一种器件检查装置，包括：依次照射电子束使试料上的多个测量位置成为同一形状的部件；把测量的电流或从该电流导出的物理量作为测量位置的函数表示在二维平面上的表示部件。依次照射电子束使试料上的多个测量位置成为同一形状，测量所述试料上产生的电流，...

提供一种场效应晶体管，其具有可维持大的最大漏电流或低导通电阻，降低栅极正向偏置时的栅极漏电流，提高栅极正向上升电压的外延结构。通过在不掺杂Ｉｎ↓［０．２］Ｇａ↓［０．８］Ａｓ沟道层１０５和掺杂Ｓｉ的Ａｌ↓［０．２］Ｇａ↓［０．８］Ａｓ上...

提供一种形成浅沟槽隔离（ＳＴＩ）的方法，甚至在存在微划痕时，也容易抑制凹口形状（ｄｅｂｏｔ）的产生。在其中由于化学机械抛光（ＣＭＰ）产生了微划痕的氧化硅膜的表面上，形成由有机旋涂玻璃（ＳＯＧ）构成的氧化硅膜。进行对氧化硅膜的腐蚀速率与对...

一种半导体存储器生产系统，其用少量信息按时间顺序保存每个批次的工艺分析所需要的数据，并可根据已事先储存的数据进行生产管理而不用执行新的测量。该系统包括：ＬＳＩ测试装置１，其测试半导体存储器并输出各芯片的存储单元地址及与这些地址对应的合格...

本文公开了一种装置，在该装置中，抛光浆料被提供给固定在抛光台上的抛光垫以用于抛光半导体晶片。这种装置配备有至少一个浆料供应机构，以用来向位于半导体晶片中心与外端区域之间的中间区域以及上述中心区域自身提供控制数量的抛光浆料。对浆料供应量的...

本发明的半导体器件由半导体芯片和单个布线带构成，该布线带可组装一膜载体并包括具有预选图形的布线层。布线带粘接到半导体芯片的至少顶部、底部和一个侧面上。该半导体芯片具有设置于芯片上表面上的外连接部分。该半导体器件的封装尺寸与裸片相仿。具有...

半导体器件３包括：半导体芯片１１；利用立柱凸点法设置于焊盘电极１２上的Ａｕ球凸点２１；热塑性粘结层２２，设置在半导体芯片１１的形成有焊盘电极１２的表面上，使Ａｕ球凸点２１的上部伸出粘结层２２的表面。通过形成用于电连接的凸点和在半导体芯片...

本发明提供了一种半导体封装及其制造方法。这种半导体封装是高度可靠的，并且具有一种能够提高制造产率和可以大大减少制造步骤的数量和执行步骤所需时间的结构。半导体封装具有一种布线层１４在对应于半导体芯片１１的芯片电极１２的范围内由绝缘膜１３支...

一种制造半导体器件的方法，使半导体芯片的凸出电极和布线衬底的焊盘电极之间具有可靠的电连接。在该方法中，制备具有多个凸出电极的半导体芯片和具有多个焊盘电极的布线衬底，在布线衬底上涂敷包含其中分散有无机填料的液体树脂材料，通过树脂材料，半导...

提供了一种半导体器件生产系统，可不去除封装树脂就读出芯片的位置信息，从而迅速识别故障成因和提高芯片的产量。替换地址读取装置（４１）从被测试为有故障的半导体器件中读取冗余地址。芯片位置分析装置（４２）从冗余地址组合中估计有故障的半导体器件...

一种静电击穿保护装置，使电子设备能连接到连接器，以便在同一条线上高速双向传输数据，防止电子设备的静电击穿，而不依赖于连接器的结构。在电子设备的信号线上设置静电击穿保护平滑电路，用于平滑输入到信号线的信号。设置具有开关装置的连接信号线的连...

一种芯片倒装型半导体器件，其配备的半导体芯片的表面上有多个焊盘电极。焊料电极与各个焊盘电极连接，金属芯柱与各个焊料电极连接。在半导体芯片中含有焊盘电极的一侧表面上涂覆绝缘树脂层，焊盘电极和焊料电极的全部以及金属芯柱的一部分埋入该绝缘树脂...

本发明的目的是提供一种半导体器件的载体衬底的电极结构，其中半导体封装的电极与主衬底的电极之间的结合部分的强度和可靠性得到改进。作为一个载体衬底（１０２）的电极、传统上是圆柱形的焊接区（１０３）在其内部可具有一个同心的半球面空心部分，并且...

一种半导体集成电路，包括沿一第一方向形成的第一布线层，沿与上述第一方向相垂直的第二方向形成的第二布线层，以及沿第二方向形成的第三布线层，而且第三布线层和第二布线层将上述第一布线层夹在中间。上述第二和第三布线层沿上述第一方向上被相互偏移一...

本发明提供一种半导体芯片的半导体器件，能够容易地获得高质量裸芯（ＨＱＣ），并且能够不受周围环境影响而保持质量。将形成在密封半导体芯片的第一树脂密封封装的表面上的电极连接到半导体芯片的电极，并且每个电极包括一个要连接到一个安装对象的安装区...

本发明的树脂封装模具包括：安装在引线框上的下模，它有一个其内放置半导体器件的凹洼，并形成闸门，通过此门注入树脂；上模，其中形成一个与所述下模之凹洼相对的凹洼，以构成一个容纳半导体器件的腔体；多个喷注销杆，它们分别从上模的凹洼和下模的凹洼...

在用于束曝光的掩模中，提供组合的用于无端图形（９０２）的薄膜结构（１１，１１Ａ，１１Ｂ）和模版结构（１２，１２Ａ，１２Ｂ）。

本发明涉及包括铜或铜合金层的互连，其特征在于铜或铜合金的至少５０％的晶粒形成孪晶。因此本发明的铜互连是高度可靠的，并且制造成本低。

在本发明涉及具有这种分子结构的光刻胶树脂：其保护基团连接在基础树脂上，这种从所述的光刻胶树脂上去除所述的保护基团能够增加其碱溶性，其中：所述的保护基团是用右式（Ⅰ）表示的残基：其中表示具有１２－２５个碳原子的取代或未取代的稠环，Ｒ表示有...

被缩减尺寸的半导体器件包括形成在半导体芯片表面上的多个键合焊盘。多个导线连接到键合焊盘上并从半导体芯片的表面伸出。半导体芯片的表面和多个导线的周边被涂敷树脂层。每个导线和覆盖导线周边的树脂层形成同轴体。多个焊球安装在同轴体的上端部并与导...