用于建立差别注入条件的方法技术

一种方法，其用于通过差别地把离子注入到晶片，建立使表示ＭＯＳＦＥＴ的性能的指数在许可范围内的条件。该方法包括如下步骤：对于结深度作一条表示能量污染量的曲线，以及确定对于所需结深度的许可能量污染量。通过参照该曲线可以获得基本上没有性能下降的ＭＯＳＦＥＴ。并且建立射束线路的真空度和／或路程。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于建立制造半导体器件所需的差别注入条件的方法。为了减小在深的四分之一微米以下的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)中的短沟道效应，需要具有小于50nm的注入深度的浅源/漏区。低能量注入是一种实现这种浅注入的方法。但是，低注入能量减小射束电流量从而降低生产率。一种差别注入方法被用作为克服上述问题的离子注入法。在描述该差别注入方法之前，将描述作为对比的一种普通的漂移注入方法。在附图说明图1中所述的漂移注入装置中，一提取电极10从离子源12中提取射束，并把该射束通过射束线路14注入到晶片16。当由该漂移注入装置采用低能量注入时，生产率较低。在图2中所示采用差别注入方法的离子注入装置中，提取电极10以比该注入能量高的能量从离子源12提取离子到晶片上。紧接着在该射束的速度由速度减小电极18在注入之前减小到对应于所需注入能量的能量时，所提取的离子通过射束线路14并注入到晶片16上。因为由提取电极10提供给离子的能量可以更高，所以具有大能量的射束电流在差别注入装置中获得以提高生产率。但是，该差别注入伴随着能量污染问题(参见J.Freeman等人的《(IIT会议论文本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，其用于通过根据一条件调节在离子注入装置中的射束线路的真空度和／或路程，建立使ＭＯＳＦＥＴ的表示性能的指数在许可范围内的条件，以通过差别注入离子到晶片的方法形成源／漏区，该改进方法包括如下步骤：作一条表示与结深度对应的能量污 染量的曲线，以及确定与所需结深度相对应的许可能量污染量作为所述条件。

【技术特征摘要】
JP 1998-12-2 342636/981.一种方法，其用于通过根据一条件调节在离子注入装置中的射束线路的真空度和/或路程，建立使MOSFET的表示性能的指数在许可范围内的条件，以通过差别注入离子到晶片的方法形成源/漏区，该改进方法包括如下步骤作一条表示与结深度对应的能量污染量的曲线，以及确定与所需结深度相对应的许可能量污染量作为所述条件。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于表示能量污染量的曲线由如下步骤所形成通过在第一条件下把离子注入到晶片确定第一指数，使得基本上没有能量污染发生，以及在退火之后测量结深度；通过在第一条件下把离子注入到晶片确定第二指...

【专利技术属性】
技术研发人员：松田友子，
申请(专利权)人：日本电气株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]