柔性电子器件及其制造方法技术

提供一种散热性和刚性优良的柔性电子器件以及低成本和满意再现性地制造这些器件的方法。保护膜粘附到在表面上形成有薄膜器件的衬底表面上。接着，基板浸在蚀刻溶液中以从它的背面蚀刻，从而使基板的剩余厚度落在大于０μｍ并且不大于２０μｍ的范围内。然后，柔性膜粘附到基板的蚀刻表面上，此后剥离保护膜以制备柔性电子器件。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。具体地，本专利技术涉及柔性硅电子器件及柔性液晶显示器件的制造方法。
技术介绍
近些年来，对提供有内置存储电路和微处理器电路的IC卡的需求增长，是由于与磁卡相比它们具有较大的存储容量。通常这些IC卡经常携带在钱夹和类似物中，因此这些卡会经常受到由于携带者运动产生的弯曲力。然而，常规的IC卡，即由硅晶片形成的半导体芯片自身不是柔性的，而且较脆，因此当外力施加其上时，这些芯片将会损坏的可能性很大。为了防止这些IC芯片损伤，例如日本专利特许公开No.9-312349(图1到4，第4到10页)公开了一种方法，其中形成在硅芯片上的半导体IC芯片转移到柔性树脂薄片。此外，日本专利特许公开No.2002-111222(图1至3，第3和4页)和日本专利特许公开No.2002-111226(图1，第4页)公开了一种其中叠置有不同功能的IC芯片的多层组合物板及使用这些多层组合物板的组件。如上所述，通过将使用硅晶片形成的集成电路(下文称做IC)转移到树脂基板上，开发的多种技术大大地促进了柔性硅器件及封装中高功能系统的现实化。此外，近些年来，由于薄膜晶体管液晶显示器件重量轻并且不易破裂，现本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种柔性电子器件，包括：柔性膜；形成在柔性膜上的基板，基板与所述柔性膜的材料不同，并且所述基板的厚度大于０μｍ并且不大于２０μｍ；以及形成在基板上的薄膜器件。

【技术特征摘要】
JP 2003-1-10 4401/20031.一种柔性电子器件，包括柔性膜；形成在柔性膜上的基板，基板与所述柔性膜的材料不同，并且所述基板的厚度大于0μm并且不大于200μm；以及形成在基板上的薄膜器件。2.根据权利要求1的柔性电子器件，其中通过叠置至少两个或更多部件来形成所述柔性电子器件。3.根据权利要求1的柔性电子器件，其中所述薄膜器件为由硅薄膜形成的薄膜晶体管。4.根据权利要求1的柔性电子器件，其中所述基板为绝缘基板。5.根据权利要求4的柔性电子器件，其中所述基板为玻璃基板。6.根据权利要求4的柔性电子器件，其中所述柔性膜为绝缘膜。7.根据权利要求1的柔性电子器件，其中所述柔性膜具有高于0.01W/cm·deg的导热率。8.根据权利要求1的柔性电子器件，其中所述柔性膜为至少包括导热率高于0.01W/cm·deg的膜和绝缘膜的叠层结构。9.一种柔性电子器件的制造方法，包括以下步骤在基板上形成薄膜器件；将保护膜粘附到所述薄膜器件；从背面蚀刻所述基板以使所述基板的剩余厚度大于0μm并且不大于200μm；将柔性膜粘结到所述基板的蚀刻表面；以及粘结所述柔性膜的所述步骤之后，从所述薄膜器件上剥离所述保护膜。10.根据权利要求9的柔性电子器件的制造方法，其中所述薄膜器件为硅薄膜形成的薄膜晶体管。11.根据权利要求9的柔性电子器件的制造方法，其中所述基板为绝缘基板。12.根据权利要求9的柔性电子器件的制造方法，其中所述基板为玻璃基板。13.根据权利要求9的柔性电子器件的制造方法，其中所述柔性膜为绝缘膜。14.根据权利要求9的柔性电子器件的制造方法，其中所述柔性膜具有高于0.01W/cm·deg的导热率。15.根据权利要求9的柔性电子器件的制造方法，其中所述柔性膜为至少包括导热率高于0.01W...

【专利技术属性】
技术研发人员：竹知和重，
申请(专利权)人：日本电气株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]