一种镀敷绝缘物质的方法技术

本发明专利技术涉及一种在一半导体衬底上镀敷绝缘物质用以形成一电容器组件的方法。该方法包括从一金属靶上将一金属氧化物层反应溅镀到所述衬底上的步骤，其中支撑件被施加偏压，用以随着金属氧化物的形成穿经所镀敷的绝缘物质而感应出一直流电压。该电压可以在２００至３００伏的范围内。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种在一半导体衬底上镀敷绝缘物质、用以形成一电容器组件的方法。为了减小半导体设备中所需的电容器的尺寸，目前该工业正朝着利用具有高介电常数(K)材料的方向发展。一种特别受欢迎的材料是五氧化钽(Ta2O5)，由于其介电常数约为25，所以该物质是一个非常有前景的候选者。该物质可以利用多种化学和物理方式进行镀敷，但是在半导体工业中最为常用的是有源可视蒸敷法(active visualvapour deposition)。该工艺是众所周知的，并且例如在美国专利5111355中进行了描述。从这份专利中可以看出钽是这类物质中的一种，即其氧化物可以形成于金属靶的表面上，并且可以从该靶上开始进行溅镀，这与那些其氧化物或者氮化物成形于射程中或者衬底表面上的其他反应工艺正好相反。可能是因为这个因素，所以会穿经镀敷层发生相对较高的泄漏电流问题。正如在美国专利5872696中所能够看到的那样，这种情况一部分是由针孔现象造成的，而一部分是由于存在有由所述层中未氧化钽原子连接起来所形成泄漏通道而造成的。在那篇专利中，泄漏电流的减小是通过对五氧化钽进行进一步氧化处理来实现的。这样就能够充分减少针本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在一支撑件上将绝缘物质镀敷到一半导体衬底上、用以形成一电容器组件的方法，该方法包括从一金属靶上将一金属氧化物层反应溅镀到所述衬底上的步骤，其特征在于，向所述支撑件施加偏压，用以随着金属氧化层的形成，穿过所镀敷的绝缘物质而感应出一直流电压。

【技术特征摘要】
GB 2000-4-14 0009139.71.一种在一支撑件上将绝缘物质镀敷到一半导体衬底上、用以形成一电容器组件的方法，该方法包括从一金属靶上将一金属氧化物层反应溅镀到所述衬底上的步骤，其特征在于，向所述支撑件施加偏压，用以随着金属氧化层的形成，穿过所镀敷的绝缘物质而感应出一直流电压。2.如权利要求1中所述的方法，其特征在于，所感应出的电压在200至300伏之间。3.如权利要求1或2中所述的方法，其特征在于，借助于一RF或脉冲直流电源向所述支撑件...

【专利技术属性】
技术研发人员：克莱尔L威金斯，
申请(专利权)人：特利康控股有限公司，
类型：发明
国别省市：GB[英国]