一种对用在丝焊设备中的毛细管的清洁方法，包含如下步骤：在毛细管的顶端部分浸入清洁液，清洁丝至少插入毛细管的顶端部分的情况下，给毛细管施加超声波。在清洁步骤之前，在毛细管是空的情况下，用研磨片研磨毛细管。

一种Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体外延层，其上部区具有倾斜角至多为１００秒并且／或者其扭转角至多为１００秒的晶体结构。用掩模外延生长该层，其中该掩模满足如下等式（１）：ｈ≥（ｗ／２）ｔａｎθ……（１）其中“θ”是在外延生长时的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体...

一种半导体器件，包括：安装板、通过附着到安装板上的连接焊球电连接到安装板上的封装、在封装上承载的半导体芯片和用于将半导体芯片上的连接端子与连接焊球电连接的连接焊丝，半导体芯片和连接焊球附着到带的一个表面上，所述带具有这样的形状，即弯折１...

为了提供具有低缺陷密度并且弯曲小的ＩＩＩ族氮化物形成的半导体衬底，本发明提供的工艺包括这样的步骤：在蓝宝石衬底１的Ｃ面（０００１）面）上形成ＧａＮ层２；在其上形成钛膜３；在含氢气或含氢混合气体的气体环境中热处理衬底以在ＧａＮ层２中形成空...

一种半导体晶片，包括多个半导体芯片和多个用于将所述半导体芯片相互分开的划片道。所述半导体芯片包括键合焊盘和用于监测半导体芯片中的正常晶体管的扩散区域或互连图形的位于下面的ＴＥＧ元件。

一种膜片掩膜，用于电子束平版印刷或Ｘ射线平版印刷，它具有形成于硅晶片上的膜片薄膜，以及形成于膜片薄膜上的掩膜主体图样。膜片薄膜具有在部分掩膜主体下面、不同于掩膜主体图样开孔的重金属注入区。注入区域在由膜片掩膜所得图样中实现更高的反差比。

一种以与布线层自对准的方式简单地形成微型接触孔的方法。在硅基片的表面上形成栅绝缘膜，栅极和保护绝缘层，将掩蔽绝缘膜沉积在整个表面上以覆盖源／漏扩散层。接着，在掩蔽绝缘膜上层压层间绝缘膜。将氮气加入到Ｃ↓［５］Ｆ↓［８］和Ｏ↓［２］的混合...

为了选择性地除去半导体装置中接触孔等底部上形成的氮化硅膜，用供应的生产气体进行等离子刻蚀，所述生产气体由具有碳碳键的第一氟化合物（例如，八氟环丁烷（Ｃ↓［４］Ｆ↓［８］）、六氟丁二烯（Ｃ↓［４］Ｆ↓［６］）、八氟环戊烯（Ｃ↓［５］Ｆ↓［...

提供一种使用实现低电压工作的陶瓷电容器的半导体器件的制造方法。在具有电介质电容器的半导体器件的制造方法中，其特征在于，包括：形成下部电极的第一工序；在所述下部电极上，形成在表面上带有凹凸的多晶的电介质薄膜的第二工序；将所述电介质薄膜的预...

一种喷涂装置包括：喷涂单元，它根据喷涂条件将光刻胶喷涂到半导体晶片上；厚度测量单元，它用于测量所喷涂的光刻胶的薄膜厚度；以及控制单元，它用于控制喷涂单元。根据用于预定数目样品的喷涂条件的信息以及预定数目样品上的薄膜厚度的信息，控制单元描...

在一半导体装置中，包括衬底（１），直接或间接地处于衬底上的第一半导体芯片（３或４）和处于第一半导体芯片上的第二半导体芯片（２），其中第二半导体芯片的尺寸比第一半导体芯片大。

本发明提供一种以很少的工时就可以实现与栅交叠漏极（ＧＯＬＤ）同等的构造，并且可以缓和漏极附近的高电场的场效应型晶体管及其制造方法。本发明的场效应型晶体管的制造方法至少包括以下工序：在玻璃基板１上形成半导体层３的工序；在半导体层３上形成在...

一种晶片支架，包括：一个安装板，用于安装一个晶片并具有多个流体孔，一个减压器，用于朝着安装板吸附晶片，同时通过流体孔吸取晶片和安装板之间的空气，和一个液体提供单元，用于朝着晶片提供一种液体以便从晶片支架上释放晶片。该液体具有低于水的特定...

在半导体存储器件中，存储单元阵列具有根据以偶数编号的地址起动的偶数存储体和根据以奇数编号的地址起动的奇数存储体。响应第一控制信号从偶数存储单元输偶数读数据出，响应第一读控制信号从奇数存储单元输出奇数读数据。中继单元接收第一偶数数据总线上...

使用这种芯片制造方法，沿着在每个在电路基片上形成的基本上是矩形的集成电路的四个边中的至少一个边，设置相互平行的第一和第二分割线，并在第一和第二分割线之间的间隙里形成测试接线和测试焊垫。沿着第一分割线的外侧对电路基片进行分割之后，再对最终...

一种半导体器件及其制造方法，其在半导体基底中具有一对掺杂区域。硅层形成在掺杂区域上；栅极绝缘膜形成在所述各掺杂区域之间；栅极形成在栅极绝缘膜上；第一氮化硅膜形成在所述栅极上；氧化硅膜形成在栅极侧表面上；第二氮化硅膜部分地形成在硅层上，并...

一种用以防止影像ＲＡＭ单元面积增加的半导体存储设备，它包括部分ＳＲＡＭ存储单元和与所述部分ＳＲＡＭ存储单元之存储节点相连的铁电电容器，得到存储电容器的高性能结构。所述影像ＲＡＭ在与存储节点对应的布线层和铁电电容器下电极之间设有中继布线层...

一种有机薄膜晶体管（１０Ａ），在其组成材料有机薄膜层（１５）中以单独或混合物的形式包含由下述通式［Ａ］表示的化合物，［化１］Ｘ［ＮＡｒ＃＋［１］Ａｒ＃＋［２］］＃－［ｎ］［Ａ］，（式［Ａ］中Ａｒ＃＋［１］－Ａｒ＃＋［２］分别为碳原子数６...

本发明涉及一种液晶显示器及其制造该液晶显示器的方法。在一种半透射液晶显示器中，反射区域中液晶层的厚度可以通过控制有机反射绝缘薄膜的薄膜厚度和反射彩色层的薄膜厚度进行调整。此外，透射区域中液晶层的厚度可以通过控制有机透射绝缘薄膜的薄膜厚度...

一种有机薄膜晶体管（ＴＦＴ），包括： 有机薄膜； 每个与有机膜的相对表面彼此接触设置的第一和第二电极；以及 与第一和第二电极的每一个相距特定距离设置的第三电极， 向第三电极施加电压以控制电流从第一电极和第二电极中...