一种半导体器件，其特征在于包括：由ＴＡＢ（带式自动键合）带构成的带式载体；安装在所述带式载体上的半导体芯片；金属散热器，固定在与所述带式载体相对的所述半导体芯片的表面上，用于散去所述半导体芯片中产生的热量，所述散热器的形状大于所述半导体...

用能使组件成形的电解镀敷法，将由铜等形成的柱状块，经过晶片上的接合膜和粘接膜，形成在布线薄膜上。例如金的防氧化膜在柱状块的上表面或一部分上表面和侧表面形成。例如氧化膜这样的防沾湿膜，按需要形成在柱状块上。如果这个块焊接至布线基板上的焊盘...

本发明公开了一种半导体器件，其具有一个Ｎ沟道ＭＯＳ晶体管和Ｐ沟道ＭＯＳ晶体管，所述Ｎ沟道与Ｐ沟道ＭＯＳ晶体管的每个由多晶硅层、栅绝缘膜、和包括了位于玻璃基片上的栅多晶硅的栅极构成。所述半导体器件的制造方法包括步骤：与注入杂质同时或在不同...

一种半导体器件包括：绝缘柔韧薄膜，它能够改变自己的外形；第一和第二导电层，其设置在柔韧薄膜的两个表面上并构成布线图型；安装在第一导电层上的ＬＳＩ；导体，其设置在柔韧薄膜中形成的孔中并使得在第一导电层中形成的布线图型和第二导电层中形成的布...

一种用于在数字电路中去耦高频噪声波的去耦装置，其形成为线装置，包括一部分的半导体衬底，在半导体衬底上形成的作为栅极氧化膜的绝缘膜，以及在绝缘膜上形成的作为门电极的互连线。互连线与半导体衬底之间的线电容为１００ｐＦ或更大，因此，该去耦装置...

本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。在半导体器件中，在绝缘底层（１０１、２０１）上形成具有沟槽的绝缘夹层（１０３，２０３）。包括非金属硅化物的含硅金属层（１１１，２２１）埋在沟槽中。在含硅金属层和绝缘夹层上形成金属扩散阻挡层（１０９、...

一种制造半导体器件的工艺，包括下述步骤： ａ）准备基片结构（１１／１２／２；１３／２）， ｂ）在所述基片结构（１１／１２／２；１３／２）上形成具有主要图案（５）和定位图案（４）的光抗蚀剂掩膜（３）， ｃ）在所述基片结构...

一种形成堆叠膜图案的方法，包括以下步骤： 在基质上依次沉积第一氧化物膜、半导体膜和第二氧化物膜； 激光热处理半导体膜； 在第二氧化物膜上形成抗蚀图案；及 通过对第二氧化物膜和半导体膜进行干蚀刻，在包括半导体膜和第...

液晶显示器（ＬＣＤ）包括多个栅极线、多个数据线以及每个各配置在多个栅极线和多个数据线之间的交叉点附近的开关元件。ＬＣＤ进一步包括多个借助中间层绝缘膜配置在栅极线和数据线之上的象素电极，其中从上边即从相邻象素电极之间的间隙一侧朝栅极线一侧...

本发明提供了一种低能耗低成本的半导体设备。半导体设备（５０）基本上由半导体衬底（１）和外部信号处理衬底（８）构成。半导体衬底（１）具有存储部件（３）、数据驱动器（４）、元件阵列（２）、扫描电路（３５）和时钟发生器（３６）。当将同一数据信...

一种薄膜半导体器件，包括： 第一多个薄膜晶体管，其具有与第二多个薄膜晶体管不同的驱动电压，其中所述第一和第二多个晶体管形成在玻璃衬底上， 其中在所述第一和第二多个薄膜晶体管的每一所述驱动电压处的栅极的电场在大约１ＭＶ／ｃｍ至...

一种薄膜晶体管的制造方法，该薄膜晶体管包括：绝缘基板、在所述基板上形成的半导体层和在形成于所述半导体层中的源区和漏区之上的形成的源电极和漏电极，所述源电极和漏电极由铝或铝合金构成，　　　　所述方法包括以下步骤：　　　　（ａ）通过栅绝缘膜...

本发明提供当用作构成半导体装置的层间绝缘膜时，在与与其下表面、上表面接触的其它半导体材料的界面上具有高附着性，另外膜整体的有效介电常数可以进一步降低的有机聚合物膜的制作方法。具体地，将气体的多种有机单体穿过在反应室内生成的等离子后喷射到...

一种薄膜半导体装置，在绝缘性基板上至少设置了以多晶硅膜为有源层的ｎ沟道型薄膜晶体管和ｐ沟道型薄膜晶体管，其特征在于：　　　　在同一沟道型中包含阈值电压不同的多种薄膜晶体管，在不同的沟道型中包含以大致相等的浓度将同一掺杂剂引入了沟道区的薄...

一种半导体器件，包括：　　　　半导体元件；　　　　柔性基片，其具有至少一个电极垫并包围所述半导体元件；　　　　导体，其用于用所述电极垫连接所述电极；　　　　电极垫上的多个焊块；　　　　其中在面对所述焊块的所述半导体元件的表面和所述柔性基...

为了使用有机金属源气体在基底导电材料上形成具有用ＡＢＯ↓［３］表示的钙钛矿型晶体结构的金属氧化物介电膜，在第一沉积条件下，在基底导电材料上形成初始钙钛矿晶核或初始无定形层，所述初始无定形层具有无定形结构；和在第二沉积条件下，在初始晶核或...

一种形成键合焊盘的方法，包括下列步骤：　　　　在上层绝缘膜中形成键合焊盘槽；　　　　在所述上层绝缘膜上形成第一金属层；　　　　在所述第一金属层上形成防氧化的第二金属层；　　　　从所述上层绝缘膜上的表面上去除所述第一和第二金属层，使得键合...

一种含基底和直接或间接形成于基底上的绝缘膜的半导体设备。绝缘膜含金属硅酸盐膜，且在金属硅酸盐膜的膜厚度方向上，中部的硅浓度高于上部和下部的硅浓度。

本发明的一种制造半导体器件的方法包括：（ａ）在提供在绝缘膜１２上的半导体层１３上顺序形成栅绝缘膜１４、第一导电层１５和第一绝缘膜１６；（ｂ）有选择地除去所述半导体层、所述栅绝缘膜、所述第一导电层和所述第一绝缘膜，以形成器件隔离沟槽；（ｃ...

提供一种散热性和刚性优良的柔性电子器件以及低成本和满意再现性地制造这些器件的方法。保护膜粘附到在表面上形成有薄膜器件的衬底表面上。接着，基板浸在蚀刻溶液中以从它的背面蚀刻，从而使基板的剩余厚度落在大于０μｍ并且不大于２０μｍ的范围内。然...