中，在沟道区内的源－漏间的电流路径中，含有与隔离区接触的部分的路径包括一其长度不短于所述源－漏间最小距离且不与所述隔离区接触的路径。

在此公开一种能够减小由升压电路产生的用于擦除所存储的数据的擦除电压的非易失半导体存储器件。该存储器件包括：一个由多个存储单元组成的存储单元阵列，其中每个存储单元都具有连接到一条字线的控制栅极，一个被写入数据的浮置栅极，一个通过施加第一电...

制造半导体器件的方法包括步骤：（ａ）在半导体表面形成ｐ势阱区及ｎ势阱区，及（ｂ）在ｐ及ｎ势阱区两者上形成一个ｎ型外延层，并使得ｎ型外延层包含杂质的浓度低于ｎ势阱区包含的杂质浓度。例如，ｎ型外延层可用化学汽相淀积形成，其中使用包括磷或砷的...

一种晶片抛光装置及其方法，借助消除抛光量的波动能够提高成品率，并且能够防止因反应产品的聚集而发生擦伤和抛光速度的降低。该晶片抛光装置具有旋转抛光床，装在抛光床上的磨料布，用于将磨料供给磨料布表面的磨料供给装置，用于将晶片以预定压力压在磨...

本发明提供采用具有良好的容量性并且在施以高温磁滞时也可保持良好的泄漏特性的高导电率氧化物膜的薄膜电容器。是在半导体基板１０１上按顺序形成下部电极层１０２、高导电率氧化物膜层１０３、上部电极层１０５，以此形成的薄膜电容器１，是该上部电极层...

半导体集成电路的制造方法。在Ｎ型半导体衬底上形成Ｎ阱、Ｐ阱、元件隔离区后，通过热氧化在整个表面上形成氧化硅膜，用抗蚀剂掩模掩模氧化硅膜的必要区域，随后在Ｎ阱和Ｐ阱的底部按达到飞越距离程度的注入能量离子注入Ｐ型杂质，接着腐蚀除去未被抗蚀剂...