薄膜晶体管衬底及其制造方法技术

提供一种薄膜晶体管衬底，包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管。第一薄膜晶体管包括第一激活层、第一栅极绝缘薄膜和第一栅电极。第二薄膜晶体管包括形成的第二激活层、第二栅极绝缘薄膜和第二栅电极。第二栅极绝缘薄膜的厚度大于第一栅极绝缘薄膜的厚度，第二激活层具有至少两个叠盖第二栅电极的杂质掺杂区域，第一激活层具有至少两个相对于第一栅电极以自对准方式形成的杂质掺杂区域，以及第二栅电极包括半导体层。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，尤其涉及多种薄膜晶体管形成在绝缘衬底上的一种薄膜晶体管衬底，其中所述多种晶体管在例如驱动电路、电源升压电路以及电平移相电路中的驱动电压不同。
技术介绍
近些年来，通过使用多晶硅(poly-Si)薄膜晶体管(TFT)，像素开关元件以及驱动电路可以形成在液晶设备、有机场致发光显示设备等类似物中的相同衬底上，其中所述液晶设备、有机场致发光显示设备等类似物形成在低成本的玻璃衬底上。希望在驱动电路中的操作电压较低，以降低功率消耗。然而，在像素操作中需要具有相同电平或更高电平的电压。因此，需要这样的技术其中具有不同操作电压的多种TFT混合制造在衬底上，以形成包括电源升压电路、电平移相电路等类似物的驱动电路。一般，为了形成具有不同操作电压的TFT，考虑到耐压而采用了改变栅极绝缘薄膜厚度的技术。例如，日本已公布申请H05-335573A(现有技术1)公开了一种技术，如图1所示，其中岛状激活层302形成在绝缘衬底301上。将成为源极/漏极区域的杂质掺杂区域305a、305b形成在激活层中，栅极绝缘薄膜303形成在整个表面上，外围电路TFT401的栅电极304形成在栅极绝缘薄膜上。然本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管衬底，包括：绝缘衬底；形成在所述绝缘衬底之上的第一薄膜晶体管，其中所述第一薄膜晶体管包括形成在所述绝缘衬底之上的第一激活层、形成在所述第一激活层上的第一栅极绝缘薄膜和形成在所述第一栅极绝缘薄膜上的第一栅电极；以 及形成在所述绝缘衬底之上的第二薄膜晶体管，其中所述第二薄膜晶体管包括形成在所述绝缘衬底之上的第二激活层、形成在所述第二激活层上的第二栅极绝缘薄膜和形成在所述第二栅极绝缘薄膜上的第二栅电极，其中，所述第二栅极绝缘薄膜的厚度大于 所述第一栅极绝缘薄膜的厚度，其中，所述第二激活层具有至少两个叠盖所述第二栅电极的杂质掺杂...

【技术特征摘要】
JP 2003-2-20 2003-0420831.一种薄膜晶体管衬底，包括绝缘衬底；形成在所述绝缘衬底之上的第一薄膜晶体管，其中所述第一薄膜晶体管包括形成在所述绝缘衬底之上的第一激活层、形成在所述第一激活层上的第一栅极绝缘薄膜和形成在所述第一栅极绝缘薄膜上的第一栅电极；以及形成在所述绝缘衬底之上的第二薄膜晶体管，其中所述第二薄膜晶体管包括形成在所述绝缘衬底之上的第二激活层、形成在所述第二激活层上的第二栅极绝缘薄膜和形成在所述第二栅极绝缘薄膜上的第二栅电极，其中，所述第二栅极绝缘薄膜的厚度大于所述第一栅极绝缘薄膜的厚度，其中，所述第二激活层具有至少两个叠盖所述第二栅电极的杂质掺杂区域，其中，所述第一激活层具有至少两个相对于所述第一栅电极以自对准方式形成的杂质掺杂区域，以及其中，所述第二栅电极包括半导体层。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管衬底，其中，所述第二栅极绝缘薄膜包括所述第一绝缘薄膜和形成在所述第一栅极绝缘薄膜之上的栅极覆盖薄膜。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管衬底，其中，以自对准方式形成的所述杂质掺杂区域被形成，以叠盖住所述第一栅电极0.1μm或更少。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管衬底，其中，相对于所述第一栅电极以自对准方式形成的所述杂质掺杂区域中的至少一个区域包括LDD结构。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管衬底，其中，叠盖所述第二栅电极的所述杂质掺杂区域被形成，以叠盖住所述第二栅电极2.0μm或更少。6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管衬底，其中，叠盖所述第二栅电极的所述杂质掺杂区域中的至少一个区域包括LDD结构。7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管衬底，其中，所述第一栅电极包括两层结构，所述两层结构包括半导体层和金属或金属硅化物层。8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管衬底，其中，所述第二栅电极包括两层结构，所述两层结构包括半导体层和金属或金属硅化物层。9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管衬底，其中，所述第二薄膜晶体管进一步包括形成在第二激活层与所述第二栅电极之间的第三栅电极。10.根据权利要求2所述的薄膜晶体管衬底，其中，所述第二薄膜晶体管进一步包括形成在所述第一栅极绝缘薄膜上的第三栅电极。11.一种薄膜晶体管衬底，包括绝缘衬底；形成在所述绝缘衬底之上的第一薄膜晶体管，其中所述第一薄膜晶体管包括形成在所述绝缘衬底之上的第一激活层、形成在所述第一激活层上的第一栅极绝缘薄膜和形成在所述第一栅极绝缘薄膜上的第一栅电极；以及形成在所述绝缘衬底之上的第二薄膜晶体管，其中所述第二薄膜晶体管包括形成在所述绝缘衬底之上的第二激活层、形成在所述第二激活层上的第二栅极绝缘薄膜和形成在所述第二栅极绝缘薄膜上的第二栅电极，其中，所述第二栅极绝缘薄膜的厚度大于所述第一栅极绝缘薄膜的厚度，其中，所述第二激活层具有至少两个叠盖所述第二栅电极的杂质掺杂区域，其中，所述第一激活层具有至少两个相对于所述第一栅电极以自对准方式形成的杂质掺杂区域，以及其中，所述第二薄膜晶体管进一步包括形成在第二激活层与所述第二栅电极之间的第三栅电极。12.根据权利要求11所述的薄膜晶体管衬底，其中，形成所述第三栅电极的材料与所述第一栅电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：奥村展，
申请(专利权)人：日本电气株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]