在形成在最上层布线层上的钝化膜中形成焊盘通孔。在通孔的部分中形成基底阻挡膜并在基底阻挡膜上形成焊料块。基底阻挡膜的平面形状是用各向同性腐蚀构图的圆形或具有磨圆角部的八边形。这种就可以减小由焊料块对基底阻挡膜施加的应力并提高半导体器件的可...

在制造半导体器件的方法中，在半导体基片（１１）上形成一第一绝缘层（１３）；在第一绝缘层上形成一栅电极（１４）；在所述的栅电极上形成一第二绝缘层（２２）。所述的第二绝缘层具有较强的阻止氢原子扩散通过的能力。接着，在一第一温度下，在半导体基...

表面抛光机械包括：具有抛光工具面的抛光工具；加压元件，置于环形抛光工具上的工件上并与之一起移动，用于将工件压向抛光工具；抛光位置固定装置，用于通过阻止工件与抛光工具一起移动而将工件保持在预定的抛光位置，同时当抛光工具旋转时，允许它转动。...

在本发明中，提供一种制造半导体器件及其制造方法，其中在位于半导体衬底上的层间膜中，形成具有由ＣＶＤ膜构成的侧壁的接触孔，该孔填有导电材料，由此形成同半导体衬底表面的接触。其步骤：在该层间膜中设置开口部分，而不暴露半导体衬底的表面；在包括...

用于两个电子元件１和４间连接的连接装置，所述装置被设置在包括两个热膨胀系数不同的金属层６和７的第一电子元件１上，而多个侧壁部件２０ａ被设置在所述金属层１９上，以给第二电子元件４０形成连接空间３５。

通过光刻及随后的干法腐蚀构图铝－铜合金层（１３），在干法腐蚀期间生长了含氯化铝的腐蚀残余物侧壁１５，这会引起铝－铜合金线（１３ａ／１３ｂ／１３ｃ）的后束侵蚀，其中侧壁（１５）暴露于含离子水蒸汽的气体混合物中，以便氢离子和／或氢氧根与氯化...

提供一种半导体存储器，其中不需要在ＳＲＡＭ的布线层之间的接触孔处的布图裕量，可减小在位线的布线电容，并可高速地进行存储处理。由一对驱动晶体管、一对转移晶体管、高电阻负载、一对位线、ＶＣＣ线和ＧＮＤ线构成该ＳＲＡＭ。在第一层形成各晶体管的...

在制造半导体器件的方法中，在衬底上形成第一牺牲氧化膜。接着，在第一腐蚀工序中腐蚀第一牺牲氧化膜到预定深度，于是在衬底上形成第二牺牲氧化膜。其中，第二牺牲氧化膜薄于第一牺牲氧化膜。接着，在第二腐蚀工序中从衬底表面完全去除第二牺牲氧化膜，露...

在一种可进行电擦写的非易失性半导体存储器件中，源扩散层在衬底表面上至少沿各控制栅极的方向而设置，该源扩散层在其至少一个部分中含有多个倾角大于离子注入角的倾斜部分。因此，就可以用器件隔离技术来降低源扩散层的电阻。

在硅衬底１上的栅氧化膜１０上形成由钨膜８构成的栅电极。栅氧化膜１０在中心部分的膜厚被设置为１０ｎｍ或１０ｎｍ以下。使端部的膜厚为中心部分膜厚的１．４至３．０倍。

一种在每个存储单元中包括一个ＭＯＳＦＥＴ和一个迭式电容器的ＤＲＡＭ。迭式电容器包括一个基本上为圆柱型的下电极、一个容纳于圆柱型下电极中的上电极、一层在其间起隔离作用的电容器电介质膜。下电极的圆柱型形状允许在电容器和电容器触点之间的较大的...

公开了一种水平电场方案的有源矩阵型液晶显示器件，具有良好的保持特性和减小的馈通电压及令人满意的显示均匀性和可靠性，并保持一个孔径比。所述器件包括两个相对的透明绝缘衬底，液晶放在两个衬底之间。所述显示器件还包括，在第一衬底上有：多个扫描线...

公开了一种埋置布线结构，该结构包括：依次形成于第一布线层上的第一层间介质膜、腐蚀停止层和第二层间介质膜，其中第二布线层形成为与通孔栓塞的侧壁接触。由于该结构中第二布线层和通孔栓塞彼此以较大表面积接触，所以几乎不会产生不良电连接。

在清洗在表面上同时暴露有金属材料和半导体材料并经受化学机械磨光处理的基片的过程中，首先用含氨水等的第一种清洗液清洗，然后用含（ａ）能容易与金属氧化物等形成络合物的第一种络合剂，（ｂ）一种阴离子或阳离子表面活性剂的第二种清洗液清洗。

本发明是为了减小存储单元区和外围电路区之间的高度差，从而增大光刻工艺中的聚焦裕度，由此获得高度集成的ＤＲＡＭ。本发明的半导体存储器包括：在其上形成晶体管的半导体衬底；形成在半导体衬底上的层间绝缘膜；形成在层间绝缘膜中的位线和电容器下电极...

在半导体器件中，通过含有设置在相邻的布线之间的空隙部分的层间绝缘膜电隔离相邻的铝布线，其中使空隙部分的下表面基本上与每个布线的下表面齐平。在半导体衬底的上表面中的相邻布线之间形成沟槽。每个沟槽和铝布线的侧表面都覆盖有防止损伤氧化膜，即用...

半导体存储器件包括：形成在半导体基片上覆盖ＭＯＳ晶体管的源／漏区的层间绝缘薄膜（１３）；具有第一杂质离子浓度接触源／漏区的接触薄膜（１７），它沿着接触孔侧壁部分地嵌入接触孔而形成，接触孔穿过层间绝缘薄膜到达源／漏区而形成；具有第二杂质离...

在具有８英寸或更大直径晶片上通过旋转涂布工艺涂布厚度为５５００埃或更薄的抗蚀剂膜。在晶片以５００至１２００转／每分钟的速度旋转时，向晶片滴下预定量的抗蚀剂，当抗蚀剂在晶片的整个表面扩散时，停止下滴抗蚀剂。晶片的旋转速度提高到晶片的预定的...

一种能够以更快速度来读取、写入和擦除数据的非易失性半导体存储器件。用作闪烁存储器的该种非易失性半导体存储器件由存储单元阵列，行地址缓冲器，行译码器，行驱动器，列地址缓冲器，列译码器，列选择器，读出放大器电路，写入电路和控制电路构成。在读...

一种制造半导体器件的方法，在半导体衬底的背面形成一阻挡膜５，例如硅氧化膜或类似膜。然后在半导体衬底的主表面上形成一铜基金属膜。