提供一种低成本、高品质的ＳＯＮ半导体衬底的制造方法，另外，通过在制造工序中引入此半导体衬底的制造方法提供高性能的半导体装置的制造方法。在衬底中预先决定的区域选择性地注入离子，由该注入的离子在前述预先决定的区域内形成多个微小空洞。通过对该...

本发明的目标在于能够在高介电常数薄膜和硅衬底之间的界面中形成具有氧化硅膜和硅之间的高质量界面的栅绝缘膜结构，以提供一种能够改善界面电特性的半导体器件和半导体制造方法，而这正是在实际使用高介电常数绝缘膜时一直长期存在的课题。在硅衬底１０１...

一种磁随机存取存储器，其具备磁性材料结构体，该磁性材料结构体与设置在多条第１信号线和具有与第１信号线的方向垂直的方向的多条第２信号线之间的每个交点上的存储单元相对应。每个存储单元具有包括由第１阈值函数以上的外加磁场使自发磁化的方向反向的...

提供一种改善了肖特基结电极的耐热性并且功率性能和可靠性优良的ＧａＮ系半导体装置。在具有与ＡｌＧａＮ电子供给层（１４）接触的肖特基性栅电极（１７）的半导体装置中，栅电极（１７）为由Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ中任一种所形成的第一金属层（１７１）、由Ｍ...

一种用于安装在显示装置的显示面板线路板上的半导体器件，包括：衬底；设置在衬底上的多个电路单元，其包括薄膜晶体管，并有各自的输出接线端；至少一条总线互连，用于向电路单元提供电压；和电源馈电点，用于从外部源向总线互连提供电压。电路单元的间距...

本发明提供适用于分离半导体装置的多层铜布线的、在与基底或者上层的无机绝缘膜连接的界面上机械强度和密合性优良并且作为整个膜的实际相对介电常数较低的绝缘性有机聚合物膜，该绝缘性有机聚合物膜是以环状硅氧烷和直链状硅氧烷为原料，通过等离子体激发...

通过利用非晶半导体薄膜或通过激光退火而被结晶化的多晶或单晶半导体薄膜来在柔性基板上形成集成电路。将多个这种柔性集成电路板安装在分离的支撑基板上。这提高了诸如ＩＣ卡和液晶显示器的器件的机械强度，并允许以低成本制造这些器件。还能够提供具有较...

一种液晶显示装置包括：第一基底（２０）；第二基底（４０）；以及介于第一和第二基底（２０，４０）之间的液晶层（５０）。第一基底（２０）包括位于第一透明基底（２１）上的第一个到第Ｎ个第一阻滞挡板（２７，２８）；而第二基底（４０）包括位于第二...

在柔性器件制造方法中，当保护材料被粘至基片表面时，粘合仅在基片的一部分上执行。因为被粘附在基片的所述部分，所以保护材料容易被剥离。结果，剥离所需时间被减少，剥离过程中可能发生的器件破碎可被防止。

一种半导体封装，其特征在于，其具备：在电路面上形成１个或多个装置侧电极的半导体装置；具有配线图案和设置在该配线图案的一面或两面上的热可塑性绝缘层并在上述半导体装置周围被弯曲的可挠性基板，上述可挠性基板具有：设置在上述半导体装置侧面上 ...

一种布线板具有底部绝缘膜。底部绝缘膜的厚度为２０－１００μｍ，并由玻变温度为１５０℃或更高的耐热树脂组成，所述树脂包含由玻璃或芳族聚酰胺制成的增强纤维，并且在Ｔ℃温度下的弹性模数表示为Ｄ↓［Ｔ］（ＧＰａ），且Ｔ℃温度下抗断强度表示为Ｈ↓...

一个开关元件，包括：用于传导使用于电化学反应中的金属离子的一个离子导体，在接触离子导体的同时彼此分开一个规定距离提供的第一电极和第二电极，和与离子导体接触提供的第三电极。当引起切换到接通状态的一个电压被施加到第三电极时，一个金属被第一电...

一种半导体装置，是在布线基板上按倒装芯片方式安装了半导体芯片的半导体装置，所述布线基板包括：基础基板；具有在该基础基板的一面的布线层形成面上形成了的绝缘层和布线的布线层；在作为搭载所述半导体芯片的所述基础基板的所述布线层形成面的背面的芯...

在形成在由玻璃等制成的衬底上的多晶硅薄膜中形成源极／漏极扩散层和沟道区域，此外，通过栅极绝缘膜形成栅极电极６。将硅氢氮化物膜形成在层间介质膜上，由此能够将包括开关薄膜晶体管的有源元件区域中的氢浓度保持在较高水平，并且硅薄膜中的Ｓｉ－Ｈ键...

一种包括连接栓的半导体器件，其中在由金属形成的连接栓的截面中基本均匀地设置纳米材料。

一种用于安装半导体的布线衬底，包括：绝缘膜；形成在所述绝缘膜中的布线；通过通路电连接至布线的多个电极衬垫。所述电极衬垫设置成其表面暴露于所述绝缘膜的前表面和后表面这两面上，而且其侧表面的至少一部分埋设在所述绝缘膜中。通过在相应的两个金属...

公开了一种半导体器件，其中，包括第一布线层和第一绝缘层的微细布线结构部分，形成在半导体衬底上，其中每一第一布线层和每一第一绝缘层都被交替地层压。第一巨型布线结构部分形成在微细布线结构部分上，并且第一巨型布线结构部分是这样形成的，通过以下...

一种磁阻抗器件，具备　　　　反强磁性层；　　　　结合于所述反强磁性层上以固定自发磁化方向的固定强磁性层；　　　　结合于所述固定强磁性层上的非磁性隧道绝缘层；和　　　　结合于所述隧道绝缘层上、具有可反转的自由自发磁化之自由强磁性层，　　　...

一种薄膜半导体器件，包括：温度传感器，由薄膜半导体形成且用于将温度传感为电流；以及电流电压转换器，由薄膜半导体形成且具有其电流电压特性不同于所述温度传感器的电流电压特性的温度相关性。由所述电流电压转换器将由所述温度传感器传感到的温度转换...

一种场效应晶体管，包括：　　　　包括异质结的第Ⅲ族氮化物半导体层结构；　　　　源极和漏极，其形成在所述半导体层结构上并相互分离；以及　　　　位于所述源极和所述漏极之间的栅极，　　　　其中，穿过所述第Ⅲ族氮化物半导体层结构的上部的绝缘薄膜...