半导体器件的载体衬底的电极结构制造技术

本发明专利技术的目的是提供一种半导体器件的载体衬底的电极结构，其中半导体封装的电极与主衬底的电极之间的结合部分的强度和可靠性得到改进。作为一个载体衬底（１０２）的电极、传统上是圆柱形的焊接区（１０３）在其内部可具有一个同心的半球面空心部分，并且在其圆周部分设置一个凸缘部分，凸缘部分的外径对应于传统的圆柱体的外径。在凸缘部分和邻近凸缘部分的焊接区（１０３）的壁表面的部分中设置两个狭口（１０４），用于释出空气。在载体衬底（１０２）中朝向外表面设置一个半球面凹进，并且焊接区（１０３）固定地与载体衬底（１０２）相接触，使得焊接区（１０３）安装在凹进中，并且凸缘部分邻接载体衬底的外表面。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于焊接至一个主衬底的半导体器件的电极结构。为了将例如便携式电话、视频摄像机和个人计算机的个人家用电器制造得小型、紧凑及重量轻，半导体器件的封装已从具有鸥翼(gull-wing)型引导电极的LSI封装改变为紧凑的、重量轻的封装的BGA(ball grid array，球栅阵)型或CSP(chip scale package，芯片尺寸封装)型。图5是一个BGA型封装半导体器件的外形图，(a)是侧视图，(b)是底视图。图6是图5的BGA型封装半导体器件被焊接至一个主衬底的状态的部分侧视图。安装在一个载体衬底502上并且在图中未示出的半导体元件被密封在包括一个树脂部分501和载体衬底502的封装之中，半导体元件的外端通过一个焊接区503连接至外部，该焊接区是一个栅状地设置在载体衬底502上的电极。在半导体器件安装其中的主衬底601中，在对应于半导体器件的载体衬底502的焊接区503的位置设置一个焊接区602，它通过焊料603焊接至半导体衬底的焊接区503。焊接区503和焊接区603两者具有低高度的圆柱形状，它们的上表面通常是平滑的平面，并且该两区的平滑的上表面通过焊本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的载体衬底的电极结构，用于将所述半导体器件焊接至一个主衬底，其中，在所述电极的中心区域设置一个凹进，并且所述电极还具有在位于围绕所述中心区域的一个圆周壁表面上的一个通过在所述壁表面中的围绕所述中心区域的所述凹陷的穿通部分。

【技术特征摘要】
JP 2000-5-12 140174/001.一种半导体器件的载体衬底的电极结构，用于将所述半导体器件焊接至一个主衬底，其中，在所述电极的中心区域设置一个凹进，并且所述电极还具有在位于围绕所述中心区域的一个圆周壁表面上的一个通过在所述壁表面中的围绕所述中心区域的所述凹陷的穿通部分。2.根据权利要求1所述的半导体器件的载体衬底的电极结构，其特征在于，所述电极是具有一个凸缘部分并且在其内部具有一个同心的半球面空心部分的的半球形结构，其中，所述电极的所述半球形部分安装在设置在所述半导体器件的所述载体衬底的一个外表面上的半球形凹进中，并且所述电极固定地与所述载体衬底相接触，使得所述凸缘部分邻接所述载体衬底的外表面。3.根据权利要求2所述的半导体器件的载体衬底的电极结构，其特征在于，所述通过所述凹进和所述壁表面的所述外部分之间的穿通部分是至少一个设置在所述凸缘...

【专利技术属性】
技术研发人员：水崎学，
申请(专利权)人：日本电气株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]