一种ＢＧＡ型半导体器件封装，包括：半导体芯片（２）、多个电极焊盘（３）、一组引线、接合线（１５，１６）和树脂模（１９）。该组引线包括一组第一引线和（５，８）一组第二引线（９，１１）。每个第一引线与第二引线电连接。第一引线呈二维分布，并且...

一种在生产半导体器件期间用于校正光－邻接效应的方法，包含如下的步骤：指定围绕第一层的第一周边区域；对属于第一周边区域的第二层的至少一个角进行定位；形成围绕第二角的第二周边区域；并将第二周边区域加入到第一层中。该方法可不仅抑制数据和用于校...

一种电子束曝光设备由在电子源和基片之间直线对齐的电磁透镜（１３，１４，１６，１８）、光圈（１２等）和曝光掩膜（１５）所构成。在从电子源辐射并照射到基片上的电子束通道中，电子束的电子形成交叉平面（Ａ，Ｂ，Ｃ）。曝光掩膜置于一个交叉平面上，...

一种方法，其用于通过差别地把离子注入到晶片，建立使表示ＭＯＳＦＥＴ的性能的指数在许可范围内的条件。该方法包括如下步骤：对于结深度作一条表示能量污染量的曲线，以及确定对于所需结深度的许可能量污染量。通过参照该曲线可以获得基本上没有性能下降...

一下层的铝配线（２２）对形成在层间隔离层（２３）中的通孔（２４）暴露，以及在淀积通过通孔（２４）连接至下层的铝配线（２２）的一上部铝配线（３０）之前，执行除气处理，其中除气是在等于或者小于在层间隔离层（２３）时的最大的基片温度的一基片温...

在本发明中，在此公开一种半导体器件，其铜互连层形成多级结构；其特征在于至少一个位于铜互连层之间的层间膜具有层状结构，其中按照次序从下层铜互连层一侧叠放一含氟的无定形碳膜与一ＳｉＯ↓［２］膜；一层状结构，其中按次序叠放氮化硅，然后叠放氮氧...

提供一种半导体器件制造方法，该制造方法能够解决在刚刚开始抛光之后几乎不进行抛光的潜伏时间的问题。为了减少由于在金属膜抛光刚刚开始之后引起的潜伏时间周期，在抛光工艺之前进行从要被抛光的物体除去氧化物的氧化物除去步骤。

提供一种半导体器件，该半导体器件具有半导体芯片和连接到半导体芯片焊盘上的连接引线。连接引线有末端部分，该末端部分弯曲到在与焊盘相对一侧的半导体芯片表面上。该半导体器件还包括覆盖半导体芯片的树脂密封部分和设置于连接引线末端部分上的焊球。

在本发明的半导体集成电路装置的制造方法中，设有在氢气气氛下对层叠了层间绝缘膜的要形成元件的半导体衬底进行氢退火的工序，在氢退火时，在超过脱离开始温度的温度下进行氢退火，该脱离开始温度是到达半导体衬底与绝缘性区域的界面且使界面能级降低的氢...

一种半导体器件，包括ＭＰＵ（微处理器）部分（４０）、ＤＲＡＭ部分（７０）、多个地址寄存器（７５）和多个地址延迟补偿单元（７７）。ＭＰＵ部分（４０）输出时钟信号（５２）和地址信号（５５）。ＤＲＡＭ部分（７０）输入时钟信号（５２）和地址信号...

一种背电极型电子部件包括一个包括电路的主体和为所述电子部件的背面部分上的焊块（７，８）而安排并连接到所述电路的电极（９）。电极安排的部分中电极组的每一组设有单个的第一类焊块（７），后者比安排在角部以外的电极用的第二类焊块（８）大。另外，...

在形成双镶嵌布线方法中，在下导电层上形成层间绝缘膜，在层间绝缘膜中形成具有用于通孔图形的开口的抗蚀膜。用抗蚀膜作为掩模腐蚀层间绝缘膜，形成通孔，用腐蚀速率高于层间绝缘膜的材料填充通孔，形成埋置膜。然后，在埋置膜上形成具有用于布线沟槽图形...

提供一种栅格焊球阵列半导体器件。所说半导体器件具有用树脂密封的半导体元件。此外，将引线框连接到树脂材料中的半导体元件上。引线框具有突出到树脂材料表面外的端部。

一种形成元件隔离区域的方法包括步骤：利用硅氧化物薄膜、硅氧化物薄膜和作为掩膜的抗蚀薄膜蚀刻半导体基片以形成沟槽，在沟槽１２开口的拐角处对半导体基片注入杂质离子，热氧化该沟槽的内部表面，和用多晶硅薄膜填充该沟槽。由于较高的氧化率，在开口处...

一种半导体芯片具有芯片电极。一个互连层连接到该芯片电极。分别处于焊球形式的接触端连接到该互连层。一个基片形成在该半导体芯片上。树脂层形成在该基片上。树脂层的提供抑制由于在处理步骤中加热所造成的任何基片的翘曲和／或变形。这防止在球电极连接...

一种用于从硅基片开始生产半导体器件的工艺，该半导体器件具有一个电容器部分，该部分包含铂族金属电极和铁电膜，该工艺包含一个清洁步骤，用于通过使用清洁溶液清洁和去除粘附在（１）与铂族金属电极接触形成的硅－基绝缘膜上和（２）硅基片的背面上的由...

在将硅衬底（１）装入炉温为第一值的氧化炉中的制造半导体器件的方法中，将氧化炉的温度升高到第二值，对硅衬底实施氧化操作，在硅衬底上生长基本氧化硅层（３２），在实施氧化操作步骤之前生长的初始氧化硅层（３１）的厚度与由初始氧化硅层和基本氧化硅...

一种制造用于元件隔离的高可靠性浅槽隔离的半导体器件的方法。该方法包括：制备半导体衬底；在所述半导体衬底中形成槽；在对所述半导体衬底施加高频电压的同时，通过使用高密度等离子体ＣＶＤ方法在所述半导体衬底上形成氧化硅膜，使所述氧化硅膜材料充满...

一种生产半导体器件的方法，包含如下的过程；生产空塞子和互连绝缘层，其中内层绝缘膜由与空塞子不同的材料构成；在所述内层绝缘膜的顶部形成掩膜层；并在所述绝缘膜中形成互连槽，使用所述掩膜层作为掩膜，蚀刻掉部分所述内层绝缘膜，露出所述互连槽底部...

基片的表面在等于或者高于１０５０℃的温度下或在等于或高于７．５纳米／分钟的氧化速度下被氧化，以形成厚度等于或者大于１５００ｎｍ的一氧化物薄膜。当该氧化物薄膜被除去时，在基片表面存在的凹陷的密度等于或小于氧化处理之前的凹陷的密度，而那里存...