【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种形成用于多层互连技术的双镶嵌布线的方法。形成半导体集成电路的多层互连的有效方法包括各种镶嵌技术。这些技术中，双镶嵌技术具有这样的优点，即它们可以简化和加快工艺，从而减少TAT(周转时间)，可以显著降低生产成本。在双镶嵌技术中，在绝缘层中形成布线沟槽，在布线沟槽中形成上布线层，和连接上层布线与下层布线或衬底的通孔或接触孔(此后两种孔都称为通孔)，然后，同时在布线沟槽和通孔中填充金属膜，同时形成布线和通道。附图说明图1A-1C是按步骤顺序展示利用常规双镶嵌技术形成布线的方法的剖面图。首先，如图1A所示，在硅衬底1上形成氧化硅(SiO2)膜2作层间绝缘膜。在氧化硅膜2上，形成氮化硅(SiN)膜3，在氮化硅膜3上，再形成抗蚀膜4。利用光刻技术，将抗蚀膜4构图成通孔形状。然后，利用抗蚀膜4作为掩模，等离子腐蚀氮化硅膜3，在氮化硅膜3上形成通孔图形5。然后，如图1B所示，在整个表面上形成氧化硅膜6。然后，利用化学机械抛光(CMP)法抛光氧化硅膜6的表面，使表面平整。接着，如图1C所示，在氧化硅膜6上形成抗蚀膜7，并按布线沟槽的形状构图。然后，利用抗蚀膜...
【技术保护点】
一种形成双镶嵌布线的方法，包括以下步骤：在下导电层上形成层间绝缘膜；在所述层间绝缘膜上形成第一抗蚀膜，其具有用于孔图形的开口；利用所述第一抗蚀膜作为掩模，腐蚀所述层间绝缘膜，形成孔；用腐蚀速率高于所述层间绝缘膜的材料填充所述 孔，形成埋置膜；在所述埋置膜上形成第二抗蚀膜，其具有用于布线沟槽图形的开口；以及用所述第二抗蚀膜作为掩模，腐蚀所述埋置膜和层间绝缘膜，在层间绝缘膜中形成布线沟槽。
【技术特征摘要】
JP 1998-12-21 363555/19981.一种形成双镶嵌布线的方法，包括以下步骤在下导电层上形成层间绝缘膜；在所述层间绝缘膜上形成第一抗蚀膜，其具有用于孔图形的开口；利用所述第一抗蚀膜作为掩模，腐蚀所述层间绝缘膜，形成孔；用腐蚀速率高于所述层间绝缘膜的材料填充所述孔，形成埋置膜；在所述埋置膜上形成第二抗蚀膜，其具有用于布线沟槽图形的开口；以及用所述第二抗蚀膜作为掩模，腐蚀所述埋置膜和层间绝缘膜，在层间绝缘膜中形成布线沟槽。2.一种形成双镶嵌布线的方法，包括以下步骤在下导电层上形成层间绝缘膜；在所述层间绝缘膜上形成第一抗蚀膜，其具有用于布线沟槽图形的开口；利用所述第一抗蚀膜作为掩模，腐蚀所述层间绝缘膜，形成布线沟槽；用腐蚀速率高于所述层间绝缘膜的材料填充该布线沟槽，形成埋置膜；在所述埋置膜上形成第二抗蚀膜，其具有用于孔图形的开口；以及用所述第二抗蚀膜作为掩模，腐蚀所述埋置膜和层间绝缘膜，在层间绝缘膜中形成孔。3.一种形成双镶嵌布线的方法，包括以下步骤在下导电层上形成第一层间绝缘膜；在所述第一层间绝缘膜上形成第一抗蚀膜，其具有用于孔图形的开口；利用所述第一抗蚀膜作为掩模，腐蚀所述第一层间绝缘膜，形成孔；用腐蚀速率高于所述第一层间绝缘膜的材料填充该孔，形成埋置膜；在整个表面上形成第二层间绝缘膜；在所述第二层间绝缘膜上形成第二抗蚀膜，其具有用于布线沟槽图形的开口；以及用所述第二抗蚀膜作为掩模，腐蚀所述第二层间绝缘膜，形...
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