一种通过电子束照射形成器件布线图案影像的方法，首先产生器件布线图案的矩形方框图，其中有许多排列的方框，各方框界定器件布线图案的附属布线图案和各方框的附属布线图案，两者一起界定整个器件的布线图案。接着，确定各方框附属布线图案最小零件的尺寸...

公开了一种半导体集成电路和测量半导体集成电路特性的方法，它需要数目最少的测量待测量的多个器件的特性的测试端子；以便容易在芯片的周边区域形成必要的端子，而且它不需要用来控制选择地址信号产生的外部控制装置。该半导体集成电路包括待测量的元件（...

使形成在半导体保护电路中的闸流管的阳极与阴极之间的距离和二极管的阳极与阴极之间的距离小到ＬＳＩ制造技术所允许的程度，从而实现在导通条件下的快速启动速度和低的内部电阻，从而即使在施加高速脉冲时，也可限制内部电路上的电压升高。

一种形成模压封装的半导体器件的方法，包括下列步骤：在具有金属互连图形的金属板上安装半导体芯片；将半导体芯片封装于金属互连图形上；通过腐蚀去除金属板的底部，露出金属互连图形；和在金属互连图形的底部上形成外部端子。该方法可减小半导体器件的厚...

本发明提供的离子注入装置包括：腔室；以及压力控制器，用于在离子注入工艺期间保持腔室的内部压力不低于１Ｅ－４乇。

在设计标准单元型大规模集成电路布局和布线中，每个标准单元包括由Ｐ型扩散层形成的ＶＤＤ电源端、由Ｎ型扩散层形成的ＶＳＳ电源端、以及由第一金属层形成的输入端和输出端。设置多个标准单元形成标准单元阵列，并分别设置由第一金属层形成的ＶＤＤ电源线...

电子束刻蚀设备包括电子束源（３１）和晶片载台（３８），以及固定在晶片载台（３８）上可以水平移动的掩模（２），电子束通过掩模到达晶片。在掩模具有的各区域中形成分割图形，根据区域的密度划分要刻写的图形得到分割图形。电子束刻蚀设备进一步包括控...

一种模版掩模在模版掩模制作用的ＳＯＩ基板的硅绝缘膜１１之下形成高浓度含硼硅层２１和低浓度含硼硅层２２，用ＫＯＨ溶液等碱溶液进行湿性蚀刻。通过高浓度含硼硅层２１的作用抑制蚀刻率的不均匀性，谋求均匀化。按这种模版掩模及其形成方法提高在从模版...

限制散射角型电子束曝光方法，使用具有散射区的掩膜，并设置限制孔，以控制由所述掩膜散射通过的散射电子数量，根据通过掩膜的电子束内的电子散射角度的差别形成散射的反差，进行图案曝光；根据图案密度，通过改变掩膜散射区域的厚度，控制散射电子的散射...

一种带电粒子束光刻装置，从电子束发生源射出的电子束，由第１图形选择偏转部使其偏转方向照射在第１掩膜的规定孔上，透过第１掩膜的电子束由第２图形选择偏转部使其偏转方向后，照射在第２掩膜上，和照射在晶片台上装载的晶片上，进行部分汇总曝光。在第...

一种在曝光过程中修正光邻近效应的方法，包括如下步骤：提取掩模互连图形的拐角部分；在提取的拐角部分的内拐角上提供默认“Ｌ”形图形；提取包括一对相邻的拐角部分的“］”形图形；调整“］”形图形中默认剪切块修正图形相对端点之间的距离，以具有规定...

以一种方式根据预定规则把除掩模孔之外的提取区域分割为多个部分，使得掩模孔被设置为变量｛ａ２｝，这样分割的除掩模孔之外的部分被设置为变量｛ａ０｝或｛ａ１｝，从而指定变量ａ＝｛ａ０｝，｛ａ１｝，｛ａ２｝。之后，在Ｘ轴和Ｙ轴方向上执行扫描，以...

本发明涉及一种分段掩膜图案转印型电子束曝光方法，其中预定图案被分为多个分区，在每个所述分区形成分段图案，依次地对每个所述分区进行曝光，完成整个所述指定图案的投影；包括如下步骤；对分区执行曝光，并且在其上面转印分段图案，用各个所述分段图案...

一种掩膜检测方法，包括步骤（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）。步骤（ａ）包括提供一种对具有掩膜（Ｍ）的晶片（１）形成图案的电子束曝光系统（１）。步骤（ｂ）包括从电子束曝光系统（１）向掩膜（Ｍ）发射电子。步骤（ｃ）包括检测发射的电子透过掩膜（...

所公开的方法包括：在对图案曝光之前检测在晶片上的多个对齐标志Ａ至Ｄ，以获得一个校正因子，并根据该因子执行对齐；开始图案曝光，以在曝光过程中的预定时间再次检测在对齐标志Ａ’；获得如此检测的位置和在曝光之前检测位置（坐标）之间的位置差，以把...

一种用于半导体器件的计算机辅助设计支持系统，包括单元库（３）、排列工具（４）和布线工具（５）。单元库存储多个逻辑电路图形、多个电源单元图形、多个接地单元图形。半导体器件的逻辑器件图形包括一个逻辑单元图形、一个电源单元图形和一个接地单元图...

由组件主体（２）和第一端子（５，６，７）和第二端于（８）构成的表面安装组件（１）。组件（１）具有相互相交的第一表面（３）和第二表面（４）。组件主体（１）具有用于安装元件的一安装部分。第一端于（５，６，７）连接到第一表面（３），第二端子（...

本发明提供一种电子束掩膜，具有与预定设计图样对应的多个孔径，用于以电子束按间歇式投影曝光。至少一个需要加固的孔径，如那些具有环形或有桥环形（片形）的孔径被选择地填以由透射电子束材料制成的薄膜。

在蓝宝石（Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］）衬底１１的（０００１）晶面上形成ＧａＮ膜１２后，通过湿腐蚀而留下岛状ＧａＮ膜１２。该岛状的ＧａＮ膜１２的上部由单晶体层构成。通过进行外延生长而留下岛状的ＧａＮ膜１２，就可以获得几乎没有晶体缺陷的ＧａＮ膜...

提供能够形成无涂布不匀（条痕）的均匀薄膜的强电介质薄膜形成用溶液及强电介质薄膜形成方法。还提供以含有选自改性硅油或者氟型表面活性剂中的至少一种为特征的强电介质薄膜形成用溶液及使用该溶液的强电介质薄膜形成方法。