提供了一种半导体基片中的小型接头。该接头包括一个在半导体基片的表面上形成的一个扩散层；一个覆盖此扩散层的层间膜；埋于层间膜中的多个下层连接部位；布于层间膜上的上层连接部位；以及一个接触孔，该槽孔通过用于连接扩散层和上层连接部位的层间膜。...

一种半导体器件，其改进了用做阻挡金属膜的钽基金属与铜掩埋布线之间的粘附性，从而防止铜掩埋布线剥落。在为层间绝缘膜的掩埋布线设计的沟槽中形成膜厚为２００－５００埃的钽膜和膜厚为１．１－１．５５μｍ的铜掩埋布线。铜掩埋布线通过将膜厚为０．０...

在ＳＲＡＭ存储器中，由Ｎ型ＭＯＳ晶体管构成的每个驱动ＭＯＳ晶体管的阈值电压（Ｖｔｈｎ）被设置为大于由Ｐ型ＭＯＳ晶体管构成的用于选择地址的每个ＭＯＳ晶体管的阈值电压（Ｖｔｈｐ）。

本发明公开了一种形成铜配线的方法，其中在非氧化气氛下基片被冷却至１６０摄氏度以下后把具有铜配线的基片暴露在大气中。通常是将基片暴露于相对较高的温度下，这使得基片上配线间的电阻更高阻碍了高度集成化。按照本发明，由于将基片暴露在相对较低的温...

字线控制电路（１００）包括连接到存储单元的一个存储体（ＢＡＮＫ０）的子阵列字线（ＳＷＬ－００至ＳＷＬ－０３）和连接到存储单元的另一个存储体（ＢＡＮＫ１）的另一子阵列字线（ＳＷＬ－１０至ＳＷＬ－１３）。提供了互补主字线（ＭＷＬ和／ＭＷＬ）...

形成多级铜互连结构的方法包括以下步骤：利用光刻胶掩模腐蚀层间介质膜，形成暴露铜互连的开口；在低于１５０℃的衬底温度和不高于０．７Ｗ／ｃｍ↑［２］的ＲＦ功率条件下，利用等离子灰化去掉光刻胶掩模。该等离子灰化防止了在铜互连的表面上形成氧化铜...

本文所说的半导体器件包括：在半导体晶片１上，有一栅绝缘膜２，一栅电极３，一源漏区７和在栅电极侧面上生成的一侧面绝缘膜，其中侧面绝缘膜有一与栅电极侧面和半导体晶片表面相接触的用ＴＥＯＳＮＳＧ膜制成的双层结构，硅渗氮膜６生成在ＴＥＯＳＮＳＧ...

一种曝光装置用的试样台将在掩模上形成的电路图形复制在试样上，没有放大倍数偏差、检测部件和位置偏移计量部件而引起的精度降低，另外，也不会使掩模本身或掩模支持的基片受到损伤。即使在掩模图形小的情况下，也可以在短时间内，将试样硅基片伸长或缩短...

在多晶硅膜上用ＣＶＤ方法形成以六氟化钨（ＷＦ↓［６］）和二氯甲硅烷（ＳｉＨ↓［２］Ｃｌ↓［２］）为原料的硅化钨（ＷＳｉ）膜。在该膜形成工艺的最后阶段，终止六氟化钨的供给以减轻内应力。结果，在硅化钨膜上，形成包含高浓度氯离子的富硅的硅化钨...

本发明公开一种半球形颗粒状（ＨＳＧ）下电极及其制备方法，提供一种电容器，其中包括：多晶硅下电极、介电膜、上电极，制备该电容器至少包括以下步骤：在下电极上形成一层半球形颗粒（ＨＳＧ）硅，其中每个ＨＳＧｓ在与下电极相接触的一面都具有一个直径...

一种焊料球载带，包括载带和多个焊料球。在载带表面上提供用于电子部件的电极焊料接点的一组凹形部分。每个焊料球提供到组中的一个凹形部分上。

一种基准电压生成电路，包括：带有第一导电型的第一至第三晶体管的第一电流镜式电路，包括第二导电型的第四和第五晶体管的第二电流镜式电路，电压控制部分，用于控制在第一电流镜式电路的输出侧的第一和第三晶体管的源－漏极电压保持在特定的范围内。电压...

一种半导体器件，其中，在形成在衬底上的层间绝缘膜中形成开孔，在开孔内形成有互连部分，其一端和所述衬底接触，还形成有金属层构成的通孔部分，位于所述的互连部分的另一端，在所述开孔中的所述通孔部分对面的内壁表面部分上形成有保护膜。

提供形成沟槽隔离结构的方法，可防止如形成在隔离沟槽上的隔离介质的空隙、裂缝和凹部的缺陷产生而没有如隔离区扩大、隔离能力降低和漏电增加的问题。该方法包括：在半导体衬底中形成隔离沟槽以从衬底主表面暴露沟槽顶部；用过氢化硅氮烷聚合物溶液通过旋...

一种制造半导体器件的方法包括在基片上形成被蚀刻的复合膜。包含氮原子的复合膜在其表面部分基本不包含氮原子。本方法还包括在复合膜上形成化学放大光刻胶，按照预定的图形曝光光刻胶，显影光刻胶以生成图形光刻胶，以及通过使用图形光刻胶作为掩膜蚀刻复...

在一种制造半导体器件的方法中，在半导体基片上形成ＭＯＳ晶体管。每个ＭＯＳ晶体管包含杂质扩散区和栅电极。在ＭＯＳ晶体管上淀积第一层间绝缘膜。在第一层间绝缘膜中开通接触孔以致于其达到杂质扩散区域。在半导体基片的全部表面上淀积导体。深蚀刻淀积...

在叠层电容器中，该电容器包括在ＤＲＡＭ中并有通过电容器介质膜相互相对且相互分开的电容器下电极和电容器上电极，在包括电容器下电极的尖锐部分的电容器下电极的上表面之间形成附加介质膜，并用电容器介质膜覆盖附加介质膜。因此，在电容器下电极的尖锐...

一种半导体器件包括半导体衬底上的元件隔离区、有源区和有源区上具有弯曲角为θ的弯曲部分的栅极，其中元件隔离区和有源区间的边界与栅极相交，使得在所说交叉发生处的边界线段大致平行于栅极弯曲部分的弯曲角θ的平分线。在该半导体器件中，甚至在ＭＯＳ...

一种抛光装置包括抛光垫、衬底固定器和固定环。抛光垫粘附到抛光台。当衬底固定器固定作为抛光靶的衬底时，衬底固定器将衬底的抛光靶表面推向抛光垫。固定环形成在衬底固定器的固定表面上，对应于衬底的周边。固定环具有形成在它的表面上与抛光垫接触的树...

薄膜电容器１是至少在半导体基片１０１上按顺序形成下部电极层１０２、高介电常数氧化物膜层１０３、上部电极层１０５而构成的薄膜电容器，该上部电极层１０５由一种仅由可用反应性离子刻蚀加工的导电性材料形成的膜层１０４，或至少两种由可用反应性离子...