本发明涉及一种具有掩膜的限制散射角限制型电子束曝光系统，包含散射区和限制孔阑，该孔阑用于限制通过掩膜的散射电子量，限制孔阑包含固定在交叠面附近的第一限制孔阑，其具有中心开孔和围绕中心开孔的闭合细长开孔；第二限制孔阑可沿光轴进行移动并具有...

在形成具有一种结构的互连层中，其中铝互连层被覆盖有一层间绝缘膜，以用于防止在铝互连层中产生空隙。包括阻挡层４、铝互连金属层５、钛层２和防反射层６的多层结构形成在具有绝缘表面的半导体基片上，然后所述多层结构的层面被构图为互连图案的形状，至...

一种生产半导体器件的方法，包含如下的步骤，在半导体基片上形成第一导电层，在第一导电层上形成第一绝缘层，在绝缘层上形成一损失层。然后，在损失层和绝缘层中穿一个孔。接着，在损失层和孔中形成一个第二导电层。然后，对第二导电层进行化学机械抛光，...

一种图案标线片具有要传递至光敏层（４）和由不透明层（２）围绕的主图案（１ａ），和一个识别图案（３）环绕在不透明层（２）中，以此限定了要检测严重缺陷的区域。其中识别图案（３）补充有多个以间隔排列的不透明的部分如条带（７），这些不透明部分小...

一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：形成接触孔２０８以露出半导体衬底２０１上的腐蚀停止膜２０５；去除该露出的腐蚀停止膜２０５；填充接触孔２０８以形成接触栓塞２１０；去除层间绝缘膜２０６上淀积的膜２０９，露出接触栓塞２１０；腐蚀层间绝...

本发明提供一种用于测量重叠精度的图案，该图案包括形成在绝缘层中的孔，其中该孔包括对该绝缘层的阻蚀层的上表面。

在此公开一种用于利用电子束曝光和光刻所需图案的电子束光刻方法，其中包括如下步骤：（ａ）在条纹连接边界区域中形成多个精度估计图案和所需图案，以形成一个电子束掩膜；（ｂ）用电子束掩膜光刻图案；（ｃ）用精度估计图案测量曝光条纹的连接误差；（ｄ...

本发明提供在半导体器件中形成至少一个电容器下电极的方法，包括步骤：在半导体衬底上方的多层结构上形成第一绝缘膜；形成穿透第一绝缘膜和多层结构到达半导体衬底表面的接触孔；有选择地去除第一绝缘膜以形成掩模图形；形成单层导电膜，在接触孔内和多层...

一种制造掩模的方法，其步骤为：制造与被曝光的晶片材料相同的掩模材料，计算用于掩模写入的邻近效应校正剂量。然后，按具有掩模写入时邻近效应校正剂量两倍的校正剂量的图形，用与晶片写入时的加速电压相同的加速电压，对掩模材料的抗蚀剂膜曝光。接着，...

一种收纳ＢＧＡ器件等的半导体器件的托盘。该托盘的收纳ＢＧＡ器件等的半导体器件的第１收纳部分，在已收纳半导体器件的情况下，具有配置在该半导体器件周围的壁面。该壁面支持半导体器件封装的边缘部分，但是具有以避免与布线用端子之间的接触那样的倾斜...

在畸变测量方法中，形成至少具有包含多个大图案的阵列的第一衍射光栅图案和与之隔开预定间隔的包含多个显微图案的阵列的第二衍射光栅图案的掩模。多个显微图案沿着垂直于第二衍射光栅图案的阵列方向的方向、按照预定的间距排列。通过透镜至少把形成在掩模...

一种形成半导体的高熔点金属的硅化物的方法，包括在掺杂杂质形成杂质扩散区步骤和退火使扩散层折射－金属－硅化步骤之间去除起到抑制扩散层折射－金属－硅化作用的高密度杂质区。扩散区的折射－金属－硅化反应能顺利进行，从而防止起始栅极耐压值的降低而...

根据本发明用于制造半导体器件的电子束曝光方法包括以下步骤：选出需要修正的绘制图形；选出包括所选绘制图形的多个曝光轰击区；修正中心部分，以确定适于绘制图形的中心部分的电子束曝光量；修正端部以形成辅助曝光图形，该辅助曝光图形用于修正绘制图形...

一种批次供给系统，包括多个处理单元，一个供给单元，多个计数器，和一个供给控制器。各处理单元输出批次供给请求，并对提供的批次进行预定处理。供给单元将存储于其中的批次提供给发出处理请求的单元。各计数器对所提供的单元的产品批次进行计数。当各计...

本发明提供一种半导体器件，包括：具有隔离槽的半导体衬底；在隔离槽内的隔离膜，隔离膜具有比隔离槽浅的槽；电容元件的下电极，被掩埋在隔离膜中的浅槽内；绝缘膜，包括电容介质膜和在栅绝缘膜；在电容介质膜上的电容元件的上电极；在栅绝缘膜上的栅极，...

一种平面研磨装置，在对叠置有数种材料的硅片１０进行研磨时，通过设置于压磨板１１上的单个透光窗ＷＴ，在平时借助光检测器２９检测硅片１０的研磨面产生的反射光量，此外，在多个透光窗Ｗｎ从硅片１０的下面通过的过程中，分别通过多个光学传感器Ｓｎ检...

为了即使在化学放大型光刻胶的封闭水平升高时降低显影缺陷，按照本发明的光刻胶图形形成方法，将一种由化学放大型光刻胶制成的光刻胶（１２）施用在半导体基底（１１）上，之后，在促进从光刻胶膜（１２）除去保护基团的去除反应的ＰＥＢ处理之前，将一种...

本发明提供一种湿处理装置，包括：处理晶片的室２；夹持晶片的卡盘单元３；设在卡盘单元内的化学液体管８和清洗液管９；以及设置在卡盘单元上并连接到化学液体管８将化学液体１０喷射到晶片１上的化学液体喷嘴６，或者设置在卡盘单元上并连接到清洗液管９...

一种电子束曝光方法，当使用电子束曝光来在由导电部件所形成的闭合区域内形成分离的导电部件，使得它不影响已经形成的导电部件，使其通过每个层面，分别检测对于每个层面上的导电部件的图案提供的各个对齐标志，对每个层面计算差值，以表示在这些层面中图...

在安装有球栅阵列型电路部分（１０）的基片（１）中包括基片体（２）、标准焊盘（３）、集成焊盘（４）和连接增强部分（５）。基片体（２）具有球栅阵列型电路部分（１０）。在标准焊盘（３）上连接球栅阵列型电路部分（１０）的标准电极（１２）。在集成...