提供了一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括透明绝缘衬底，设置在透明绝缘衬底质上方的下遮光膜，设置在下遮光膜上方的基础层间膜，设置在基础层间膜上方的半导体膜。薄膜晶体管还包括形成在基础层间膜和半导体膜之间界面处的凹凸，设置在半导体膜上方的栅极...

提供一种薄膜晶体管衬底，包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管。第一薄膜晶体管包括第一激活层、第一栅极绝缘薄膜和第一栅电极。第二薄膜晶体管包括形成的第二激活层、第二栅极绝缘薄膜和第二栅电极。第二栅极绝缘薄膜的厚度大于第一栅极绝缘薄膜的厚度，...

一种场效应晶体管，它包括排列在衬底上的沟道、连接到沟道起始端的源电极、连接到沟道终止端的漏电极、排列在沟道顶部或侧面上的绝缘体、以及经由绝缘体而排列在沟道顶部或侧面上的栅电极，其中，沟道由多个碳纳米管组成。

一种显示板驱动器，满足关系Ｌ１≤Ｖ（Ｆ１×ε１↑［１／２］×１００），这里接口１和定时控制器之间的传输路径长度是Ｌ１，电磁波在真空中的传播速度是Ｖ，接口和定时控制器之间所发送信号的频率是Ｆ１，并且所述接口和定时控制器之间传输路径介质的相...

提供一种用于制造半导体薄膜的方法，其可以形成具有均匀晶体生长方向和大尺寸的晶粒，以及利用上述方法的制造设备，和用于制造薄膜晶体管的方法。在上述方法中，通过施加被光屏蔽元件部分截取的能量束，熔化和再结晶以光屏蔽区为起始点发生。束辐射向硅薄...

在具有ＭＩＳ（金属－绝缘膜－半导体）结构的半导体器件中，在半导体上使用以ＡＬ、Ｏ、Ｎ原子为主体的膜。另外，在具有ＭＩＳ结构的半导体器件中，在源和漏之间的沟道区上，作为栅绝缘膜而设置以ＡＬ、Ｏ、Ｎ原子为主体的膜。满足栅长为０．０５μｍ等级...

一种半导体存储设备，包括由闪速存储器形成的多个存储块。半导体存储设备还包括重写监控电路，用于存储在每一个存储块中数据重写的次数；以及切换电路，用于切换块选择地址。当作为重写请求目标的第一存储块中重写次数超出预定值时，将第二存储块中的数据...

一种薄膜晶体管基板及其制造方法，其中将在空气中容易腐蚀的栅极引线１２２暴露在当把最终的ＴＦＴ基板１００中的包括栅极端子和漏极端子的内显示区域与静电保护引线４和静电保护元件１９分开的时候形成的切割面上，在栅极端子３和漏极端子８的附近切断由...

一种存储器件包括多个存储单元、第一ＭＯＳＦＥＴ、电阻器件与第二ＭＯＳＦＥＴ。多个存储单元以矩阵进行排列，并且多个存储单元的每个连接到字线与位线，并且具有存储电容。第一ＭＯＳＦＥＴ在衬底上形成，并且第一ＭＯＳＦＥＴ的源极区域连接到所述位线...

一种半导体器件能够抑制要提供给外部电路的电流或电压的变化。所述半导体器件具有沿一个方向设置的多个单元区域，并且在单元区域中，按照相同的形状和相同的布局设置所述单元区域中的组件。由保持在地电位的互连围绕用于保持电压的保持电容器。将处于地电...

在具有薄膜ＳＯＩ层的ＦＥＴ中，防止源／漏区中的寄生电阻增加。为了实现不使用光刻工艺在源／漏区上形成隆起层且没有短路的担心。围绕岛－状半导体层（ＳＯＩ）（３）形成比半导体层（３）高的元件－隔离绝缘膜（７），同时在半导体层（３）上形成比元件...

根据本发明的半导体元件的热辐射结构，通过：对散热器的安装座的底表面上提供用于导热片的凹陷；将导热片设置在此凹陷中；以及将功率ＦＥＴ的源极螺纹连接到散热器的安装座的底表面上，这就有可能在不损坏功率ＦＥＴ的内部中的半导体芯片以及不使得电特性...

本发明提供一种半导体装置的制造方法，其中Ｎ型ＭＩＳＦＥＴ及Ｐ型ＭＩＳＦＥＴ双方的阈值电压低，制造容易，制造成本低，制造成品率高，栅极绝缘膜的可靠性高。在硅基板（１）表面的Ｎ型ＭＩＳＦＥＴ形成区域（１１）及Ｐ型ＭＩＳＦＥＴ的形成区域（１２...

一种技术，用于保护由有机低介电常数材料构成的中间层绝缘膜免受在半导体工艺中的任何损害，且用于在中间层绝缘膜中获得降低的漏电流，从而改善半导体器件的可靠性。根据本发明的半导体器件具有有开口的有机绝缘膜（５，２６，２８）。有机绝缘膜（５，２...

公开了一种非易失性半导体存储器及其制造方法，其中，至少在被形成在绝缘衬底上的存储晶体管的上方或下方，提供屏蔽层，该屏蔽层的面积大于该存储晶体管的半导体层的面积，并且该屏蔽层具有电磁波屏蔽作用或光屏蔽作用，或者具有电磁波屏蔽和光屏蔽两种作...

一种在半导体芯片、引线或印刷电路板上的电源布线上的传输线单元，所述传输线单元具有插入绝缘膜所形成的地布线和电源布线，以便增大传输线单元的每单位长度的电容，从而将传输线单元的特征阻抗设置为用于较高频率范围的最优值。按照这种方式，包括传输线...

本发明提供一种半导体器件结构及其易于使用的制造方法，该方法能抑制晶片污染并形成半导体器件，在包括多种具有不同膜厚栅绝缘体膜的半导体器件中的膜厚可控性和均匀性方面性能优良。根据这种方法，多种具有不同电气膜厚的栅绝缘体膜的晶体管形成步骤包括...

提供一种在硅衬底上以此顺序具有栅极绝缘膜和栅极电极的半导体器件；其中栅极绝缘膜包括含氮高介电常数绝缘膜，该含氮高介电常数绝缘膜具有将氮引入到金属氧化物或金属硅酸盐中的结构；以及在含氮高介电常数绝缘膜中的氮浓度具有在膜厚度的方向中的分布；...

本发明提供具有低缺陷密度以及小弯曲的Ⅲ族氮化物半导体衬底及其生产工艺；例如，根据本发明的工艺包括以下一系列步骤：在蓝宝石衬底（６１）上形成金属的Ｔｉ膜（６３），随后进行硝化处理，以将其转化为具有精细小孔的ＴｉＮ膜（６４）；然后，在其上生...

本发明提供了一种使ＭＲＡＭ的存储单元的偏置磁场更有效地减少的技术。根据本发明的ＭＲＡＭ包括：具有能反转的自由自发磁化的自由层（１１）；具有固定自发磁化的固定层（６）；和由非磁性体形成，插在所述自由层（１１）和所述固定层（６）之间的间隔层...